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21.
Discrete Charge Storage Nonvolatile Memory Based on Si Nanocrystals with Nitridation Treatment
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A nonvolatile memory device with nitrided Si nanocrystals embedded in a floating gate was fabricated. The uniform Si nanocrystals with high density (3× 10^11 cm^-2 ) were deposited on ultra-thin tunnel oxide layer (- 3 nm) and followed by a nitridation treatment in ammonia to form a thin silicon nitride layer on the surface of nanocrystals. A memory window of 2.4 V was obtained and it would be larger than 1.3 V after ten years from the extrapolated retention data. The results can be explained by the nitrogen passivation of the surface traps of Si nanoerystals, which slows the charge loss rate. 相似文献
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基于绝热氧化的煤自燃倾向性鉴定研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文首先指出了我国现行的煤自燃倾向性色谱吸氧鉴定法的不足之处,同时给出了煤自燃倾向性鉴定标准的基本原则。根据绝热氧化理论和绝热氧化方程,设计了相应绝热氧化实验装置。通过理论和实验研究,提出了能够反映煤自燃关键阶段,即低温氧化阶段动力学参数活化能E作为煤自燃倾向性鉴定指标,并测试了五个典型煤样的低温氧化活化能E,同时根据该指标对煤自燃倾向性等级进行了初步划分。最后,通过现场煤自燃发火期与煤物理吸附氧量和低温氧化活化能E的对比,对该指标的实用性和科学性进行了检验。 相似文献
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用快淬急冷技术制备了Nd10Fe84-xB6Inx(x=0和1)系列薄带磁体.利用添加和挥发微量In元素的方法从宏观表现上研究了晶粒边界对晶粒之间交换耦合和磁硬化等性能的影响.发现晶粒边界性质以不同方式影响着磁体矫顽力和剩磁比.某些晶界特性,像缺陷、应力等主要影响磁硬化机制;而另外一些性能,如晶界类型、边界处的自旋取向及结晶学相关性等则控制着交换耦合的强度.
关键词:
晶界
纳米复合材料
热处理
微量添加 相似文献
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1946年Erdos提出“确定平面n点间不同距离个数最小值f(x)”的问题.作者证明f(8)=f(9)=4,并猜测f(10)=f(11)=f(12)=5. 相似文献
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目前开设的牛顿环实验,只限于光的干涉。其实该实验也可扩展到反射光的偏振性,从而为学生检验菲捏耳反射公式提供一种最简易的实验方法。1.单色自然光入射图1为牛顿环实验光路图.纳灯S射出单色自然光 相似文献
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30.
席福宝 《数学年刊A辑(中文版)》1996,(3)
本文研究上的扩散过程,它是上退化扩散过程的小随机扰动,其中满足随机微分方程满足随机微分方程通过构造辅助系统,估计了的Freidlin-Wentzell型的跑出分布. 相似文献