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Two Optical Feedback Schemes for Cavity Ring-down Technique for High Reflectivity Measurements
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An optical feedback cavity ring-down (OF-CRD) technique employing a continuous wave Fabry—Perot (F-P) diode laser is investigated for high reflectivity measurement. Two optical feedback (OF) schemes (linear and V-shaped cavity schemes) for the OF-CRD technique are compared in both wavelength and time domains. Due to the OF effect caused by retro-reflection of ring-down cavity back into the laser cavity, large resonance peaks appear in CRD signals in both the schemes. However, due to the differences in the strengths and spectra of the OF, the appearance frequencies and amplitudes of the peaks in the CRD signals in both schemes differ significantly. Simple and low-cost high reflectivity measurement apparatuses are established based on these two OF-CRD schemes and high-accuracy measurements of high reflectivity are experimentally achieved. 相似文献
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利用(NH4)2SiF6修饰大孔玻璃基底后, 在溶剂热条件下制备了SIFSIX-3-Ni膜, 并研究了温度和浓度对制备SIFSIX-3-Ni膜的影响. 能谱分析(XPS)结果表明大孔玻璃表面引入了氟元素. SIFSIX-3-Ni膜的粉末X射线衍射(PXRD)峰位置和模拟结果一致, 表明成功制备出SIFSIX-3-Ni膜. 从扫描电子显微镜(SEM)照片中观察到膜连续均匀, 厚度约为20 μm. 热重分析(TGA)结果表明, 活化前的膜没有客体分子. 单组分测试结果表明, 膜的H2, CO2和N2渗透量分别为6.83×10 -6, 7.42×10 -7和8.89×10 -7 mol·m -2·s -1·Pa -1, H2/CO2和H2/N2的理想分离比分别为9.20和7.68. 在连续测试5 h后, H2, CO2和N2渗透量基本保持不变, 表明SIFSIX-3-Ni膜具有很好的稳定性. 相似文献
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说话人识别技术是一项重要的生物特征识别技术。近年来,使用深度神经网络提取发声特征的说话人识别算法取得了突出成果。时延神经网络作为其中的典型代表之一已被证明具有出色的特征提取能力。为进一步提升识别准确率并节约计算资源,通过对现有的说话人识别算法进行研究,提出一种带有注意力机制的密集连接时延神经网络用于说话人识别。密集连接的网络结构在增强不同网络层之间的信息复用的同时能有效控制模型体积。通道注意力机制和帧注意力机制帮助网络聚焦于更关键的细节特征,使得通过统计池化提取出的说话人特征更具有代表性。实验结果表明,在VoxCeleb1测试数据集上取得了1.40%的等错误率(EER)和0.15的最小检测代价标准(DCF),证明了在说话人识别任务上的有效性。 相似文献
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五磷酸铈晶体中Ln3+对Ce3+发光强度的影响 总被引:4,自引:2,他引:2
采用蒸发溶液法生长出一系列Ce0.9Ln0.1P5O14晶体。研究了晶体中Ln3+对Ce3+发光强度的影响。观察到,La3+,Lu3+和Y3+起稀释作用,使Ce3+的发光强度降低;加入一定量的Pr3+或Gd3+能使Ce3+的发光增强;Nd3+,Sm3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+或Tm3+等离子与Ce3+的能级有重叠,它们之间存在着竞争吸收或能量转移,从而使Ce3+的发光减弱。本文发现Eu3+和Yb3+对Ce3+有严重的猝灭作用。 相似文献
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1 前言 近年来GaAs—AlGaAs双异质结(DH)激光器的惊人进展,是与晶体液相外延生长技术的改善分不开的。对充分利用异质结光电特微的DH激光器来说,很明显界质结介面的质量对器件的各种特性都有很大的影响。我们认为致使GaAs—AlGaAs异质结质量下降的最重要因素是因为混入了氧。AlGaAs中随着AlAs百分比的增加就 相似文献