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61.
针对多声表面波传感器系统中各传感器信息读取时会产生通信碰撞的问题,提出了一种可实现防碰撞通信的新型声表面波温度传感器;通过分析声表面波温度传感器的回波脉冲信号,将沃尔什码作为编码内容实现了多声表面波温度传感器系统中各传感器的正交编码;将传感器对应的匹配信号与系统回波信号进行互相关运算,提取了系统中各传感器的感测温度信息,达到了防碰撞通信的目标;该传感器兼顾编码效率和加工工艺两方面要求,简化感测信息提取的复杂程度;仿真实验验证了上述理论的正确性。  相似文献   
62.
邢晓平  戴勇 《燃料化学学报》2011,39(12):907-911
以黄连木籽为原料,采用乙醇/异己烷两相不互溶溶剂对其进行萃取处理.考察了乙醇/异己烷体积比、萃取温度和萃取时间对萃取过程的影响.通过实验确定最佳的萃取条件为,黄连木仁粉50 g,乙醇异己烷总体积300 mL,乙醇/异己烷体积比为50∶50,萃取温度40℃,萃取时间30 min.在此条件下,黄连木籽油出油率达到99.5%...  相似文献   
63.
ON ASYMPTOTIC CRITERIA FOR A SECOND ORDER ELLIPTIC DIFFERENTIAL EQUATIONS   总被引:1,自引:0,他引:1  
In this paper, we present some new asymptotic results for a second order elliptic differential equations by using integral averaging and completing square technique.  相似文献   
64.
刘宝林 《光子学报》1996,25(5):434-438
本文指出在LP-MOCVD生长过程中,采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效地控制InGaAs/InP量子阱激光器的p-n结结位,给出了采用DEZn和H2S做掺杂源在InP材料中p型和n型杂质溶度和p-n结控制的条件,并研制出有源区阱层InGaAs与InP存在0.5%压缩应变量子阱激光器,这一结构LD实现室温脉冲激射,得到峰值功率为106mW以上,阈值电流密度为2.6kA/cm2.  相似文献   
65.
受控核聚变两大途径的对比与结合   总被引:6,自引:0,他引:6  
谭宝林 《物理》2002,31(3):159-161
目前人们探索受控核聚变主要是从两个方向着手:磁约束受控核聚变和惯性约束受控核聚变,但目前还无法判定到底哪一种途径更为可取,文章首先对这两种途径进行对比,指出各自的特点和困难,在此基础上提出了一种结构相对简单,成本相对较低的三轴六极磁镜系统设想,希望能将磁约束和惯性约束和惯性约束结合起来,以实现受控核聚变反应。  相似文献   
66.
本文提出一个根据垂直力作用下的影响綫函数直接求得水平力作用下的影响线函数的一般性的数学关系式,对于直角坐标系統中的空間体系,假如已知其在x方向单位移动力作用下的影响綫函数,根据这个数学关系亦可以直接求得y,x方向单独作用有单位移动力时的影响綫函数,这样我們就获得了水平和垂直力作用下的影响綫的相互轉换关系,  相似文献   
67.
本文主要考虑了一类逐段决定的风险模型的罚金函数.利用建立的积分一微分方程,我们得出了此类风险模型罚金函数期望的一般解.  相似文献   
68.
红外技术在最近二、三十年来得到了广泛的应用。首先是军事上的应用,这在一定程度上也推动了红外技术的发展。在民用方面,除了红外光谱学已经有了几十年的历史以外,其它方面的应用还不过只有十几年的历史。可是就在这短短的时期中,红外技术在工农业和科学技术的各部门中也已经获得了相当广泛的应用。其中有些已被证明是卓有成效的。另外一些虽然在目前看来还不太成熟,甚至还仅仅是处在探索性的阶段。但从其发展前途来看还是大为可观的。本文中所提到的一些应用,在整个红外技术的应用中,只是很小的一部分,只能看作是一些例子而已。  相似文献   
69.
数学归纳法证明中的项数问题550004贵阳市第六中学邢益民在中学数学中,用数学归纳法证明一类恒等式时,如下两个问题常常使学生的解题思路受阻.1当n=1时的项数例1  用教学归纳法证明(n+1)十(n+2)+(n十3)+…+3n=n(4n+1)(n∈N...  相似文献   
70.
在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251 Ω/□的薄层电阻. 关键词: AlGaN/GaN 结构 AlN/GaN超晶格 二维电子气 高电子迁移率晶体管  相似文献   
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