全文获取类型
收费全文 | 168篇 |
免费 | 44篇 |
国内免费 | 77篇 |
专业分类
化学 | 135篇 |
晶体学 | 3篇 |
力学 | 17篇 |
综合类 | 10篇 |
数学 | 46篇 |
物理学 | 78篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 3篇 |
2022年 | 4篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 5篇 |
2019年 | 6篇 |
2018年 | 7篇 |
2017年 | 8篇 |
2016年 | 11篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 14篇 |
2013年 | 11篇 |
2012年 | 5篇 |
2011年 | 11篇 |
2010年 | 12篇 |
2009年 | 10篇 |
2008年 | 13篇 |
2007年 | 15篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 9篇 |
2004年 | 10篇 |
2003年 | 8篇 |
2002年 | 8篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 10篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 7篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 6篇 |
1994年 | 9篇 |
1993年 | 7篇 |
1992年 | 9篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 1篇 |
1989年 | 6篇 |
1988年 | 6篇 |
1987年 | 12篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 6篇 |
1983年 | 4篇 |
1971年 | 1篇 |
1960年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1956年 | 1篇 |
排序方式: 共有289条查询结果,搜索用时 31 毫秒
11.
度规光学中的聚焦定理被导出。给出了光束的聚焦,散焦和陷的条件。讨论了分析在静态曲对称介质中的应用。 相似文献
12.
以界面势垒对碳纳米管(CNT)场发射的影响为研究目的,在硅衬底上引进很薄的二氧化硅层,以二氧化硅层作为绝缘势垒,然后在二氧化硅界面层上直接生长CNT,来研究二氧化硅绝缘势垒层对CNT场发射的影响。场发射结果为:Fowler-Nordheim(F-N)曲线分为两部分,高电场下偏离F-N曲线并趋于饱和。在双势垒模型的基础上,从电场在两势垒上的分布不同及电子在两势垒上的隧穿几率不同,理论上分析了界面势垒对场发射的影响:低电场下电子在界面势垒的隧穿几率大于在表面势垒的隧穿几率,界面势垒对场发射不起阻碍作用,场发射遵守F-N规律;高电场下电子在界面势垒的隧穿几率小于在表面势垒的隧穿几率,场发射偏离F-N规律。理论对实验结果进行了合理的解释。 相似文献
13.
基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对闪锌矿结构(ZB)和岩盐结构(RS)的ZnSe在0—20GPa高压下的几何结构、态密度、能带结构进行了计算研究,分析了闪锌矿结构ZnSe和岩盐结构ZnSe的几何结构.在此基础上,研究了ZnSe的结构相变、弹性常数、成键情况以及相变压强下电子结构的变化机理.结果发现:通过焓相等原理得到的ZB相到RS相的相变压强为15.3GPa,而由弹性常数判据得到的相变压强为11.52GPa,但在9.5GPa左右并没有发现简单立方相的出现;在结构相变过程中,sp3轨道杂化现象并未消除,Zn原子的4s电子在RS相ZnSe的导电性中起主要贡献. 相似文献
14.
15.
16.
采用了高反射率金属Al和电化学性能稳定的金属Mo,在硅基底上制备了多层结构的 Al/Mo/MoO3阳极,并研究了不同MoO3厚度下多层阳极的反射率。在此基础上,通过发光层共掺杂制备了顶部发光OLED器件,并对器件发光机制进行了系统研究和分析。实验结果表明:采用发光层共掺杂制备的顶部发光OLED器件的色坐标,随电流密度或电压的增加而发生漂移;OLED器件色坐标漂移的原因是三基色发光强度随电流密度的增加,逐渐偏离了形成白光(0.33, 0.33)所需三基色强度比例值,导致了OLED器件的色坐标发生了漂移,其机制是发光层中主-客之间能量转移和陷阱共同作用的结果。进一步研究发现,在不同电压下,红光发光强度随驱动电压(或电流密度)增大而线性地减小。 相似文献
17.
非线性振动系统动力学行为的实验研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文综述了非线性振动系统动力学行为的实验研究,详细叙述了机械模型实验,实验数据的分析与处理,并对今后发展趋势作了述评. 相似文献
18.
19.
20.
硅元素对土壤中有效营养元素的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了硅元素对土壤中有效营养元素的影响。研究结果表明,该元素提高土壤对有效氮,钾的供给能力,调节铁锰比例和钙,锌,锰的供给。施硅量适当时,可使甘蔗增加产量和含糖分。 相似文献