全文获取类型
收费全文 | 5277篇 |
免费 | 876篇 |
国内免费 | 1363篇 |
专业分类
化学 | 3036篇 |
晶体学 | 57篇 |
力学 | 757篇 |
综合类 | 158篇 |
数学 | 837篇 |
物理学 | 2671篇 |
出版年
2024年 | 9篇 |
2023年 | 21篇 |
2022年 | 37篇 |
2021年 | 20篇 |
2020年 | 23篇 |
2019年 | 34篇 |
2018年 | 36篇 |
2017年 | 35篇 |
2016年 | 41篇 |
2015年 | 44篇 |
2014年 | 154篇 |
2013年 | 75篇 |
2012年 | 69篇 |
2011年 | 65篇 |
2010年 | 68篇 |
2009年 | 77篇 |
2008年 | 85篇 |
2007年 | 80篇 |
2006年 | 79篇 |
2005年 | 95篇 |
2004年 | 95篇 |
2003年 | 422篇 |
2002年 | 1479篇 |
2001年 | 1254篇 |
2000年 | 440篇 |
1999年 | 364篇 |
1998年 | 283篇 |
1997年 | 124篇 |
1996年 | 184篇 |
1995年 | 272篇 |
1994年 | 172篇 |
1993年 | 209篇 |
1992年 | 156篇 |
1991年 | 152篇 |
1990年 | 167篇 |
1989年 | 170篇 |
1988年 | 44篇 |
1987年 | 68篇 |
1986年 | 36篇 |
1985年 | 38篇 |
1984年 | 27篇 |
1983年 | 30篇 |
1982年 | 27篇 |
1981年 | 22篇 |
1980年 | 25篇 |
1979年 | 9篇 |
1965年 | 13篇 |
1964年 | 10篇 |
1962年 | 8篇 |
1956年 | 10篇 |
排序方式: 共有7516条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
本文研究DSP中的IIR数字滤波器的原理和用MATLAB在TMS320C5410EVM中设计IIR数字滤波器的过程和设计方法以及程序的调试方法。 相似文献
112.
113.
淳于书泰何绍堂 张启仁何安沈华忠 杨上金杜凤英蔡玉琴 顾元元黄文忠庄秀群 龙永录牟丹岷 郭秦孙永良 杨建国彭翰生温树槐 倪元龙余松玉 顾援周正良 毛楚生王世绩刘凤翘 范滇元王树森 陈万年 《中国科学A辑》1992,35(8):875-879
本文在神光装置上,进行了类氖锗X光激光双程放大实验研究.实验中使用了硅/钼多层膜X光平面反射镜.用平场光栅谱仪测量了X光激光的时间积分和时间分辨信号.实验证实了X光激光的双程放大.时间积分结果表明,双程放大为单程放大信号的5倍多;时间分辨结果表明,对多层镜的作用时间作修正后,双程放大信号的增强倍数还要大.在本实验条件下,多层镜的寿命约为400—700ps. 相似文献
114.
Banach空间中凸映照的增长定理 总被引:10,自引:1,他引:9
本文利用凸映照的几何特征证明了一般复Banach空间中单位球上正规化双全纯凸映照的增长定理,即||f(x)||≤||x||/(1-||x||),A↓x∈B,对复内积空间,上述估计是最佳的。 相似文献
115.
116.
117.
With the solid phase reaction between pulsed-laser-deposited (PLD) ZnOfilm and α-Al2O3 substrate, ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates were synthesized. X-ray diffraction (XRD) spectra show that as the reaction proceeds, ZnAl2O4 changes from the initial (111)-oriented single crystal to poly-crystal, and then to inadequate (111) orientation. Corresponding scanning electron microscope (SEM)images indicate that the surface morphology of ZnAl2O4 transforms from uniform islands to stick structures, and then to bulgy-line structures. In addition, XRDspectra present that ZnAl2O4 prepared at low temperature is unstable at the environment of higher temperature. On the as-obtained ZnAl2O4/α-Al2O3 substrates, GaN films were grown without any nitride buffer using light-radiation heating low-pressure MOCVD (LRH-LP-MOCVD). XRD spectra indicate that GaN film on this kind of complex substrate changes from c-axis single crystal to poly-crystal as ZnAl2O4 layer is thickened. For the single crystal GaN, its full width at half maximum (FWHM) of X-ray rocking curve is 0.4°. Results indicate that islands on thin ZnAl2O4 layer can promote nucleation at initial stage of GaN growth, which leadsto the (0001)-oriented GaN film. 相似文献
118.
利用102MeV的^28Si束流,通过^60Ni(^28Si,2pn)熔合蒸发反应布居了^85Zr核的高自旋态,测量了γ-γ符合及DCO比值,建立了一个有43条能级,75条γ跃迁的能级纲图,新增加了36条γ跃迁,25条能级。将能级自旋推高到(49/2^ ),首次观察到了转边带的第二回弯。并确认了一条建立在17/2^-负字称带上的磁转动带。 相似文献
119.
本文通过模拟研究,讨论了最大似然方法和Bayes方法在分析结构方程模型中的相似点和不同之处。 相似文献
120.