南海红树林内生真菌ZH-111代谢产物研究

本文首次报道对南海红树林内生真菌ZH-111代谢产物的研究工作,从菌体中分离得到6个化合物:4-羟甲基-7-甲氧基-6-甲基-1(3H)-异苯并呋喃酮(1),环缩肽(Exumolide A)(2),双内酯(3),7,8-二甲基苯并[g]蝶啶-2,4(1H,3H)-二酮(4),弯孢霉菌素(5),5,5′-氧-二亚甲基-双...     

淀粉基荧光微球的制备及其布洛芬包载和释药性能

以淀粉为原料,用乙酸酐酰化后,将异硫氰酸荧光素（FITC）接枝到淀粉醋酸酯大分子链上,以自组装的方法制备出包载布洛芬的淀粉基荧光微球,同时考察了淀粉基荧光纳米微球对布洛芬的控制释放性能。 荧光淀粉酯的用量、布洛芬的加入量及丙酮与水的体积比可影响载药微球的包封率和药物释放速度。 研究结果表明,当荧光淀粉酯用量为200 mg、布洛芬的量为60 mg、水和丙酮体积分别为50和20 mL时所合成的载药微球包封率最高,为69.5%,其药物体外释放也最快,48 h可释放62.7%。 用扫描电子显微镜和激光共聚焦显微镜(CLSM)对包药微球的体外释放过程进行了表征。     

改进型溶胶-凝胶法制备粒径可调高染料吸附量TiO2微球及其在染敏电池光散射层中的应用

利用改进型的溶胶-凝胶法,制得了由锐钛矿相纳米颗粒组成的TiO2多孔微纳小球。通过调节前驱物浓度,合成出粒径可控的尺寸分别为100,175,225,475 nm的TiO2微纳小球,并通过电泳沉积法将合成出的小球作为光散射层引入到染料敏化太阳电池(DSSC)中。由于这种微纳小球在具备良好的光散射性能的同时也具备较高的染料吸附量,因此相较于基于纳米颗粒的单层结构的DSSC拥有更高的光电转换效率。通过比较分析,粒径尺寸为475 nm的微球作为光散射层的DSSC光电转换效率可以达到6.3%,较之于基于纳米颗粒的DSSC提高了30%。     

气相色谱-质谱法快速筛选测定浓缩苹果汁中105种农药残留量

采用硅藻土柱层析法对样品中的农药进行提取及净化后，用气相色谱—质谱法在选择离子监测模式下进行快速测定，以保留时间和特征离子定性定量；采用此方法测定了包括有机氯农药、有机磷农药、氨基甲酸酯农药、拟除虫菊酯农药、三嗪类农药在内的105种农药，大多数农药的线性范围为0.05～10mg／kg，相关系数大于0.99；90％以上农药在0．2mg／kg添加水平的平均回收率在70％～110％的范围内。     

NiO/SiO2气凝胶催化剂性能研究 Ⅰ. 镍含量的影响

以硝酸镍和正硅酸乙酯为原料采用溶胶凝胶超临界流体干燥法制备了不同镍含量的气凝胶催化剂.XRD,TPR,TEM,IR等物理技术表征和顺酐液相催化加氢活性评价结果表明NiO/SiO2气凝胶催化剂中NiO与SiO2有较强的相互作用,镍含量对活性组分与载体之间相互作用的影响导致催化剂具有不同的丁二酸酐和γ-丁内酯的选择性.在镍含量为30w%,经673K焙烧的催化剂上γ-丁内酯的选择性最佳.     

NiO/SiO2气凝胶催化剂性能研究 Ⅱ. 顺酐合成丁二酸酐和γ-丁内酯的工艺条件

研究了溶胶-凝胶法制备的NiO-SiO2催化剂上温度,压力,反应时间,催化剂用量等工艺条件对顺酐液相选择加氢性能的影响.结果表明镍含量为30%的NiO/SiO2气凝胶催化剂在适当的反应条件下顺酐液相加氢可高选择性地获得丁二酸酐和γ-丁内酯.当反应温度453K,氢压5.0MPa,反应时间8h,顺酐转化率100%,γ-丁内酯的选择性78.57%;生成丁二酸酐的条件因有或无溶剂而异,有溶剂存在时,反应温度398K,氢压2.0MPa;无溶剂在423K,氢压1.0MPa,顺酐转化率和丁二酸酐的选择性达99.5%以上.     

高维非紧支密度函数的小波硬阈值估计

针对一类特殊的密度函数,利用经典的硬阈值小波估计器在高维Besov空间中讨论其L1风险估计,并给出相应上界的证明.值得指出的是上述估计达到了自适应性.这一结果可以看作是Juditsky和Lambert-Lacroix工作[Bernoulli,2004,10(2):187-220]的补充.     

SrTiO3/α-Fe2O3异质结光阳极光电转换性能

作为一类重要的光电极材料,α-Fe2O3在太阳能转化方面有着潜在的应用前景.但是,光生电子空穴对的再复合导致α-Fe2O3的光电量子产率很低.为了抑制光生电子空穴对的再复合,提高α-Fe2O3的光电量子产率,采用Spin-coating方法在透明导电玻璃FTO(SnO2:F)衬底上制备了SrTiO3/α-Fe2O3异质结薄膜光电极,并对该光电极进行了XRD、SEM、紫外-可见透射光谱的表征.在三电极光电化学测试系统中对薄膜的光电流-电压特性、入射光子电流转化效率(Incident photon to current efficiency,IPCE)对波长的依赖性进行了表征.在相同的Xe灯照射条件下,SrTiO3/α-Fe2O3异质结光电极的光电流及IPCE值大于单一的SrTiO3、α-Fe2O3各自的光电流及IPCE值,这与理论预测的结论一致.     

基于薄板样条插值法的MEMS陀螺仪温度补偿模型辨识

MEMS陀螺仪以其优异的性能及廉价的成本,被广泛地应用于水下航行器中;然而传感器的温度变化严重影响测量精度,因此,对其温度补偿模型准确辨识具有重要意义。本文利用基于可持续激励准则的快速标定算法获取标定参数,然后利用薄板样条插值方法建立MEMS陀螺仪温度补偿模型,并将该方法辨识结果与多项式拟合算法的辨识结果进行对比,实验验证,利用本文所提出算法辨识得到的传感器温度补偿模型,有效改善了MEMS陀螺仪测进精度。     

Closed-form breakdown voltage/specific on-resistance model using charge superposition technique for vertical power double-diffused metal–oxide–semiconductor device with high-κ insulator

An improved vertical power double-diffused metal–oxide–semiconductor(DMOS) device with a p-region(P1) and high-κ insulator vertical double-diffusion metal–oxide–semiconductor(HKP-VDMOS) is proposed to achieve a better performance on breakdown voltage(BV)/specific on-resistance(Ron,sp) than conventional VDMOS with a high-κ insulator(CHK-VDMOS).The main mechanism is that with the introduction of the P-region,an extra electric field peak is generated in the drift region of HKP-VDMOS to enhance the breakdown voltage.Due to the assisted depletion effect of this p-region,the specific on-resistance of the device could be reduced because of the high doping density of the N-type drift region.Meanwhile,based on the superposition of the depleted charges,a closed-form model for electric field/breakdown voltage is generally derived,which is in good agreement with the simulation result within 10% of error.An HKP-VDMOS device with a breakdown voltage of 600 V,a reduced specific on-resistance of 11.5 m?·cm~2 and a figure of merit(FOM)(BV~2/Ron,sp)of 31.2 MW·cm~(-2) shows a substantial improvement compared with the CHK-VDMOS device.