BEPC Ⅱ注入器相控系统的设计

 以2.856GHz频率上相位控制达到±2°为目标，阐述北京正负电子对撞机重大改造工程注入器相控系统设计思路，提出相应的系统实现结构。在分析相控过程的基础上，分解系统指标，把它作为相控系统详细设计和关键部件测试的依据。最后，针对相位测量这一关键问题，给出了具体的实现方法。     

自支撑透射光栅的设计、制作和测试

采用标量衍射理论和严格耦合波理论分别计算和讨论了金自支撑透射光栅的衍射效率随波长和光栅周期变化的情况并设计了光栅的结构参数.制作了周期为300 nm、线宽/周期比为055、厚度为200 nm、总面积为1 mm×1 mm、有效面积比为65%的金自支撑透射光栅.在国家同步辐射实验室检测了该光栅在55—38 nm波长范围内的绝对衍射效率.检测结果表明所制作的光栅在8 nm附近具有接近10%的最大衍射效率,并且该光栅对于波长15—35 nm范围内的极紫外波段具有基本稳定的衍射效率. 关键词： 自支撑透射光栅 电子束光刻 电镀     

卟啉及其配合物在分析化学中应用进展

综述了卟啉及配合物在分析化学中的应用研究进展。重点介绍了其在光度分析、电化学、分子识别、探针等方面的应用。     

级联掺磷光纤喇曼激光器的解析优化

讨论了二级级联喇曼光纤激光器的解析解和优化设计.通过引入几何平均功率、增益因子和归一化光纤有效长度,将描述泵浦光和斯托克斯光沿喇曼增益光纤分布的微分方程组简化成代数方程组,在对泵浦光采用线性传播近似后,获得了二级级联喇曼激光器的解析解.所获得的解析解同数值模拟结果吻合得很好.利用该解析解可方便和快速地讨论级联喇曼激光器的优化设计,计算不同泵浦功率下的最佳光纤长度、输出光纤光栅反射率和转换效率.泵谱功率越大,最佳光纤长度越短,最佳输出光纤光栅反射率越小.     

拉曼激发激光诱导电子荧光流场测量系统中标记过程的研究

研制了一套拉曼激光发激光诱导电子荧光空气流场测速系统,利用Nd:YAG激光器的二次谐波及其抽运的氧气受激拉曼散射作为标记光源,以ArF准分子激光作为荧光再现光源,并用像增强CCD摄像机（ICCD）记录荧光图像,成功地获得了纯氧及空气中的标记线的荧光图像,并进行了氧气喷流速度测量的初步研究。     

直流场致发光电视的灰度控制

1.前言 为了实现墙壁电视,很多单位正在研制用矩阵屏显示电视图象的装置,同时正在研究主要问题之一——灰度级的显示方法。 虽然矩阵屏的亮度控制有模拟信号法和数字信号法,但从装置的毫无调整、工作稳定和集成化(小形、低功耗)等方面看,数字方法是适当的。作者们以前试验了用加权的数个亮度控制脉冲来控制电视图象显示器的亮度~1)、~2),这方面,别人也发表了几个实例~3)、~4)~5)。但是因为作成实际的显示装置时要求电路结构简单,所以灰度级不能过多,因此必须探讨不只是灰度级多,而     

酱油多菌种液态前发酵条件及其酶动力学研究

采用米曲霉、黑曲霉、香菇菌等多菌种液态发酵酱油研究了液态条件下三种菌的酶系组成、产酶条件及特点以及蛋白酶动力学。研究结果表明三种菌在酶系组成上有取长补短的效果，可以明显促进氨基酸的生成，改善酱油风味。酶动力学结果表明，在液态中酸性蛋白酶量适pH为2．6；中性蛋白酶pH6.9；碱性蛋白酶pH9.8，酶作用温度在35～45℃范围内，酶活随温度的升高而升高．     

数字全息干涉相位导数计算的研究

应变测量对材料评估与分析非常重要。通过计算数字全息干涉的相位导数可实现应变测量。本文针对数字全息干涉相位导数提取问题,对数字剪切法和基于二维伪维格纳法进行研究。数字剪切法通过对干涉复相量的数字平移实现剪切,确定干涉相位导数,而二维伪维格纳法则通过对干涉复相量的二维伪维格纳分布变换,由变换模极值对应的频域参数确定相位导数。数字剪切法需干涉复相量的数字剪切过程,还需相位去包裹。由于激光散斑噪声的影响,直接数字剪切法处理效果较差,通过对剪切干涉复相量滤波,能较好消除散斑噪声影响。二维伪维格纳法无需数字剪切和相位去包裹,就可同时得到2个方向的干涉相位导数,但处理时间较长,处理效果较差。最后,用数字全息干涉法对四周固定、中心加载铝圆盘进行了实际测量,并分别用数字剪切法和二维伪维格纳法进行了分析。结果表明,滤波数字剪切法处理时间适中,处理效果较好。     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟