低压涡轮内部流动及其气动设计研究进展

随着高空无人飞行器研究的不断升温, 高空低雷诺数条件下动力装置的研究越来越受到人们的重视.结合近年来国内外相关领域的研究工作, 对低雷诺数低压涡轮内部复杂流动机理的研究进展进行了介绍, 包括低雷诺数情况下低压涡轮内部非定常流动的特点, 叶片边界层分离及转捩现象机理, 上游周期性尾迹与下游叶片边界层相互作用机理等. 在此基础上给出了适合低雷诺数条件的低压涡轮气动设计方法:尾迹通过与边界层的相互作用, 能够抑制分离, 进而减小叶型损失, 在气动设计中有效引入非定常效应可以大幅度提高低压涡轮的气动负荷或降低气动损失, 最终达到提高性能的目的;数值及实验结果验证了这种设计方法的有效性.      

二维矢量边界推进非结构网格生成方法

提出二维矢量边界推进生成非结构三角形网格方法并证明其可行性.根据流场边界尺度布置边界节点并运用矢量边界推进方法生成背景网格,运用符号面积函数和概率筛选方法布置初始点阵,提出Spring-Laplace方法优化节点位置,同时利用边交换技术优化网格结构.该方法可包含任意点源、线源和内嵌边界,可自由进行局部自适应加密或稀疏,实现任意平面域内与尺度要求一致的高效光滑三角网格剖分.     

Synthesis and Molecular Structure of (E)-1-(Morpholino)-2-(thiomethyl)-2-phenylvinylphosphonate

1 INTRODUCTION Phosphorus-containing vinyl compounds havebeen widely studied due to their versatile physiolo-gical activities and applications in transition metalchemistry, asymmetric catalysis and photorearrange-ment[1～4]. In our previous papers, we have reportedthe syntheses of 2,2,4,5-tetrasubstituted-1,3-dithio-les[5] and 2,5-bis(morpholino)-3,4-bis-(p-chloro-phe-nyl)thiophenes[6] by the reactions of α-thioaroyl-thiofor-mamide with trimethyl phosphite at room tempera-ture and in refl…     

利用光学生物传感器研究阿霉素与人血清白蛋白的相互作用

用IAsys光生物传感器研究了阿霉素以及阿霉素铁配合物与人血清白蛋白的相互作用．求出了五个不同温度下．结合和解离的动力学平衡常数,并且对阿霉素与人血清白蛋白相互作用的热力学进行了研究,结果表明：随温度的升高,阿霉素与人血清白蛋白的结合作用逐渐增强,说明温度升高有利于结合反应的进行;相同温度下,阿霉素铁配合物与人血清白蛋白结合的平衡常数是阿霉素与该蛋白结合常数的7倍．阿霉素与人血清白蛋白的结合过程是一个吸热的熵驱动的过程,水分子重组在结合过程中起了重要作用,它们之间的作用力主要为疏水作用力．     

管道热丝CVD金刚石膜反应器温度场的数值计算

在热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石膜的传统管道反应器中,对不同传热机制下管道壁温度场的空间分布进行了模拟计算.结果表明,管道壁温度场在纯热辐射机制作用下的分布很不均匀;在绝热和恒温的边界条件下考虑热传导作用后,管道壁温度分布的均匀性大大提高;进一步的热对流作用仅提高管道壁的总体温度,并不显著改变管道壁温度场的均匀性分布.     

尖海龙提取物抗癌作用的研究

制备尖海龙提取物,再将其分别作用于Hela,SK-RB-3细胞系,从细胞形态变化,细胞计数,集落形成率,细胞分裂指数变化观察体外药效,结果表明,尖海龙提取物可改变肿瘤的正常生活形态,又可显著抑制肿瘤细胞的增殖,降低集落形成率,减少分裂指数,从而证实尖海龙提取物具有抗癌活性,其在癌症的治疗与预防方面具有实用价值。     

量纲分析的线性代数方法

把量纲概念与矢量空间联系起来,提出用线性代数进行量纲分析的方法,并举例说明。     

锰取代血红蛋白的制备及其类酶活性的研究

将Mn-原卟啉Ⅸ与脱辅基血红蛋白重组得到Mn取代Fe的重组血红蛋白，用紫外-可见光谱法和SDS-PAGE电泳法对Mn取代的血红蛋白进行了鉴定．检测了血红蛋白和Mn取代的血红蛋白的过氧化物酶活性和过氧化氢酶活性．研究发现，Mn取代的血红蛋白的过氧化物酶活性是血红蛋白的70％，过氧化氢酶活性约是血红蛋白的1．9倍．     

Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation

Deep submicron n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (NMOSFETs) with shallow trench isolation (STI) are exposed to ionizing dose radiation under different bias conditions.The total ionizing dose radiation induced subthreshold leakage current increase and the hump effect under four different irradiation bias conditions including the worst case (ON bias) for the transistors are discussed.The high electric fields at the corners are partly responsible for the subthreshold hump effect.Charge trapped in the isolation oxide,particularly at the Si/SiO 2 interface along the sidewalls of the trench oxide creates a leakage path,which becomes a dominant contributor to the offstate drain-to-source leakage current in the NMOSFET.Non-uniform charge distribution is introduced into a threedimensional (3D) simulation.Good agreement between experimental and simulation results is demonstrated.We find that the electric field distribution along with the STI sidewall is important for the radiation effect under different bias conditions.     

激光辐照VO2薄膜温度场分布及透射特性研究

为了探究VO₂薄膜受激光辐照的温度场分布,以及1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的激光功率密度阈值,并比较近红外和中红外波段透过率调制特性差异。首先基于COMSOL建立了薄膜受激光辐照的模型并进行了温度场仿真,然后分别测试了薄膜正反面被不同功率密度的1 064 nm激光辐照100 s内激光透过率随时间响应特性。实验中的VO₂薄膜利用分子束外延法在Al₂O₃基底上制备得到。仿真结果表明,激光功率密度为25 W·mm^-2时,50 nm厚薄膜在被辐照1 ms时间内即达到相变温度。经激光辐照实验发现:50 nm厚的VO₂薄膜正反面受1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的功率密度阈值分别为4.1 W·mm^-2和5.39 W·mm^-2。30 nm厚VO₂薄膜对1 064 nmn激光的透过率调制深度约为13%,对3 459 nm激光透过率调制深度约62%,说明VO₂薄膜对近红外透过率调制特性不明显。