CW CO_2激光退火在硅中产生的氧沾污

利用相衬显微术、电子吸收像、IR光谱、AES和ESCA谱研究了硅片经CW CO_2激光退火后的一些特征,其中着重分析氧的深度沾污问题。电子吸收像表明:我们的CW CO_2激光退火条件下,其效果并不很均匀。实验还证明:空气中的CW CO_2激光退火可以减少样品表面的碳沾污,但产生氧沾污。氧的沾污分两部分:表面是SiO_x,其下是自由氧原子,厚度不大于250。