用X射线光电子能谱确定2KIO_3·HCl晶体的化学结构

一、引 言 碘酸盐晶体作为非线性光学材料引起人们广泛的关注[1-4];因2KIO3·HCl晶体有其特殊的倍频效应和压电效应,所以被人们用来作为非线性光学和压电材料应用的研究.然而对其结构的研究至今未公开报道,在研究该晶体的生长中,文献[5]曾把它的化学结构式写为KIO3·KCl·HIO3,显然这种结构式表达了晶体中存在不等同晶格位的K和I原子. 人们知道,近年发展起来的X射线光电子能谱(XPS)广泛用于化合物结构的研究中,其化学位移效应用于区分固体物质中处于不等同晶格位的给定元素的原子,这已成为该技术的基本功能之一[6,7].为此,我们对2K…     

隶首薪传——纪念明代数学家程大位逝世三百八十周年

程大位字汝思,号宾渠,生于明嘉靖十二年(1533);卒年遍查有关程氏的资料均无记载。一九六六年笔者随同祁门胡述五先生二访程氏后裔,始从其家藏《先人忌辰簿》中查得力明万历三十四年(1606)。程氏系安徽省休宁县率口人。率口今为安徽省屯溪市前园村。其故居庄前园村四号,至今尚存。按率口程氏系一大族,据     

我們怎样裝置光電效应演示實验儀

在物理教学中需要光電效應演示實驗儀器,但目前物理儀器製造厂还沒有這樣成套的仪器大量供應,若仅用一光電管和一電池組相串聯來作光電效應的演示,那必須聯接一個0到50微安培的安培計才能顯示出來,這樣的安培计,一時較难找到,同時僅能供十餘個同学进行觀察,在課堂演示是不適宜的。我们為了使同学從直觀中,認識到光被物質所吸收而能發射電子,並從這個演示實驗中,使同學加强對斯托列托夫定律“光電流的强度与照射在金属圆板上的光流量成正比”的瞭解。使他們進一步知道光電效應現象已廣泛地獲得技術上的應用,如自動控制、關門、     

多齿配体吡啶-2,6-双酰胺对Cr(Ⅲ)和Zn(Ⅱ)离子光谱识别性能研究

以吡啶-2,6-二甲酸为原料,通过酯化和酰胺化反应制备得到多齿配体吡啶-2,6-二[N-(1’-甲基-2’-羟乙基)酰胺],并利用紫外-可见光谱分析方法研究了该配体对于重金属Cr~(3+)和Zn~(2+)离子识别性能。结果表明,该配体对于重金属Cr~(3+)和Zn~(2+)离子具有较高的选择性识别能力,并且不受其他金属离子的干扰。     

单晶铜中的类层错四面体稳定性

层错四面体作为受核辐照作用金属材料中一类常见的三维缺陷,会极大的改变材料塑性变形行为。本文借助分子静力学和分子动力学方法,针对不同构型、不同尺寸的类层错四面体,考察了不同形状空位团簇演化为类层错四面体的位错反应机理和形成能变化趋势,研究了类层错四面体附近空位形成能分布特征和最小空位形成能随类层错四面体尺寸增大的变化规律,分析了含不同构型、不同尺寸的类层错四面体铜单晶体的微观变形机理和单晶体屈服应力随类层错四面体尺寸增大的变化规律。研究发现：类层错四面体通过Silcox-Hirsch机制形成,且经历了空位团簇坍塌、Frank位错环分解和Shockley位错交汇形成层错四面体棱边三个过程;类层错四面体附近最小空位形成能随着类层错四面体尺寸变化而变化,且变化趋势与类层错四面体构型在稳态、亚稳态和非稳态之间过渡相关,稳态无尖端类层错四面体的最小空位形成能变化趋势表现出明显的尺寸效应;剪切会导致含类层错四面体铜单晶体产生两类层错四面体位错开动模式,即：斜面Shockley偏位错滑移和层错四面体底面压杆位错分解,且含类层错四面体的单晶体屈服应力基本上随着类层错四面体尺寸增大而逐渐减小。     

有机化合物的化学发光分析

本文综述了化学发光反应测定有机化合物的几种主要类型,简单介绍了液相化学发光反应在环境保护、临床医学、制药工业,农药、有机合成、微生物以及薄层色谱、高效液相色谱方面的分析应用。     

物理学与医学

物理学的原理与方法应用于医学由来已久．近代物理学的发展,为现代医学开辟了广阔的道路．物理学和医学的融合,形成一门新兴的学科医学物理学（ＭｅｄｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ）,它作为一门学科在国际上出现,还是二十世纪五十年代以后的事情．在五十年代以前,各国约有不少学者进行了一些有关物理学应用于生物体的研究与探讨,不限于物理学用于研究人体的生理、病理与医疗者方面．国际上并没有作为一种专业性学科而?..     

尼龙-6和尼龙-6合金的球晶结构与破坏性能的研究

成型冷却速度即结晶速度对单纯尼龙 ６和尼龙 ６合金的拉伸破坏性能具有不同的影响．结晶速度慢，球晶尺寸大，单纯尼龙 ６的拉伸破坏强度高，破坏形变和破坏能量减小；尼龙 ６／热塑性聚酰胺弹性体／增容剂合金不仅拉伸破坏强度高，而且破坏形变和破坏能量都有所增加．研究表明，虽然球晶尺寸影响尼龙 ６的破坏性能，但球晶的性质即球晶的界面上和片晶 片晶间的非晶部分结构、微小分散粒子的空洞化及相与相之间的界面结合强度是影响尼龙 ６破坏性能的主要因素．