BeAl_2O_4∶Cr~(3+)系统中~2E→~4A_2跃迁谱线随压力的变化

首次观察到液氮温度下BeAl_2O_4∶Cr~(3+)系统中压力对荧光谱线的影响,系统地测量了室温和液氮温度下,在0—120kbar压力范围内~2E→~4A_2跃迁谱线。结果表明,R_1、R_2、S_1和S_2谱线随压力变化的红移率各不相同,但每条谱线各自在室温与液氮温度下的红移率相同。同时也观察到随温度降低这些谱线位置的紫移。     

准一维反铁磁体CsMnCl3·2D2O中激子的能量转移

在2—300K温度范围,研究了纯的及掺Mg²⁺,Ni²⁺和Co²⁺的准一维反铁磁体CsMnCl₃·2D₂O(CMC)中Mn²⁺离子的⁴T₁激子的能量转移动力学过程,发现在2—10K范围,激子的荧光强度和寿命随温度很快下降,较高浓度的杂质离子将进一步加快荧光的减弱和寿命的缩短。这种现象被归结为与磁相互作用和自旋有序相关联的多声子无辐射跃迁及施主—受主之间的能量转移。在更高的温度,能量转移速率增高,但由于仍然存在的自旋短程有序和Jahn-Teller效应,施主之间的能量迁移受到一定限制,出现非指数衰减过程。各种不同的杂质离子在某种程度上显示出不同的陷落作用和弛豫特性。 关键词：     

磁晶各向异性场引起的YIG单晶微波器件温度不稳定性的最佳补偿

本文导出了更精确的单晶铁磁共振公式,其近似度达到磁晶各向异性场的平方项。在此基础上,讨论了由磁晶各向异性场引起的YIG(钇铁石榴石)单晶微波器件的温度不稳定性的补偿问题,对以往引用的温度补偿方向作了较大修正,并给出了外磁场沿修正的补偿方向时计算YIG器件温度特性的具体公式。     

Bi_(12)GeO_(20)的旋光性和法拉第效应

在4300～8000(?)波长范围研究了Bi_(12)GeO_(20)的旋光性和法拉第效应.分析表明,锗酸铋的旋光频散特性可以用Drude的分子旋光模型来描述.它的较强的法拉第效应使它有可能用于光学非互易器件或偏振旋转器中.     

分子束外延调制掺杂结构的低温光致荧光

本文报道了分子束外延调制掺杂GaAs/N-AIGaAs二维电子气材料的低温光致荧光结果。实验表明,光致荧光谱分析可以作为二维电子气材料的质量诊断技术,由光致荧光谱得到的质量评价与材料的电学性能恰相对应,这就为改进分子束外延工艺提供了依据。 关键词：     

Bi4Ge3O12晶体的磁光法拉第旋转

在可见光范围测量了Bi₄Ge₃O₁₂晶体磁光法拉第旋转的色散关系,也测量了从室温到液氮温度磁光旋转在633nm的变化。大的磁光旋转和很宽光波范围的高透过率表明晶体在磁光应用上也是很有价值的。扼要讨论了Bi离子在抗磁晶体中对磁光旋转的重要作用。 关键词：     

高压下吡啶的Raman散射谱

在高静水压下研究了吡啶的Raman散射谱,研究了液—固相变前后振动模的高压行为。在60kbar附近,观察到晶态—塑料态的相变。在全呼吸模992cm^-1的高频边,观测到随压力移动较快的伴峰,它被认为是红宝石颗粒上吸附分子(界面分子)的全呼吸振动模。这一伴峰可能因Mie氏结构共振散射而受到极大的增强。 关键词：     

光栅光谱仪的偏振响应及喇曼散射偏振谱的测量

本文讨论了光栅光谱仪的透射率反常和偏振响应问题,指明了光谱仪的这些特性对光谱测量产生的影响。使用90°旋光器测量喇曼散射偏振谱时,信噪比有时可提高几倍,与使用扰偏器相比,可提高1倍。在退偏度测量中,所获得的结果与其它方法相近。     

内节流式冷指型液氮杜瓦瓶及其在多量子阱荧光研究中的应用

本文介绍了适用于光学测量的经过特别设计的液氮杜瓦瓶。作为一个应用例子,讨论了液氮温度下GaAs/GaAlAs多量子阱荧光谱的测量。     

Y_(3-x)Bi_xFe_5O_(12)的晶体生长

本文讨论了Y_2O_3-Fe_2O_3-Bi_2O_3-PbO·0.2B_2O_3赝四元系相图的得出与运用;用Bi_2O_3-PbO-B_2O_3做助熔剂,获得了磁性石榴石Y_(3-x)Bi_xFe_5O_(12)单晶(0≤x≤1.2);还论述了Bi-YIG晶体内Bi含量与助熔剂熔液成份的关系。