关于方程1/x+1/y=1/q的正整数解问题

这篇文章的作者是两位高中学生，结论优美，短小精干，实属难能可贵．数学通报热烈欢迎热爱数学的高中生踊跃投稿，数学通报愿为年轻的数学爱好者们通往神圣的数学殿堂搭桥铺路．     

工科物理实验“课题研究”教学模式的研究与实践

本介绍了我院大学物理实验室在实施“课题研究”教学模式方面所做的有益探索及在实施效果。     

硫脲修饰Cd掺杂ZnO水溶性量子点的制备及表征

在非水稀溶液中以聚乙烯吡咯烷酮K-30为稳定剂,硫脲为表面修饰剂,制备Cd掺杂ZnO水溶性量子点荧光体;同时研究了基质的优化及硫脲含量对ZnO量子点发光性能的影响,Eu和Li的共掺杂对ZnO:Cd量子点发光性能的影响.采用紫外光谱、荧光发射光谱、红外光谱和透射电镜、XRD对样品进行表征.结果表明:经Cd优化基质后、Eu和Li的共掺杂使量子点荧光强度明显增强;硫脲修饰后纳米颗粒分布更加均匀、晶粒更小、荧光光谱蓝移、量子点产率增加;该样品XRD衍射峰是馒头峰.属于无定形态;红外光谱图中因硫脲引起的NH2和C-NH2伸缩振动吸收峰分别为3189.0,1088.2 cm-1,硫脲修饰的最佳浓度大约为32 mg/mL.该量子点制备方法简单易行,具有较好的稳定性及高荧光量子效率,为进一步应用于生物标记奠定基础.     

电枢参数对电枢超导型高温超导电机性能的影响

高温超导材料存在背景磁场依赖性和各向异性的问题,针对超导感应电机采用双层绕组结构,提出了双重镜像法建立开口矩形槽内漏磁场垂直方向和水平方向的解析模型,利用该模型研究了超导线圈在传输不同电流情况下磁场分布规律,揭示了开口矩形槽电磁结构参数对槽内超导线圈所受表面磁场的影响规律。研究结果表明,适当增大槽宽尺寸可以有效降低超导线圈表面所受最大磁场,传输电流和线圈匝数均能够近乎线性增大超导线圈表面所受最大磁场。     

溶液还原法制备球形超细镍粉

超细镍粉由于表面活性高、导电性和导热性好而被广泛应用于化学催化剂、烧结活化剂、导电浆料门等方面．目前，制备超细镍粉的方法主要有问：真空蒸馏冷凝法、机械粉碎法、电解法、羰基镍热分解法、浆化氢还原法和溶液还原法等．在这些方法中，溶液还原法的工艺简单，所得粉末纯度高，颗粒尺寸小且分布均匀[3]．法国的Figlarz等[4]用弱有机还原剂乙二醇还原粒径小干0．1μm的Ni（OH）2。超细粉末，引入AgNO3。作为成核剂后，制得了粒径＜1μm的超细镍粉，但这种方法需长时间高温回流反应，对原料要求苛刻，且采用有机分散介质成本较高，…     

一种用于精制有机物的自动区熔提纯装置

自从Pfann在1952年首先发表了区域熔化的工作之后,这门技术不论在理论上与工艺上都得到了迅速的发展。尤其在半导体领域中,用区熔提纯方法来获得超纯材料,已应用得非常广泛。但是对于一般有机化合物的提纯,却还只在开始阶段。不过由于区熔提纯法本身所具有的优越性,可以预计,用区域熔化方法来提纯有机化合物,将会引起普遍的重视与广泛的应用。在国外,关于区熔提纯装置近年来已有较多的介绍,但其中大多比较复杂,难以迅速推广。由Knypl和     

Ce,Mn∶YAG单晶的生长及光学性能

采用提拉法生长了白光发光二极管(LED)用Ce,Mn∶YAG单晶,通过X射线衍射(XRD)测试、X射线吸收精细结构(XAFS)测试、吸收光谱和激发发射光谱对其晶相结构、掺杂Mn的价态和光谱特性进行了表征,并研究了晶片厚度及驱动电流的变化对LED器件光电性能的影响.在460 nm蓝光的激发下,Ce,Mn∶YAG单晶的发射光谱可由中心波长526和566 nm的宽带发射峰复合而成.XAFS测试结果表明,所得单晶中掺杂Mn的价态以正二价为主.由于Ce3+和Mn2+在YAG单晶中存在能量传递,荧光光谱中566 nm处的橙色发射峰对应于Mn2+离子4T1→6A1能级的辐射跃迁.     

弛豫对光磁共振实验的影响

研究了弛豫对光磁共振实验的影响,弛豫过程影响粒子的分布,进而影响光抽运信号以及光磁共振信号的观测,但是对g因子的测量几乎没有影响。本文的研究结果将会加深对光磁共振实验及仪器工作原理的认识。     

湿化学法合成纳米ZrB2粉末

本文利用ZrO2-B2O3-C体系中碳热还原的基本原理,分别使用正丙醇锆(Zr(OC3H7)4)、硼酸(H3BO3)和蔗糖(C12H22O11)为原料,采用溶胶-凝胶法合成了ZrB2纳米粉末。在实验设计过程中,首先使用化学修饰剂乙酰丙酮(acac)修饰Zr(OC3H7)4,目的是防止Zr(OC3H7)4的快速水解;其次,选用蔗糖作为碳源,是考虑到蔗糖热解时可以完全分解为碳,这样可以准确计算热解过程碳的生成量。结果表明:当起始原料nB/nZr=2.3、热解温度为1550℃时,通过溶胶-凝胶法可以成功合成单相ZrB2纳米粉末。分布均匀的颗粒形貌呈等轴状,平均尺寸约50 nm。     

溶液降温法生长硒酸氢铷(RHSe)晶体

本文测定了硒酸氢铷(RHSe)在水中的溶解度～温度曲线,并采用溶液降温法,克服了RHSe晶体生长时易漂晶、爬晶等不利因素,生长出大尺寸硒酸氢铷(RHSe)单晶.对晶体生长条件、生长形态以及晶体的宏观缺陷作了初步的探讨.