含对硝基偶所苯基团的侧链液晶高分子的合成及其光致变色性能研究

报道了新型的含对硝基偶氮苯基团的甲基丙烯酸酯单体与含介晶基团的甲基丙烯酸酯单体扔合成及其自由基共聚合，利用＾１Ｈ－ＮＭＲ，ＩＲ，ＵＶ－Ｖｉｓ，ＧＰＣ元素分析，ＤＴＡ及ＰＯＭ等手段对偶氮单体和聚合物进行了结构表征。证明两种单体的共聚合产物为无规共聚物，而且各聚合物在加热过程中均显示出明显的向列相液晶织构。     

长水波近似方程的多孤子解

利用直接而简单的齐次平衡方法，给出了长水波近似方程的多孤子解.本方法可进一步推广研究一大类非线性波动方程. 关键词：     

三链λ－DNA的UV，CD，Raman及荧光光谱分析

本文报道了λ－ＤＮＡ三链结构水溶液的ＵＶ，ＣＤ，荧光及Ｒａｍａｎ等光谱特性。比较该三链新结构与单，双链ＤＮＡ不同的光谱性质，确证了前者不同寻常的结构特征。     

高温超导体YBa2Cu3O7-δ中的元素替代效应

本文综合约20个 YBa₂Cu₃O_7-4的元素替代体系的实验结果,发现:正交晶体结构、氧含量、铜的氧化价态,以及金属-半导体(绝缘体)相变都只是决定Tc的表观因素;存在着CuO₂平面外和CuO₂平面内两类元素替代效应.提出:高温超导体的迁移载流子浓度和CuO₂平面内铜原子之间的动态、短程反铁磁关联程度是决定Tc的两个内禀因素.基于Bi系超导体中有关元素替代效应的实验事实,进一步提出上述结论对各种类型的高温氧化物超导体具有普遍性.     

级数sum from n=1 to ∞((1/n~2) e~(-(z~2/n~2))与Riemann Zeta函数

<正> Riemano Zeta函数的两个积分表达式,并同时得到函数方程的三个不同证明.     

哈密顿圈的H-变换

对求解流动售货员问题,S.Lin 设计了二线和三线调整法,在计算机上试算得到较好结果(见[1]).事实上,这种调整可以说是哈密顿圈的一种变换.本文研究哈密顿图中一切可能的变换,给出它的一般模式——哈密顿圈的 H- 变换,从而证明了哈密顿图中任一对哈密顿圈均可由 H-变换互相转化,并进而得到哈密顿图具有唯一哈密顿圈的充要条件。关于唯一哈密顿圈问题在国内外受到人们的一定注意,见[2],其极图性质见[3]、[4]。本文结果平行于 J.Abrham and A.Kotzig 关于欧拉迹的变换的工作(见[5])。     

锗酸铋(Bi_4Ge_3O_(12))单晶闪烁体

1965年,Nitsche[1]第一次拉成锗酸铋(以下简称BGO)单晶.然而把BGO单晶作为闪烁体来进行研究,其历史却还不到十年.1973年,Weber等人[2]首先用X射线激励,研究了它的发光机理和荧光特性.1977年,Cho等人[3]对 BGO和 Nal(TI)闪烁体用于探测低能核辐射进行了比较。指出:由于BGO具有较     

磷化镓的一种新汽相生长方法

制做Ⅲ—V族合化物广泛采用了汽相生长方法。大多数生长方法包括两个温度过程:(a)在高温区形成挥发性的化合物,(b)在低温梯度区的衬底上化合物进行沉积。 这篇短文讨论了仅在一个高温区汽相生长GaP的过程。这种方法也适用了像GaAs,GaAs1 -xPx等其他Ⅲ-V族化合物的生长。 图1示出了这种装置和温度分布的简图。与广泛采用的方法不同的是:沉积区的温度与镓源的温度是相同的。镓和磷被分别输运到反应管,直到沉积区之前不进行混合。在沉积区,GaCl与磷反应生成GaP。