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41.
该文分别给出了单位球B上空间F(p, q, s)到空间βα之复合算子C_{varphi}为有界算子和紧算子的充要条件.同时作为推论获得了Bloch型空间的相应结果. 相似文献
42.
采用磁控溅射法和原位退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备 Mg2Si 薄膜。首先在钠钙玻璃衬底上交替溅射沉积两层Si、Mg 薄膜,冷却至室温后原位退火4 h,制备出一系列 Mg2Si 薄膜样品。通过 X 射线衍射仪(XRD) 、 扫描电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征, 讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg 时间对制备 Mg2Si 薄膜的影响。结果表明,采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg 薄膜, 通过原位退火方式成功制备出单一相的 Mg2Si 薄膜,溅射Si/Mg/Si/Mg 的时间为12.5/9/12.5/9 min,退火温度为550 ℃ 时,制备的 Mg2Si 薄膜结晶度最好,连续性和致密性最强。这对后续 Mg2Si 薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考。
积两层Si、Mg 薄膜, 冷却至室温后原位退火4 h, 制备出一系列 Mg2Si 薄膜样品. 通过 X 射线衍射仪(XRD) 、 扫描
电子显微镜(SEM)对所得薄膜样品的晶体结构和表面形貌进行表征, 讨论了退火温度和溅射Si/Mg/Si/Mg 时间
对制备 Mg2Si 薄膜的影响. 结果表明, 采用磁控溅射法在钠钙玻璃衬底上交替溅射两层Si、Mg 薄膜, 通过原位退火
方式成功制备出单一相的 Mg2Si 薄膜, 溅射Si/Mg/Si/Mg 的时间为12.5/9/12.5/9 min, 退火温度为550 ℃ 时, 制
备的 Mg2Si 薄膜结晶度最好, 连续性和致密性最强. 这对后续 Mg2Si 薄膜器件的设计与制备提供了重要的参考. 相似文献
43.
在二维正方Heisenberg铁磁系统的基础上建立了磁振子-声子相互作用模型. 利用松原格林函数理论研究了系统的声子衰减,计算了布里渊区的主要对称点线上的声子衰减曲线. 发现在第一布里渊区,在Δ线上,横向声频支声子无衰减,在Z线上,纵向声频支声子无衰减;横向声频支声子衰减比纵向声频支声子衰减至少大一个数量级,并讨论了各项参数的变化对横向声频支声子衰减与纵向声频支声子衰减的影响. 根据声子衰减与声子寿命的关系,声子衰减与声子态密度的关系,可以讨论横向声频支声子与纵向声频支声子的寿命与态密度.
关键词:
磁振子-声子相互作用
横向声频支声子衰减
纵向声频支声子衰减
声子寿命 相似文献
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建立以二极管泵浦的Nd:YAG连续固体激光器为基础的微结构加工平台。激光器谐振腔输出基横模,输出波长1064nm,采用调Q技术压缩脉宽,激光器输出峰值功率大于10w,可选择连续及脉冲工作方式。 相似文献
49.
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