纤维素快速降解并催化转化为5-羟甲基糠醛

采用类似室温离子液体的低温氯化锌熔盐为反应介质,在稀酸的催化下纤维素可快速降解为葡萄糖,而后通过补充二甲亚砜与不同的氯化物金属盐催化剂,可以实现葡萄糖转化为5-羟甲基糠醛, 并研究了其降解过程中的分子机制,探讨了不同金属催化剂的影响,最终得到的HMF的最大产率为53%．     

一种利用双发光区的有机红光电致发光器件

针对一般掺杂结构的红光有机电致发光器件效率随外加电压的增加而迅速下降。同时色度逐渐变差的特点,我们引入了在NPB层和Alq3层内同时掺杂DCJTB的具有双发光区的器件结构。制备的双发光区掺杂器件在驱动电压8—20V内发光效率只下降了4％;而色度从8V时的(x=0．6287,y=0．3663)变化到20V时的(x=0．6075,y=0．3841);器件的发光亮度从8V时的178cd／m^2变化到20V时的5962cd／m^2,具有较好的性能水平。观察到器件效率基本上不依赖于外加电压的变化而变化的特性,同时器件也保持一个比较好的色纯度,并对结果进行了分析。     

4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺掺杂MoOx作为空穴传输层对有机太阳电池性能的影响

通过采用4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺 (m-MTDATA)掺入MoO_x作为器件的空穴传输层来提高酞菁铜(CuPc)/C₆₀小分子 有机太阳电池的效率. 采用真空蒸镀的方法制备了一系列器件, 其中结构为铟锡氧化物 (ITO)/m-MTDATA:MoO_x(3:1)(30 nm)/CuPc(20 nm)/C₆₀(40 nm)/4,7-二苯 基-1,10-菲罗啉 (Bphen)(8 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(100 nm)的器件, 在AM1.5 (100 mW/cm²)模拟太阳光的照射条件下, 开路电压V_oc=0.40 V, 短路电流J_sc=6.59 mA/cm², 填充因子为0.55, 光电转换效率达1.46%, 比没有空穴传输层的器件ITO/CuPc(20 nm)/C₆₀(40 nm)/Bphen(8 nm)/LiF(0.8 nm)/Al(100 nm) 光电转换效率提高了38%. 研究表明, 加入m-MTDATA:MoO_x(3:1)(30 nm)空穴传输层减小了有机层和ITO电极之间的接触电阻, 从而减小了整个器件的串联电阻, 提高了器件的光电转换效率.     

柱前螯合反应-高效液相色谱法测定超痕量Fe(Ⅱ),Co(Ⅱ),Fe(Ⅲ)

以吡啶偶氮类螯合剂为配体同时测定多种金属离子的高效液相色谱法研究虽有报道^[1～3],但还未见应用4-(5-氯-2-吡啶偶氮)-1,3-二胺基苯(5-Cl-PADAB)为配体与重金属螯合并进行高效液相色谱分离的文献。本文试图用反相分离方式研究Fe(Ⅱ)、Co(Ⅱ)、Fe(Ⅲ)与5-Cl-PADAB螯合物的色谱保留行为并拟建立分离检测方法。研究结果表明,此方法能同时测定Fe(Ⅱ)、Co(Ⅱ)、Fe(Ⅲ),3种离子的检出限分别为4×10^-11、4×10^-11和2×10^-11g。该方法可用于矿样和天然水样分析,尤适于Fe(Ⅱ)、Fe(Ⅲ)的价态分析。     

毛细管电泳法筛选脱铁转铁蛋白的核酸适配体及筛选影响因素分析

核酸适配体是通过指数富集配体系统进化(SELEX)技术,在体外筛选获得的与目标分子有高亲和力与特异性的寡核苷酸序列。由于筛选过程周期长且影响因素复杂,使用常规筛选方法进行多因素影响的条件优化的工作量大,样品消耗多,目前还少有系统的研究报道。毛细管电泳(CE)具有高分辨率、快速分离、样品用量小、筛选成本低的优势,是核酸适配体筛选的有效方法。本研究以人血清中脱铁转铁蛋白(A-TF)为模式蛋白,利用CE方法研究核酸库长度、孵育温度、缓冲溶液的种类与pH值、金属离子等因素对靶蛋白与核酸库相互作用的影响。结果表明,较短序列的核酸库与靶蛋白的亲和力更高;孵育温度、缓冲液种类与pH值均影响靶蛋白与核酸复合物的形成;低浓度的K⁺、Ca²⁺与Mg²⁺可促进复合物形成。基于优化的筛选条件,经过3轮毛细管电泳法筛选,获得了A-TF的适配体Seq A3,采用CE-LIF测得复合物的亲和常数K_D=0.476μmol/L。此适配体可用于人血清基质中A-TF的识别。     

一堂优质力学课的教学探索

介绍了一堂初中物理新课程优质课"力、力的作用是相互的"教学活动有关做法及体会.     

过氧乙酸催化氧化亚硫酸钙的反应动力学

利用间歇式反应装置, 研究了过氧乙酸催化氧化亚硫酸钠的本征反应动力学, 得到各反应物的分级数及表观活化能. 在此基础上, 利用鼓泡式反应装置, 通过改变pH、亚硫酸钙浓度、过氧乙酸浓度、空气流量及温度, 研究了过氧乙酸催化氧化亚硫酸钙的宏观反应动力学.     

超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性

随着场效应晶体管(MOSFET)器件尺寸的进一步缩小和器件新结构的引入, 学术界和工业界对器件中热载流子注入(hot carrier injections, HCI)所引起的可靠性问题日益关注. 本文研究了超短沟道长度(L=30–150 nm)绝缘层上硅(silicon on insulator, SOI)场效应晶体管在HCI应力下的电学性能退化机理. 研究结果表明, 在超短沟道情况下, HCI 应力导致的退化随着沟道长度变小而减轻. 通过研究不同栅长器件的恢复特性可以看出, 该现象是由于随着沟道长度的减小, HCI应力下偏压温度不稳定性效应所占比例变大而导致的. 此外, 本文关于SOI器件中HCI应力导致的退化和器件栅长关系的结果与最近报道的鳍式场效晶体管(FinFET)中的结果相反. 因此, 在超短沟道情况下, SOI平面MOSFET器件有可能具有比FinFET器件更好的HCI可靠性.     

离子性指数、立体效应参数与膦类化合物31P NMR δP的关系

利用离子性指数(INI)和立体效应参数（α、β、γ）对100个膦化合物中磷原子进行结构表征，并与其核磁共振磷谱(³¹P NMR)建立了优良的定量构谱相关(QSSR)模型：δ_P=-163.695 3-1.003 1INI+34.632 7α+13.892 9β-3.331 7γ. 建模的计算值、留一法(Leave-One-Out, LOO)交互校验(Cross-Validation, CV)预测值的复相关系数(R)分别为0.976 5和0.973 9. 所建模型不仅在一定程度上阐明了膦类化合物³¹P NMR谱化学位移与其分子结构信息之间的关系，同时也提供了一种从理论上计算膦类化合物³¹P NMR谱化学位移的新方法，并对深入了解膦类化合物结构与性能的关系及解析、预测其³¹P NMR谱提供了一定的理论依据.     

初二年级

一、选择题1.下列因式分解正确的是( ). (A)4a2-4a-1=(2a-1)2 (B)x2-xy+1/4y2=(x-y/2)2 (C)2am+a2m=am(2+a2) (D)y2-1/8=(y+1/2)(y-1/2)2.下列多项式中,可以用平方差公式分解因