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由等离激元金属和半导体结合形成的金属/半导体异质结构型有利于光诱导电荷转移(PICT)效率的提高,在表面增强拉曼散射(SERS)研究中具有明显优势.本文通过对所制备的杂化底物进行热退火处理进一步提高了其SERS活性.首先,在二维六方氮化硼(h-BN)纳米片表面成功负载生长了高密度和单分散的Ag/Ag2O纳米颗粒.在此基础上,通过进一步高温退火处理所得复合体系,构建出高效的电荷转移通道,从而大幅度提高了PICT效率,使化学增强得到显著提高.实验结果表明,相比于退火前,经320℃高温退火处理所得到的h-BN/Ag/Ag2O复合材料作为基底,可以使结晶紫分子的SERS信号强度显著增强18倍,增强因子高达1.63145×107.最后,基于h-BN/Ag/Ag2O 320℃退火复合材料优异的SERS性能,实现了对食品添加剂专利蓝V的超灵敏SERS检测,其检测极限低至10–12 M.本文构建的h-BN/Ag/Ag2O 320℃退火复合材料兼具物理增强和化学增强,在食品... 相似文献
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混合评价核数据库HENDL1.0/MG/MC研制 总被引:1,自引:0,他引:1
根据世界几个主要核评价数据库,如ENDF/B 6(美国)、JEF 2.2(欧盟)、JENDL 3.2(日本)、BROND 2.2(俄罗斯)、CENDL 2.1(中国)和FENDL 2(IAEA/NDS),兼顾聚变、裂变以及聚变 裂变次临界混合堆设计研究的多种需要,经过甄别、筛选,最后集成为包含213个核素的基本评价文件,名为HENDL1.0/E的核评价数据库.在此基础上,利用目前流行的群常数加工程序系统NJOY和输运截面制备程序TRANSX制作两套用于中子或/和光子输运计算的输运截面工作库:①参考Vitamin J能群结构制作了175群中子和42群光子、中子 光子耦合多群工作数据库HENDL1.0/MG,可用于离散纵标Sn法程序计算;②连续能群结构、紧凑ENDF(ACE)格式中子截面库HENDL1.0/MC,可用于蒙特卡罗方法输运计算,如MCNP.另外还制作了可用于燃耗(嬗变)计算的燃耗库BURNUP.LIB和响应函数库RESPONSE.LIB两个专用数据库.同时,也对HENDL1.0综合评价核数据库的有效性进行了抽样测试、基准检验和初步确认. A Hybrid Evaluated Nuclear Data Library(HENDL) named as HENDL1.0 has been developed by Fusion Design Study (FDS) team of Institute of Plasma Physics, Academia Sinica (ASIPP) to take into account the requirements in design and research relevant to fusion, fission and fusion-fission sub-critical hybrid reactor. HENDL1.0 contains one basic evaluated sub-library naming HENDL1.0/E and two processed working sub-libraries naming HENDL1.0/MG and HENDL1.0/MC, respectively. Through carefully comparing... 相似文献
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Charge coupled devices (CCD) photometry and long-term optical variability of gamma-ray-loud BL Lacertae object Mkn 421 下载免费PDF全文
Evidence for the long-term optical curve variability and colour behaviour of the BL
Lac object Mkn 421 is presented. Our results show that the amplitude of the optical
variations of Mkn 421 is only about {\Delta} B=4.7 magnitude in the B-band for
its photometric history from 1899 to 2002. The results of optical photometric
monitoring of the Mkn 421 from April 2000 to Jan 2002 are provided. During our
observation, Mkn 421 shows significant rapid variations and exhibits short time
variability of 2.42 hours in the B band. A strong correlation between the B-V
colour index and the magnitude in the B band is found. Our charge coupled device
(CCD) photometry of Mkn 421 shows that the measured results are in good agreement
with the predicted optical variability period of about 23 years. 相似文献
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Enhanced thermoelectric properties of p-type polycrystalline SnSe by regulating the anisotropic crystal growth and Sn vacancy 下载免费PDF全文
Thermoelectric selenides have attracted more and more attentions recently.Herein,p-type Sn Se polycrystalline bulk materials with good thermoelectric properties are presented.By using the SnSe_2 nanostructures synthesized via a wetchemistry route as the precursor,polycrystalline Sn Se bulk materials were successfully obtained by a combined heattreating process under reducing atmosphere and following spark plasma sintering procedure.As a reference,the Sn Se nanostructures synthesized via a wet-chemistry route were also fabricated into polycrystalline bulk materials through the same process.The thermoelectric properties of the Sn Se polycrystalline transformed from SnSe_2 nanostructures indicate that the increasing of heattreating temperature could effectively decrease the electrical resistivity,whereas the decrease in Seebeck coefficient is nearly invisible.As a result,the maximum power factor is enhanced from 5.06×10~(-4)W/m·K~2to 8.08×10~(-4)W/m·K~2at 612~?C.On the other hand,the reference sample,which was obtained by using Sn Se nanostructures as the precursor,displays very poor power factor of only 1.30×10~(-4)W/m·K~2at 537~?C.The x-ray diffraction(XRD),scanning electron microscope(SEM),x-ray fluorescence(XRF),and Hall effect characterizations suggest that the anisotropic crystal growth and existing Sn vacancy might be responsible for the enhanced electrical transport in the polycrystalline Sn Se prepared by using SnSe_2 precursor.On the other hand,the impact of heat-treating temperature on thermal conductivity is not obvious.Owing to the boosting of power factor,a high z T value of 1.07 at 612~?C is achieved.This study provides a new method to synthesize polycrystalline Sn Se and pave a way to improve the thermoelectric properties of polycrystalline bulk materials with similar layered structure. 相似文献
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本文对一维常微分算子及发展微分算子提出一种基于解析多项式特解(MPPS)的求解方法,通过使用这些特解公式,将微分方程的解显式表达为多项式特解的线性组合来求解复杂的微分方程,如可以使用这些公式来求解右端具有不连续驱动项的微分系统.文中给出一系列数值例子,数值模拟结果精度很高,而且误差非常稳定. 相似文献
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基于经典系综模型,研究了Mg原子在低于重碰撞阈值激光功率密度下的非序列双电离(NSDI)。当少周期量级线性偏振激光的功率密度为3.0×10~(13) W·cm~(-2)时,末态关联电子动量分布中的电子对主要分布在第一、第二和第四象限,第一象限中的电子对呈现了明显的关联行为。分析了重碰撞和双电离之间的延迟时间,发现不同的延迟时间对应着不同的电离过程,延迟时间对电子出射过程具有显著影响;延迟时间小于半个周期的NSDI事件,双电子倾向于反方向出射,而延迟时间大于半个周期的,存在双电子同方向出射的可能。 相似文献
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