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51.
课本习题在帮助学生理解基础知识、掌握解题技能技巧,以及灵活运用知识解决各种具体问题等方面都有着十分重要的意义。因此重视课本习题,钻研课本习题,挖掘它们的智力因素,充分发挥课本习题的作用是非常必要的。本文举出一例,作为对这个问题的初步探。 相似文献
52.
对中等生若干思维特征的个案研究及教学对策山东省济宁教育学院哈家定我们常把学生分为优等生、中等生和差生,其中,中等生是大多数.研究中等生的思维特征,相应做出教学对策的探讨,是有现实意义的;抓好中等生的教学可以兼顾两头,有利于实现面向全体的教学、提高整体... 相似文献
53.
蒸汽循环发电系统的主要特征是不断排放大量低品位热能。缺水矿口电力生产的限制性条件是电站冷却大量用水。直接空冷系统(GEA系统)不适应机组向大容量的发展,水循环间接空冷系统(Heller系统)其热效率较低。本文以1000MW电站为参考,研究间接空冷系统,旨在寻求一种节能省水、经济效益显著的电站空冷系统方案设计。 相似文献
54.
55.
通过求解系统的Milburn方程,研究了两个二能级原子和单模场相互作用系统中原子间纠缠和贝尔不等式破坏随时间的演化特性,讨论了偶极相互作用、场与原子的失谐量对纠缠度以及贝尔不等式破坏的影响.结果表明:原子间偶极-偶极相互作用对纠缠度和贝尔不等式破坏有显著影响,失谐量增大会使两原子的纠缠度和贝尔不等式破坏变大,并且两原子所能达到稳定的纠缠受偶极相互作用系数与失谐量两者之差的影响.同时还发现两原子的纠缠与贝尔不等式破坏并不是单调的函数关系,很小的纠缠也可以产生贝尔不等式破坏.
关键词:
Milburn理论
偶极-偶极相互作用
失谐量
贝尔不等式破坏 相似文献
56.
针对电子器件的高效冷却问题,对自然循环回路系统内表面加工有方柱形微结构的硅片上FC-72的强化沸腾换热性能进行了实验研究.测试了两个芯片,其表面上的方柱形微结构的边长均为30μm,但高度分别为60 μm和200 μm.沸腾介质的过冷度设为10 K、25 K和35 K.随着壁面过热度的增加,微结构表面芯片上的热流密度急剧增加且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,这与其在池沸腾换热中的特点一样.但临界热流密度值与池沸腾情况相比有所降低. 相似文献
57.
A new one-dimensional phenomenological model based on the dynamic strain aging mechanism is developed. In order to account for the elastic shrinkage induced by the Portevin-Le Chatelier effect, elastic deformation is considered under the boundary conditions of the present model. The simulated results are found to be in good agreement with the experimental observations. 相似文献
58.
The electronic band structures of wurtzite GaN with Ga and N vacancy defects are investigated by means of the first-principles total energy calculations in the neutral charge state. Our results show that the band structures can be significantly modified by the Ga and N vacancies in the GaN samples. Generally, the width of the valence band is reduced and the band gap is enlarged. The defect-induced bands can be introduced in the band gap of GMV due to the Ga and N vacancies. Moreover, the GaN with high density of N vacancies becomes an indirect gap semiconductor. Three defect bands due to Ga vacancy defects are created within the band gap and near the top of the valence band. In contrast, the N vacancies introduce four defect bands within the band gap. One is in the vicinity of the top of the valence band, and the others are near the bottom of the conduction band. The physical origin of the defect bands and modification of the band structures due to the Ga and N vacancies are analysed in depth. 相似文献
59.
本文讨论了瞬态四波混频用于光振幅编码的可行性,给出了一种较好的求解耦合方程的数值方法。结果表明,四波混频系统可以构成一种高速编码变换器,为超短脉冲的高速编码提供了一种新手段。 相似文献
60.