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961.
In this article, a new characterization of the closedness of the sum of two closed subspaces of a Hilbert space is established. 相似文献
962.
采用分离模型推导了铝合金筋板的循环弹塑性在蠕变全过程的应力-应变增量关系,并用塑性增量及蠕变理论分析了筋板在温度场及应力应变场作用下的热弹塑性-蠕变力学性质。将蠕变应变增量以初应变形式置入ANSYS隐式蠕变方程中,推导出包含初应力和初应变过程的Graham改进模型。用提出的Graham改进模型对四应力水平下的筋板蠕变实验数据进行拟合,并对比分析。结果表明,拟合结果能够较好地表征铝合金筋板在不同应力水平下不同蠕变阶段的蠕变特性,且对高应力水平的加速蠕变特性具有很好的适用性。同时,Graham改进模型和传统模型的有限元模拟预测结果进一步验证了在同一位置时改进模型的误差更小,拟合效果更好。 相似文献
963.
本文中, Owen 引入的经验似然方法被用于参数空间带不等式约束的两总体中位数的比较. 迄今为止, 还没有人研究过该问题. 这是因为, 在构造经验似然函数过程中所使用的辅助函数不是光滑函数, 因而不是凸函数, 从而使研究难度大大增加. 然而, 通过引入经验过程的办法, 本文很巧妙地解决了此问题. 根据经验过程, 本文证明了两中位数比较的经验似然比检验统计量的极限分布要么是单一的卡方分布, 要么是两个卡方分布的等权混合分布. 这一理论结果得到了模拟运算结果的有力支持. 相似文献
964.
介绍一些网络聚类算法及其基本原理,简述了其在生物信息学的应用。本文不是一个网络聚类算法的全面综述,只介绍这些网络聚类算法的基本思路,体会其数学建模的基本思想。 相似文献
965.
为探讨硒化壳聚糖对体外培养人早幼粒白血病细胞增殖的抑制作用,用SRB法和集落形成法检测了药物对细胞增殖的抑制作用,流式法检测了细胞周期阻断作用。结果表明,25、50、100mg/L硒化壳聚糖作用HL60细胞48h对细胞有增殖抑制作用(P〈0.01);50、100mg/L硒化壳聚糖作用细胞48h后,G0/G1期细胞数较对照组增加了14.9%-22.0%(P〈0.05),S期细胞减少了14.3%~20.1%(P〈0.05)。可见硒化壳聚糖对人早幼粒白血病细胞增殖具有抑制作用。 相似文献
966.
967.
指出Kretschmann模型的传统表面等离子共振公式在求解金属薄膜的参量时存在近似性,采用更为严密的薄膜光学理论,通过薄膜膜系的特征矩阵,得出表面等离子体共振衰减曲线.结果表明,表面等离子体共振近似理论与薄膜光学理论得到的共振角及反射率幅度存在差别;采用等高线图,给出了共振角差随着金属介电常量的变化规律.进一步的实验表明,薄膜光学理论所得模拟结果较表面等离子体共振近似理论与实验值吻合地更好,证明薄膜光学理论应用在表面等离子体共振效应要优于常用的近似理论.最后,采用两种理论对表面等离子体共振传感器进行优化设计,结果表明,两种理论所获得的高灵敏度分布区域差异较大,必须采用薄膜光学理论提供更精确的薄膜参量,来优化设计高灵敏度表面等离子体共振传感器. 相似文献
968.
采用有限元微磁学模拟方法研究了Co纳米线在不同外加恒磁场下磁矩的翻转过程.研究结果表明在直径为10 nm的Co纳米线内,经过一定的形核时间将在其一端形成一个反向磁畴.磁畴壁的类型为横向畴壁,该畴壁将在一外加恒定磁场的驱动下匀速地从一端运动到另一端.畴壁的运动速度与外加磁场大小呈线性关系.在H为1000 kA/m时,发现在纳米线的两端均会形成一个“头对头”的反向磁畴.计算结果表明,畴壁内磁矩的方向旋转一个周期所导致的畴壁运动的距离相同,与外加磁场强度无关.
关键词:
磁性纳米线
微磁学模拟
磁畴
横向畴壁 相似文献
969.
A boron nitride (BN)/silicon p-n heterojunction is fabricated by implanting beryllium (Be) ions into the BN films deposited by rf sputtering on n-type Si (111) substrates. The FTIR observations indicate that the films deposited have a mixed phase composition of 8p^2 - and sp^3 -hybridized BN. Considering the thickness of the BN layer, the ion implantation is conducted at an ion energy of 100keV with the dose of 5×10^15 cm^-2. After annealing at a high temperature, the surface resistance of the BN film decreases significantly by 6 orders down to 1.2×10^5Ω. Space-charge-limited current characteristic, which indicates the existence of shallow traps in the film, is observed. Current-voltage measurements across the BN film and the Si substrate reveal a clear rectification feature, demonstrating the achievement of p-type doping of BN films by Be ion implantation. 相似文献
970.