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31.
根据活性亚结构拼接原理,以取代苯甲醛、盐酸羟胺、N-氯代丁二酰亚胺和2-苯并咪唑基乙腈等为原料,经肟化、氯代、环化及缩合反应,合成了一系列新型的含苯并咪唑和异噁唑结构的席夫碱化合物(5a~5h),收率60%~75%,其结构经~1H NMR,~(13)C NMR,IR和HR-MS表征。采用菌丝生长速率法测试了化合物对番茄灰霉菌和生菜菌核菌的抑菌活性。结果表明:在用药量为100μg·m ~(-1)时,苯环上含有氟原子或甲氧基的席夫碱(5c,5d和5e)对生菜菌核菌显示出较好的活性,抑制率为71.3%~76.1%。 相似文献
32.
在“以学生为中心”的教育理念指导下,对《高等数学》部分内容的教学进行了改革实践,设计出了合理且可行的教学过程,使得学生的学习自觉性和自主学习的能力均得到提升.同时,进一步探索了学生的学习效果评价模式在教学过程管理中的应用.实践证明,通过科学分析学生的学习效果,不仅可为学生提供及时的反馈和控制,还能促使教师优化教学过程,从而持续改进教学质量. 相似文献
33.
研究了TiN/SiC纳米多层膜中立方SiC(B1cubic SiC)的形成及其对TiN/SiC多层膜力学性能的影响.结果表明:在TiN/SiC多层膜中,非晶态的SiC层在厚度小于0.6nm时形成立方结构并与TiN形成共格外延生长的超晶格柱状晶,使多层膜产生硬度和弹性模量显著升高的超硬效应,最高硬度超过60GPa.SiC随着层厚的增加转变为非晶相,从而阻止了多层膜的共格外延生长,使薄膜呈现TiN纳米晶和SiC非晶组成的层状结构特征,同时多层膜的硬度和弹性模量下降.TiN/SiC纳米多层膜产生的超硬效应与立方
关键词:
立方碳化硅
TiN/SiC纳米多层膜
外延生长
超硬效应 相似文献
34.
35.
36.
共轭聚合物发光和光伏材料研究进展 总被引:4,自引:1,他引:4
聚合物光电功能材料与器件因其广阔的应用前景,1990年以年来吸引了世界各国学术界的广泛关注和兴趣.聚合物光电子器件主要包括聚合物电致发光二极管、聚合物场效应晶体管和聚合物太阳能电池等,其使用的关键材料是共轭聚合物光电子材料,包括共轭聚合物发光材料、场效应晶体管材料和光伏材料等.本文主要对共轭聚合物电致发光材料和光伏材料的研究进展进行综述,介绍了这些聚合物材料的种类、结构和性质以及在聚合物电致发光器件和聚合物太阳能电池中的应用.并讨论了当前共轭聚合物光电子材料中的关键科学问题和今后的发展方向. 相似文献
37.
38.
The fusion-evaporation reaction ^116Sn (^19F, p3n)^131 Ce at projectile energy of 95 MeV is used to populate high spin states in ^131Ce. The de-exciting γ-rays are detected in γ-γ coincidence measurement with Compton-suppressed BGO-HPGe detectors. Level lifetimes of ^131 Ce were determined by using the Doppler shift attenuation method.The experimental results indicate that collectivity of ^131 Ce is reduced relative to that of ^130Ce and it follows that deformation decreases with increase of the neutron number on the basis of systematic comparison of transition quadrupole moments for the light cerium isotopes. 相似文献
39.
The diffusion of N adatoms on a Ga-rich GaN(O001) surface has been studied using density-functional theory.The configuration of Ga adatoms on a Ga-rich GaN surface has been identified. The first adlayer Ga adatoms are on top of the terminating substrate Ga atoms, and the outmost adlayer Ga adatoms exist randomly at the T4 or H3 sites. A very different diffusivity of N adatoms on a Ga-rich GaN(0001) surface has been found. The excess Ga adatoms on a GaN(0001) surface reduce the diffusion barrier by 0.75eV and influence the migration path. It seems that bilayer Ga adatoms are helpful for N atom diffusion. 相似文献
40.
采用半经典动力学方法模拟了π堆积的胸腺嘧啶体系最低激发态的光物理失活过程.设置激光脉冲仅作用于一个胸腺嘧啶分子T,另一胸腺嘧啶分子T’保持基态.模拟发现由于T与T’之间存在π堆积相互作用,导致电荷转移,形成T带负电荷、T’带正电符的激基复合物.由于相邻分子的空间效应阻碍了激发的T分子到达圆锥相交所必需的强烈扭曲,激基复合物的寿命比单体增长.当分子间距离缩短至0.3 nm后,T分子C5—C6键扭曲程度最大,此时发生电荷重组,两个胸腺嘧啶分子均恢复电中性.电荷重组诱导T’分子发生畸变,并在C5’—C6’扭曲最大时避免相交,体系衰减至基态,T和T’分子均恢复平面构型. 相似文献