γ—Mo2N和分子筛负载的钼氮化物的结构表征

采用程序升温氮化的方法制备了分子筛负载的钼氮化物催化剂,并用EXAFS方法研究了氮化前后Mo原子的局城配位情况．氮化前负载MoO3样品的径向结构函数中有三个峰,其中前两个嫁对应着最近的Mo-O配位壳层,但是第一个峰与第二个峰的比例比晶体MoO3中的比例大很多,表明分子筛负载的MoO3具有更露密的结构．氮化以后,Mo2N样品的径向结构函数中有三个峰,对应于一个Mo-N和两个Mo-N配位壳层,与面心立方模型符合得很好．根据XRD和EXAFS谱的计算表明,Mo2N中的N原子使Mo-Mo键拉长并削弱．分子筛负载的Mo2N样品具有与非负载Mo-N样品近似相同的径向结构函数,只是对应于Mo—N壳层的峰较弱,表明负载的Mo2N具有更大的结构无序性．     

讨论课中引入演示实验的尝试

大学物理教学改革使得讨论课越来越重要,为使讨论课更有成效,本提出了将物理演示实验引进大学物理讨论课课堂的设想,并介绍了将这一设想付诸实践的情况。     

用可见激光在聚(氨酯-酰亚胺)表面制备周期性亚微米结构

由于含有偶氮苯染料侧基,聚(氨酯-酰亚胺)(PUI)对532nm的光具有较强的吸收.采用该波长的可见偏振脉冲激光(Nd∶YAG激光器的倍频输出),在PUI薄膜表面制备了激光诱导周期性表面微结构(LIPSS).研究了染料引入方式以及染料侧基含量对微结构形成过程的影响,讨论了入射角、激光脉冲数、激光脉宽等激光辐射条件对LIPSS形成过程以及对微结构形貌和周期性的影响.     

基于统计的语音传输指数预测方法实验对比*

良好的言语可懂度是语言声厅堂声环境设计的重要目标,语音传输指数(STI)是言语可懂度的客观评价参量。在设计阶段就能对STI做出准确预测,对语言声厅堂的声环境控制具有重要意义。基于统计的STI预测方法是IEC 60268-16标准推荐的主要预测方法,但使用该方法时的影响因素以及预测精度,当前仍缺少系统性的实验对比研究。本文使用4个房间中13个测点共52种听音条件下的STI实测结果,分析了基于统计的STI预测方法的精度以及影响因素,结果表明：(1)考虑和不考虑直达声的两种预测方法,都存在着系统偏差,预测结果普遍小于实测值;在距离声源较近测点的预测都产生了较大误差,在距离声源较远测点的预测误差相对较小;(2)基于单指数衰变声场不考虑直达声的预测方法操作简单,但误差较大,52种听音条件的平均误差达到了-0.032,最大误差达到了-0.131;(3)考虑直达声的预测方法误差相对较小,52种听音条件的STI平均误差为-0.018,最大误差为-0.080;(4)预测精度主要受所使用的信噪比、扬声器的指向性、房间的声场条件等因素影响,并对这些因素的影响进行了对比分析。结果可为STI预测方法的使用者提供参考。     

基于空间编码结构光源的2 bit光控可编程太赫兹超表面

设计了一种可由空间编码结构光控制的多功能太赫兹超表面单元,该单元由嵌有光敏半导体材料的金属裂环-二氧化硅介质层-金属底板组成。超表面单元通过结构光源的编码控制光改变单元顶层金属裂环内嵌光敏半导体的电导率来模拟不同形状的C形环,实现了具有2 bit相位编码的光控超表面单元设计。将超表面单元组成阵列,通过编码结构光的空间分布进一步实现了角度可控的异常反射,并获得不同阶数的涡旋波束。所提出的基于空间编码结构光源的新型太赫兹超表面光控方式解决了现有光控超表面功能单一、加工难度大等问题,为光控可编程太赫兹超表面技术发展提供了新的思路。     

一种合成量子点的新方法

由于在光计算、光学信息处理等方词的潜在应用前景,半导体材料的光学非线性性质始终受到广泛关注。量子尺寸效应对半导体性能的影响引起了人们极大的兴趣。除了量子阱和超晶格结构外,在半导体的超微粒方面也进行了大量的研究。有关超微粒材料的四波混频,吸收谱带兰移、载流子弛豫及光学双稳态的实验结果已有报道。     

特高压输电线路V型绝缘子串动力学特性数值仿真研究

针对特高压输电线路使用的V型绝缘子串结构安全问题,用SAP2000软件对特高压输电线路V型绝缘子串串线耦合结构进行了动力学分析。首先,建立了基于索单元的两线一串等效有限元分析模型;其次探讨了绝缘子串的失效准则,提出了绝缘子串轴力和导线悬挂点位移是考量绝缘子串安全性的两个指标;然后,通过静力学分析研究了V型绝缘子串夹角变化对结构安全性的影响;最后用AR法生成随机脉动风场,通过风振响应分析研究了V型绝缘子夹角、风速、风攻角对绝缘子串最大轴力、导线最大张力和导线悬挂点的影响,指出了在设计绝缘子时应当综合考虑选取最优方案。本文研究结果为特高压输电线路V型绝缘子串结构安全设计与校核提供了分析依据和设计建议。     

锗硅缓冲双轴应变硅材料ε-Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)/Ge_xSi_(1-x)/C-Si内部残余应力的显微拉曼实验分析

应变硅技术是一种被称为延续摩尔定律的技术,是集成微电子技术的热点之一。本文以锗硅缓冲双轴应变硅材料(ε-Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)/Ge_xSi_(1-x)/C-Si)为研究对象,采用显微拉曼光谱技术,开展了该多层半导体异质结构内部残余应力的实验力学分析。这是面向多层结构残余应力与表/界面力学行为的多尺度实验力学分析,本文首先简述了该应变硅的制造工艺和超低粗糙度横截面样品的加工方法,并推导了针对锗硅合金拉曼-力学测量修正关系,进而对应变硅样品的表面和横截面进行了显微拉曼力学测量实验,给出了多层异质结构内部的残余应力分布,并以此为基础讨论了多层界面的力学行为。     

Investigation of the Periodic Microstructure Induced by a 355nm UV Polarized Laser on a Polyimide Surface

We investigate a periodic microstructure induced by a 355nm ultraviolet polarized laser on a polyimide surface and the dependence of the structures on laser parameters.Laser-induced periodic surface structures (LIPSS) of sub-micrometre size were generated on three kinds of polyimide films by a polarized Nd:YAG laser of 355nm within a wide range of laser fluence.The chemical structure of the polyimide,the film-making process,the number of laser pulses and the laser fluence greatly influenced the formation of LIPSS.The periodicity of LIPSS was decided by the wavelength,the incidence angle of the laser beam and the apparent refractive index of the material.     

Electron Field Emission of CNx Thin Films Prepared by Low Pressure Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

CNx thin films were prepared using low pressure plasma enhanced chemical vapour deposition,and then bombarded by low-energy N2^ .The compositions before and after N2^ bombardment were compared using x-ray photoelectron spectroscopy.The electron field emission characteristics of CNx thin films before and after N2^ bombardment were studied under the pressure of 10^-6pa.For the samples,the turn-on emission field decreased from 2.5V/μm to 1.2V/μm while the stable current density increased from 0.5mA/cm^2 to a value larger than 1mA/cm^2 before and after the bombardment.Our results illustrate that the field emission characteristics were improved after the bombardment of N2^ .