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72.
The energy band properties, density of states, and band alignment of the BexZn1-xO1-ySy alloy (Be- and S-doped wurtzite ZnO) are investigated by the first-principles method. BexZn1-xO1-ySy alloy is a direct band gap semiconductor, the valence band maximum (VBM) and the conduction band minimum (CBM) of BexZn1-xO1-ySy are dominated by S 3p and Zn 4s states, respectively. The band gap and lattice constant of BexZn1-xO1-ySy alloy can be modulated by changing the doped content values x and y. With the increase in Be content value x in the BexZnl-xOl-ySy alloy, the band gap increases and the lattice constant reduces, but the situation is just the opposite when increasing the S content value y in the BexZn1-xO1-ySy alloy. Because the lattice constant of Be0.375Zn0.625O0.75S0.25 alloy is well matched with that of ZnO and its energy gap is large compared with that of ZnO, so the Be0.375Zn0.625O0.75S0.25 alloy is suitable for serving as the blocking material for a high-quality ZnO-based device. 相似文献
73.
聚芳香杂环甲烯的三阶非线性光学效应与时间分辨光克尔效应 总被引:2,自引:4,他引:2
合成了一系列聚芳香杂环甲烯,包括聚吡咯甲烯和聚噻吩甲烯.采用四波混频法研究材料的共振三阶非线性光学效应(λ=532nm),其共振二阶超分子极化率γ三阶非线性光学系数分别达到10-30esu和10-8esu.选择具有良好溶解性、成膜性的聚吡咯对二甲氨基苯甲烯(PPDMAB),采用飞秒时间分辨光克尔效应方法研究材料的非共振三阶非线性光学效应(λ=790nm).实验表明,翠绿亚胺碱溶液的光克尔信号仅表现一超快响应的成分,归功于π电子云扭转产生的非共振激发.PPDMAB的非共振二阶超分子极化率γ三阶非线性光学系数分别达到γ=5.78×10-32esu和χ(3)=1.26×10-10esu. 相似文献
74.
报道了一种光纤耦合LD泵浦Nd:YVO4晶体、腔内Ⅰ类临界相位匹配(角度匹配)LBO倍频、瓦级输出的全固态绿光激光器的设计方法和实验结果.采用短三镜折叠腔结构,通过对热透镜焦距的估算及计算机优化设计选取合适的谐振腔参量,在8 W的泵浦功率下,获得了1.6 W绿光基模输出,光-光转换效率达20%.经测量,绿光的偏振比超过400:1,4 h功率稳定度为±1.6%. 相似文献
75.
The hydrated shell of both Fe2+ and Fe3+ aqueous solutions are investigated by using the molecular dynamics (MD) and X-ray absorption structure (XAS) methods. The MD simulations show that the first hydrated shells of both Fe2+ and Fe3+ are characterized by a regular octahedron with an Fe-O distance of 2.08 for Fe2+ and 1.96 for Fe3+, and rule out the occurrence of a Jahn-Teller distortion in the hydrated shell of an Fe2+ aqueous solution. The corresponding X-ray absorption near edge fine structure (XANES) calculation successfully reproduces all features in the XANES spectra in Fe2+ and Fe3+ aqueous solution. A feature that is located at energy 1 eV higher than the white line (WL) in an Fe3+ aqueous solution may be assigned to the contribution of the charge transfer. 相似文献
76.
经典物理学告诉我们:给定系统的初始状态,它未来所有状态都可解出.拉普拉斯精辟地将这一认识表述为"智者只要能洞悉支配自然的所有的力及其构件状况,并且他的智慧足以对所有这些数据加以分析,那么对他而言一切没有不确定性,未来如同过去一样历历在目".但现实中人们不可能完全精确确定初始条件.多年来人们默认:从近似的初始信息可以得到近似正确的终态结果.
1963年麻省理工学院气象学家Lorenz发表的论文及其他学者的研究成果显示,尽管上述确定性的预言在直观上似乎很有通理,但实际上并不正确.对绝大多数系统而言,初始状态中一个小的不精确性会导致系统结果的根本不同,这标志着确定论的终结. 相似文献
77.
利用金刚石压腔结合拉曼光谱分析技术,研究了文石在18~388 ℃,71~2 014 MPa,以及方解石在19~351 ℃,96~1 823 MPa条件下的拉曼光谱特征,并得到文石和方解石的拉曼位移与温度、 压力三者之间的关系式。研究结果表明,文石和方解石的拉曼位移随温度压力的变化规律相似,都随压力升高向高频移动,除文石的704 cm-1外均随温度升高向低频移动。二者的晶格振动νi/T值均大于[CO3]基团内振动的值,说明CaO6八面体的热膨胀性大于[CO3]基团的热膨胀性。二者的对称伸缩振动ν/T及ν/P值不同,由于该振动拉曼位移和C—O键的键长有关,方解石的C—O键的热膨胀性比文石小而可压缩性比文石大。另外升温升压过程中文石和方解石可以相互转化,伴随该过程发生的[CO3]基团旋转变形等动力学因素也可以造成二者νi/T和νi/P值差异。 相似文献
78.
79.
传统磁镊的测量精度受限于磁球的布朗涨落, 当磁力小于约10 pN时, 磁球的布朗涨落明显增大, 对应磁镊的空间分辨率显著下降. 为了提高传统磁镊在小力条件下的测量精度, 本文将全内反射荧光技术引入到磁镊技术中, 并建立相适应的“磁球-手柄-荧光微球-待测生物分子”单分子连接系统, 在小力条件下(小于10 pN)获得纳米量级的测量精度. 应用改进的磁镊对DNA发卡的折叠-去折叠态的转变过程进行了研究, 依据DNA发卡的折叠-去折叠态转变的性质对全内反射场的穿透深度进行了校正, 并结合实验结果对改进后的磁镊的测量精度进行分析. 观察了Bloom解旋酶的解旋动力学过程, 获得初步实验结果, 证实了改进的磁镊在单分子研究中的实用性.
关键词:
磁镊
全内反射荧光
DNA发卡
解旋酶 相似文献
80.
Performance enhancement of an InGaN light-emitting diode with an AIGaN/InGaN superlattice electron-blocking layer 下载免费PDF全文
The efficiency enhancement of an InGaN light-emitting diode (LED) with an A1GaN/InGaN superlattice (SL) electron-blocking layer (EBL) is studied numerically, which involves the light-current performance curve, internal quan- tum efficiency electrostatic field band wavefunction, energy band diagram carrier concentration, electron current density, and radiative recombination rate. The simulation results indicate that the LED with an A1GaN/InGaN SL EBL has better optical performance than the LED with a conventional rectangular A1GaN EBL or a normal A1GaN/GaN SL EBL because of the appropriately modified energy band diagram, which is favorable ibr the injection of holes and confinement of elec- trons. Additionally, the efficiency droop of the LED with an AIGaN/InGaN SL EBL is markedly improved by reducing the polarization field in the active region. 相似文献