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831.
An epithelial cell line was established from the leg skin of a patient with palatine carcinoma. On the basis of the studies of biological characteristics, such as rapid cell growth, neoplastic morphology, a large group B marker chromosome, the ability of the transplanted cells to produce tumor nodes in Wistar newborn rat, the cell possessing the structure of low differentiated squamous carcinoma and skin-like tissue, etc., we conclude that the PeaSE-1 cell line is an abnormal epithelium cell line. 相似文献
832.
833.
本文研究了不同能量(5—600keV)和不同剂量(10~(14)-10~(16)atom/cm~2)下的P_2~+和P~+注入〈100〉单晶硅后的损伤及退火行为。实验结果表明,P_2~+注入所产生的损伤总是大于P~+注入所产生的损伤。由移位效率之比N_D~*(mol)/2N_D~*(atom)所表征的分子效应随入射能量的改变而变化并在100keV(P_2~+),50keV(P~+)处达到极大值。P_2~+与P~+注入的样品,退火后的载流子分布也有某些区别。我们认为,产生这些分子效应的基本原因是位移尖峰效应,但当入射离子的能量较高时,还应该考虑离子、靶原子之间的多体碰撞效应的贡献。 相似文献
834.
835.
全自动装箱机的研制(Ⅰ):控制系统设计 总被引:2,自引:2,他引:0
提出了全自动装箱机的设计方案,并从电路,气中和软件等方面具体介绍了控制系统的设计。 相似文献
836.
采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在高功率密度、高氢稀释比、低温、偏压及低反应气压的条件下,在衬底表面形成双等离子流,增加了衬底表面SiC的成核概率,增强成核作用,形成纳米晶.采用高H2等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶Si—C及Si—Si和Si—H等键时,由于H等离子体对纳米SiC晶粒与非晶态键的差异刻蚀作用,产生自组织生长,发生晶化.Raman光谱和透射电子衍射(TEM)的测试结果表明,纳米晶SiC是4HSiC多型结构.电子显微照片表明平均粒径为16nm,形状为微柱体.实验结果指出,SiC纳米晶的形成必须经过偏压预处理成核,并且其晶化存在一个功率密度阈值;当低于这一功率密度阈值时,晶化消失;当超过这一阈值时,纳米晶含量随功率密度的提高而增加.随着晶化作用的加强,电导率增加.
关键词:
4H-SiC
PECVD
纳米结构
多型薄膜
纳米电子学 相似文献
837.
838.
本文用流体动力学方法证明自由表面的喷溅现象,是冲击波在自由表面卸载的结果。文中推导出计算喷溅速度的公式,并且寻到Pb材料的卸载度-压力曲线和Al材料的卸载度等于0.41。理论结果和国内外实验结果基本符合。 相似文献
839.
邹兴德 《数学的实践与认识》1983,(4)
<正> 由于古典的高维数值积分方法(如高斯法等,见[10])的精度随着维数 s 增加而迅速地下降,运算量却迅速地上升.因此,对高维数值积分来说,确定性的方法实际上已根本不能使用.所以,用 Monte Carlo 方法(简记为 MC 法)求高维数值积分,在50年代中期已为许多 MC 研究者们所研究.但是运算量大、精度低的问题并未取得明显进展.即使简单 MC 法(简记为 SMC 法)的误差阶为 相似文献
840.
从一例临床诊断为硬腭癌病人的大腿皮肤建立了一个上皮细胞系.该细胞系已在体外繁殖传代二年以上,命名为PcaSE-1细胞系.根据细胞在瓶中的生长特性、大B标记染色体的持续出现、电镜观察以及异种移植等结果,证实PcaSE-1细胞为一个异常的上皮细胞系.PcaSE-1细胞接种于免疫的Wistar大鼠新生乳鼠皮下所形成之结节,一部分病理诊断为低分化鳞癌细胞,另一部分细胞形成类皮肤样组织结构,病理诊断为角化鳞状上皮。 相似文献