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1.
“素质教育轰轰烈烈 ,应试教育扎扎实实”,这是对长期以来的中学教育的真实写照 .特别是高三教学 :三年的内容二年光 ,三轮复习不可少 .第一轮 ,基础复习 ;第二轮 ,专题复习 ;第三轮 ,综合训练 .前二轮是学生被教师牵着走 ,后一轮是“熟能生巧”、低效高耗的题海战 .在这一轮又一轮的复习中 ,教师是越俎代疱 ,过度干预 ,忙于猜题押题 ;学生是既没头绪 ,又没有主动 ,只是埋头做题 ,穷于应付 .因此 ,使素质教育在严峻的就业、升学竞争面前 ,只好“望试兴叹”.那么 ,怎样才能走出应试教育的怪圈 ?或者说怎样才能反其道而行之 :在扎扎实实的应试…  相似文献   
2.
对磁弹耦合在决定纳米晶软磁合金宏观磁性中的作用进行了探讨,高场磁化规律以及正电子湮没测量表明:对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金,准位错偶极子造成的应力场对畴壁的钉扎效应是造成纳米晶软磁合金矫顽力的重要原因;结构缺陷造成的应力场与磁致伸缩的耦合作用对纳米晶软磁性能有重要的影响.在结构各向异性和磁弹耦合能共同作用下可解释纳米晶合金表现出最佳软磁性能.  相似文献   
3.
当代科技发展的主流是综合化、整体化,表现出各学科之间互相渗透、相互交叉的趋势.开展综合测试,有利于打破学科间的隔离状态,给学生提供完整的世界图像;  相似文献   
4.
依据"非定常两代流型"理论,验证了二维叶栅在均匀进气条件下,施加激励对其性能所起的改善作用,尔后重点研究了进口具有总压的周向畸变时,施加激励对其气动性能的影响。计算结果表明,在有无进口畸变时,施加一定的激励都会改善流场结构,气动参数有积极变化,压升和效率增加,特别是在流量比较小时,变化尤为明显.对于进口畸变和施加激励影响压气机性能的内在原因,从流场结构的变化方面进行了初步分析。  相似文献   
5.
2002年理综考试共30题,物理试题有10题,其中客观题6题,主观题4题,共120分.内容很贴近课本,没有出现前两年较为热门的"信息题",考试更加注重对学生的学习基础、学习能力的考查.试题灵活而不落俗套,新颖而不离基础,强调能力而不偏离教材,考查素质而不脱离实际.  相似文献   
6.
采用LD泵浦的单纵模Nd:YVO4倍频激光器、梯度折射率光纤透镜等器件构成斐索梯度折射率光纤透镜传感实验仪.本文介绍了实验装置和实验原理,并给出了实验结果。  相似文献   
7.
谢柏松 《中国物理快报》2003,20(12):2203-2205
Instability of longitudinal wave in magnetized strongly coupled dusty plasmas is investigated. The dust chargigrelaxation is taken into account. It is found that there exists threshold of interdust distance for the instability of wave, which is determined significantly by the dust charging relaxation, the coupling parameter of high correlation of dust as well the strength of magnetic field.  相似文献   
8.
Taking the intensity-dependent coupling between atoms and cavity mode into account, we investigate a system consisting of N homogeneously broadened two-level atoms interacting with the field inside a single-mode Fabry- Perot cavity containing a nonlinear Kerr-like medium. We derive the steady-state bistable behaviour of the system, and further analyse in details the influence of several critical parameters on the bistable behaviour.  相似文献   
9.
p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.  相似文献   
10.
采用魔角核磁共振(MAS NMR)研究了稀土掺杂B2O3-Al2O3-SiO2玻璃的结构及其组成和热处理等因素对玻璃结构的影响。研究发现,在B2O3-Al2O3-SiO2玻璃结构中,硼的配位主要是三角体[BO3]和[BO4],铝的配位主要是[AlO4],[AlO5]和少量的[AlO6]。随着B2O3-Al2O3-SiO2玻璃中BaO含量的增加,[BO3]逐渐向[BO4]转变,[AlO5]和[AlO5]也转变为[AlO4]。此外,由于稀土离子比钡离子更高的离子场强,其能够积聚硼氧结构使得其形成了巨大的网络结构。随着稀土掺量的增加,玻璃结构中的硅氧配位逐渐以Q4(3T)为主。热处理对玻璃结构中的硼氧和铝氧配位影响很小。  相似文献   
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