阻挡层电容对ACu3Ti4O12巨介电性能的影响研究

用固相反应法成功地制备了ACu3Ti4O12(A=Ca,La,Y)系列陶瓷,在50-300K温区内测量了样品的介电性能,分析了交流电导与外场频率、温度的关系.发现在相同组分的CaCu3Ti4O12晶体中相对含量大于等于0.776时,样品的相对介电常数可达104;而A位上价态为3+的化合物La2/3Cu3Ti4O12和Y2/3Cu3Ti4O12相对介电常数仅为103.分析表明,样品中内部阻挡层电容数目的多少直接对ACu3Ti4O12的相对介电常数产生影响.电导与温度及频率的关系是由电子、声子与外场的共同作用决定的.     

磁控溅射法制备的CaCu3Ti4O12薄膜

采用溅射方法成功地制备了CaCu3Ti4O12薄膜,用原子力显微镜、x射线衍射(XRD)仪和LCR分析仪对样品进行形貌、物相结构和介电性质的研究.XRD表明,薄膜比块体的晶格常数小但晶格畸变较大;LCR测量结果显示,在相同温度下薄膜比块体的相对介电常数低,薄膜相对介电常数由低到高转变时对应的温度较高且激活能较大.分析表明:薄膜的相对介电常数较低是样品中晶相含量较低、缺陷较多使内部阻挡层电容大量减小、致密度不高引起的;薄膜中激活能的增大由膜和基底间晶格的不匹配造成膜中的内应力增大、微结构、缺陷和畴等因素决定;介电常数在低频时的急剧增大,意味着存在界面极化,它与界面的缺陷、悬挂键有关.     

基于扫描隧道显微镜的原子电子云结构

本文简要介绍了扫描隧道显微镜的基本工作原理，展示了一些扫描样品（石墨和铜）的电子云图，在简要介绍量子力学关于原子电子云结构基本理论的基础上，通过理论上的电子云结构与扫描结果的比较，在一定程度上验证了量子力学关于原子电子云结构理论的正确性．     

High Thermoelectric Properties of PbTe Doped with Bi2Te3 and Sb2Te3

The composition-dependent thermoelectric properties of lead telluride (PbTe) doped with bismuth telluride (Bi2Te3), antimony telluride (Sb2Te3) and (BiSb)2Te3 have been studied at room temperature. All the sampies exhibit small thermal conductivity. The figures of merit, 7.63, 1.03 and 8.97 x 10-4, have been obtained in PbTe with these dopants, respectively. These values are several times higher than those of PbTe containing other dopants with small grain sizes. The high thermoelectric performance is explained by electronic topological transition induced by alloying. The results indicate that these dopants are effective to enhance the thermoelectric performance of PbTe.     

基于迈克耳孙干涉光程差放大法的微小位移测量

基于迈克耳孙干涉光路,介绍了一种新的测量微小位移的实验方法.通过在迈克耳孙干涉原光路中添加平行平面镜组,使入射光和反射光在反射镜组中多次反射.当平行平面镜之间的距离发生微小变化后,两反射光束之间光程差将会被放大,通过观测干涉条纹的变化可以计算出微小的位移.设计了实验光路,对该方法进行了实验验证.与传统的迈克耳孙干涉实验相比,该方法的测量精度有很大的提高.     

纳米ZnO和ZnO-SiO2复合薄膜的光学性质研究

通过溶胶凝胶(sol-gel)法分别在玻璃衬底上制备了ZnO纳米薄膜和ZnO-SiO₂纳米复合薄膜,并利用紫外-可见光分光光度计对薄膜的光学性能进行了分析.可见光-紫外透射谱显示,随着ZnO溶胶浓度从0.7mol/L降低到0.006mol/L,制备的ZnO薄膜从只出现一个380nm(对应的光学禁带宽度为3.27eV)左右的吸收边到在380和320nm(对应的光学禁带宽度为3.76eV)左右各出现一个吸收边,并且随着ZnO溶胶浓度的降低,在380—320nm波段内的透过率明显提高.而Z 关键词： 纳米ZnO 2复合薄膜')" href="#">ZnO-SiO₂复合薄膜 溶胶凝胶法 透射率     

102Ru核振动到转动演化的微观研究

基于微观sdIBM-2方案和实验单粒子能量值,在最普遍的哈密顿量下,用两组不同的核子.核子等效相互作用参数,分别很好地再现了102Ru核的振动带能谱和转动带能谱及其演化过程.微观和唯象的研究指认:1)这两种激发模式的共存区是能态81 -121 (即Ex=2.500-4.000 MeV);态81 是振动模式占据优势的能态,态121 是转动模式占据优势的能态,而状态101 则是两种模式的中立能态;2)态121 是141 态退耦到态101 辐射光子相变后的中间能态;3)从基态起直到201 态的yrast态全都是集体态,而以后出现的第一个拆对顺排态很可能就是中子h11/2的两准粒子态;4)这种结构的过渡不是很剧烈的,而是通过玻色子结构常数在过渡区中不大的改变来实现的.     

导电分子巯基紫罗碱电子结构的理论计算

用密度泛函B3LYP/6-31G**计算方法,对不同碳链长度和不同氧化态( V2 +/V+.)紫罗碱二硫醇的平衡几何构型及相应电子结构的研究表明,两种氧化态在吡啶环共面性和前线轨道电子集居上的差异与特征,导致氧化态V2 +成为紫罗碱亲合金原子形成Au-S-nVn-S-Au结构的关键组分,自由基V+.则在该结构的氧化还原电子传导中发挥核心作用.S-S核间距与前线轨道能隙的计算结果表明,在紫罗碱二硫醇单分子电导的测量中,亚甲基数n达到12的分子长度是有效的.     

轴流压气机计及掺混作用通流计算方法的研究

一、引言 近年来,在多级轴流压气机的设计中,广泛采用了低展弦比的叶片以获得高的级负荷和级效率,这使常规的S_2流面通流计算与实验结果有较大差异。这主要是由于损失、总温沿径向的分布出现了“反常”现象,最大损失出现在叶片中部而不是端壁区域,与通常的假定相差较大。对这种现象,国内外都有人分别从理论和实验上进行了一些工作,证     

离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数

用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明，薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好，薄膜的电阻温度系数（TCR）最高可达4.23%/K.从成膜机理出发，较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为，单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能，致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度，使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原 关键词： VO2多晶薄膜 离子束增强沉积 热电阻温度系数