芳纶增强MXene-聚丙烯酸-无定型碳酸钙复合水凝胶的制备及性能

传统水凝胶存在机械性能和可加工性差的缺点,本研究制备了芳纶增强MXene-聚丙烯酸-无定型碳酸钙(ANF/MXene-PAA-ACC)复合水凝胶,并研究了其相关力学与物理性能。首先,通过氟化锂和盐酸刻蚀法,结合超声剥离工艺制备了二维MXene单层纳米片,将其应用到PAA-ACC复合水凝胶中。为了提高MXene-PAA-ACC的力学性能,进一步通过加入芳纶,制备了ANF/MXene-PAA-ACC复合水凝胶。采用扫描电镜和万能力学试验机对复合水凝胶的表观形貌、力学性能、自修复和粘附性等物理性能进行了表征和测试。结果表明：与PAA-ACC水凝胶相比,ANF/MXene-PAA-ACC水凝胶的可加工性、力学性能、粘附性、自修复性都得到了提高。     

侧向微结构宽脊波导分布反馈1.06μm半导体激光器

为了改善宽脊波导半导体激光器侧模特性和光谱特性,提出了一种具有侧向微结构脊波导和高阶脊表面光栅的分布反馈半导体激光器.该激光器在宽脊波导的两侧刻蚀微结构区,基于各阶侧模光场分布不同的特性,增大了谐振腔内基侧模与高阶侧模的损耗差,消除了远场光斑"多瓣"现象并且输出功率有所提升;同时,借助高阶脊表面光栅,器件的线宽得到了进...     

Se和SeO2在O2/CaO (001)表面吸附反应的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理和平板模型构造了最稳定的O₂/CaO（001）表面,通过优化Se和SeO₂在此表面可能的初始吸附结构得到最佳吸附构型,分析了Se原子在O₂/CaO（001）表面向SeO₂的转化。结果表明,Se原子在O₂/CaO（001）表面的稳定吸附构型主要有两种,即O-Se-O和O-O-Se基团,其中,O-O-Se基团的Se终端具有一定化学活性;Se在O₂/CaO（001）表面向SeO₂转化所需反应能垒小于均相条件下生成SeO₂所需反应能垒,表明CaO不仅作为吸附剂,也能促进Se向SeO₂的转化;SeO₂分子在O₂/CaO（001）表面发生化学吸附时,吸附基底的部分价电子转移至SeO₂分子轨道中。     

II-VI族稀磁半导体微纳结构中的激子磁极化子及其发光

自旋是基本粒子（电子、光子）角动量的内在形式.固体中体现自旋特征的集体电子行为如拓扑绝缘体等是当前凝聚态物理领域关注的焦点,是基态行为.激子作为电子空穴对的激发态且寿命很短,可复合发光,它是否能体现自旋极化主导的行为?对此人们的认识远不如针对基态的电子.激子磁极化子（exciton magnetic polaron,EMP）是由磁性半导体微结构中铁磁自旋耦合态与自由激子相互作用形成的复合元激发,但其研究很有限.本文概述了我们在稀磁半导体微纳米结构中的EMP及其发光动态学光谱、自旋极化激子凝聚态的形成方面取得的一些进展,展望了未来可能在自旋光电子器件、磁控激光、光致磁性等量子技术方面的潜在应用.     

ZnO薄膜光催化亲水防雾

以普通钠钙载玻片为基片,采用溶胶一凝胶法制备了ZnO薄膜。XRD结果表明薄膜C轴取向明显,SEM显示颗粒大小为20nm左右,紫外可见光测定说明薄膜在可见光区域透光率基本为86%左右,透光率好,而接触角实验结果表明紫外照射ZnO薄膜30min,水滴能完全在薄膜上铺展,接触角为0°,具有很好     

Polya模型的推广

Ｐｏｌｙａ模型的推广邹国华，刘新建（中国科学院系统科学研究所）在实际生活中）我们常常采用抽签法，如抽取电影票以及体育比赛中的抽签等。我们也知道，先抽与后抽的效果是一样的，这即是下述性质的一个特例：如果一个箱子中装有ｂ个黑球，，个红球，则不论是采取放回...     

几种超氧化物歧化酶测活方法灵敏度的研究

比较了黄嘌呤氧化酶－ＮＢＴ法、改良的邻苯三酚自氧化法、经典的邻苯三酚自氧化法、ＮＢＴ光还原法、肾上腺素自氧化法等５种ＳＯＤ测活方法的灵敏度及某些因素对灵敏度的影响．结果表明：黄嘌呤氧化酶－ＮＢＴ法灵敏度较高；Ｏ－·２的生成速率对这些方法的灵敏度有较大的影响     

铌钼杂多酸-丁基罗丹明B-PVA体系光度法测定微量铌的研究

还原妮铝或泥磷钥杂多酸的相蓝光度法测定泥已有报道〔1],但还原条件较严,铝蓝稳定性较差。钥蓝与罗丹明B缔合的光度法,可提高测定灵敏度,上述不足仍未解决图。妮钥酸根与唆嚓类染料     

二值响应变量拟似然方程解的相合性

当{xi}有界及μ满足一定条件时，二值响应变量拟似然方程的解为真参数β0的相合估计．人们努力想把结果推广到{xi}无界的情形，迄今并未取得多少有意义的结果．本文通过构造正反3个例子指出：这个结论不可能以任何有一定普遍意义的形式推广到无界的情形．     

半导体的CO_2激光退火和合金化

本文主要研究连续CO_2激光对半导体的照射效应。实验结果与理论分析说明,用连续CO_2激光照射可将半导体样片加热到所需的温度。与其它短波长的激光不同,波长为10.6μm的连续CO_2激光照射半导体有如下特点:CO_2激光是借助于自由载流子吸收与半导体耦合;样片在深度方向被均匀加热;激光背面照射可以增强退火效果。连续CO_2激光照射可以固相外延再生长的方式使As离子注入Si的损伤层退火恢复。在再生长的过程中注入的As离子进入替位,电激活率很高,而且不发生杂质再分布。将连续CO_2激光背面照射成功地应用于GaAsFET制备欧姆接触,既可避免激光正面照射对器件结构的破坏,又能得到比热退火为好的电学性能。