基于特征值方法的旋翼尾迹稳定性分析

给出一个旋翼尾迹线性化稳定性分析的方法.在该方法中,尾迹涡线被离散为直线涡段,尾迹的扰动归结为涡元端点的扰动,考虑了桨尖涡的自诱导和涡线的互诱导以及桨尖涡与桨叶的实际干扰.使用该方法,分别以UH-1H和AH-1G模型旋翼为例,对悬停和前飞状态的旋翼尾迹的稳定性进行计算和分析.结果表明:旋翼尾迹运动存在大于0的特征值,是内在不稳定的,且最大发散率随波数变化呈现出一定规律性;前飞与悬停状态不同,其最大发散率减小,不稳定性减弱.     

沟槽型硅微结构中子探测器的蒙特卡罗模拟研究

采用蒙特卡罗模拟方法研究了微结构参数、填充致密度等因素对沟槽型微结构半导体中子探测器(MSND)性能的影响规律,并开展了沟槽型MSND的优化设计研究。研究表明,随着沟槽间距的增加,MSND的探测效率呈下降趋势;当沟槽间距固定时,存在最优的沟槽宽度使得探测效率最大化;沟槽深度越大,探测效率越高。沟槽宽度和沟槽间距为15μm和5μm是一对优化的参数组合,可保证较高的探测效率和较平稳的系统甄别阈-探测效率曲线。当系统甄别阈取300keV时,沟槽宽度、间距和深度分别为15,5μm和200μm时的MSND热中子本征探测效率可达37.77%,与平面探测器相比提高了9.2倍;对137 Cs源662keV伽马射线的中子-伽马射线甄别比可达4.1×103,与平面探测器相比提高了23.7倍。本工作从理论上证明了MSND可解决传统平面型半导体中子探测器探测效率低的难题,同时可保持半导体探测器中子-伽马射线甄别容易的特点。     

激光辐照VO2薄膜温度场分布及透射特性研究

为了探究VO₂薄膜受激光辐照的温度场分布,以及1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的激光功率密度阈值,并比较近红外和中红外波段透过率调制特性差异。首先基于COMSOL建立了薄膜受激光辐照的模型并进行了温度场仿真,然后分别测试了薄膜正反面被不同功率密度的1 064 nm激光辐照100 s内激光透过率随时间响应特性。实验中的VO₂薄膜利用分子束外延法在Al₂O₃基底上制备得到。仿真结果表明,激光功率密度为25 W·mm^-2时,50 nm厚薄膜在被辐照1 ms时间内即达到相变温度。经激光辐照实验发现:50 nm厚的VO₂薄膜正反面受1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的功率密度阈值分别为4.1 W·mm^-2和5.39 W·mm^-2。30 nm厚VO₂薄膜对1 064 nmn激光的透过率调制深度约为13%,对3 459 nm激光透过率调制深度约62%,说明VO₂薄膜对近红外透过率调制特性不明显。     

N-羟基邻苯二甲酰亚胺与8-羟基喹啉氧钒(Ⅳ)配合物协同催化分子氧氧化乙苯

研究了钒化合物对N-羟基邻苯二甲酰亚胺(NHPI)催化分子氧氧化乙苯反应中的调变效应.结果表明,由8-羟基喹啉及其衍生物与乙酰丙酮氧钒(Ⅳ)配位制得的8-羟基喹啉氧钒(Ⅳ)配合物的催化活性比乙酰丙酮氧钒(Ⅳ),NH4VO3和V2O5的高.在优化的反应条件下,乙苯转化率和苯乙酮选择性可分别达60％～69％和97％.基于液...     

博莱霉素切割DNA反应的定量测定及其影响因素

用硫代巴比妥酸反应分析了博莱霉素 Ａ５ （ Ｂ Ｌ Ｍ Ａ５ ）对 Ｄ Ｎ Ａ 的断裂作用在 Ｆｅ２＋ 和 Ｏ２存在下, Ｂ Ｌ Ｍ Ａ５能导致 Ｄ Ｎ Ａ 链断裂研究了一些因素对 Ｂ Ｌ Ｍ Ａ５ 催化 Ｄ Ｎ Ａ 断链反应的影响,设计并建立了 Ｂ Ｌ Ｍ Ａ５ 切割 Ｄ Ｎ Ａ 反应的定量测定方法,并测得 Ｋｍ 约为１５３ μｍ ｏｌ· Ｌ－ １, Ｖｍ ａｘ 约为００４６ Ａ５３２ｎｍ Ｕｎｉｔ·ｓ－ １      

玻璃着色技术讲座 第五讲

<正> 八、玻璃制品的着色各种玻璃制品,往往根据人们的需要着成不同的颜色。但对于某些技术玻璃而言,还要求有特定的光谱性能。例如,某些装药品的安瓿玻璃,要求有吸紫外性能;而做为大型建筑物中的窗玻璃,则要求有一定的吸热本领。当     

彩色电视屏用光敏磷光体粉浆的研磨条件

美国电化学学会第145次会议文章摘要中,有53篇和发光材料、显示器件有关。我们从中选译了一部份,陆续刊登以供参考。这次刊出的是和彩色电视有关的文章摘要,参考资料目录一律从略。     

Strongly Correlated Effect in TiS2

The thermoelectric compound TiS2 is studied by using the full-potential linearized augmented plane-wave method on the density functional theory with the generalized gradient approximation （GGA） as well as the on-site Coulomb interaction correction （＋U）. The Seebeck coefficient of TiS2 is calculated based on the electronic structure obtained within the GGA under the consideration of the on-site Coulomb interaction. The calculated Seebeck coefficient at 300K shows that Coulomb interaction U in the range of 4.97-5.42eV is important to reproduce the experimental data. The obtained energy gap Eg around 0.05 eV indicates that TiS2 is an indirect narrow-gap semiconductor.     

太赫兹波光子晶体光纤传输特性分析

利用矢量有限元法分析了太赫兹波光子晶体光纤单模截止频率和波导色散随光纤结构的变化特性．结果表明，太赫兹波光子晶体光纤的单模截止频率随着光纤空气孔占空比的变大而降低，零波导色散点频率随着空气孔占空比变大而增加，约束损耗随着空气孔的圈数增加而降低．