枯草杆菌在淀粉液态培养基中生产α-淀粉酶

以枯草杆菌(Bacillus subtilis BF7658)为实验菌株,以淀粉为主要原料,采用液态培养基发酵,生产α-淀粉酶。结果表明:在23℃至44℃内,培养基起始pH值为自然pH值,产酶最佳培养温度为37℃;枯草杆菌在淀粉液态培养基中控制温度为37℃,振荡培养,其产酶最适宜淀粉与水组成比例为:75∶100;在最佳温度37℃下,淀粉∶水为75∶100时,最佳培养时间为36h。     

基于单细胞光学技术探究微波和高温协同作用对微生物影响机制的研究

微波(300 MHz～30 GHz)对生物组织具有明显的热效应和生物效应,能极大程度上抑制微生物芽孢的生长,但从单分子层面研究微波和温度对干燥芽孢的影响机制鲜有报道。采用激光拉曼光镊技术(激光波长为532 nm,功率为2.5 mW),测量并对比不同温度下(50～125℃)微波处理(2 450 MHz, 150 W)芽孢的平均拉曼光谱,发现温度处于125℃时,1 017 cm^-1峰强明显下降,表明高温和微波对芽孢内膜造成了损伤。该研究还使用原子力显微镜观察不同条件下芽孢的表面形貌特征,发现处理后的芽孢表面均有附着物,极有可能为CaDPA,温度越高现象越明显,而且随着温度的上升,芽孢的尺寸也随之下降,说明微波和高温的协同作用,导致芽孢核芯分子的泄露,同时也加剧了水分子蒸发使体积减小。该研究的结论为研究微波和温度协同作用对芽孢的影响提供了特征参数,也为应用单细胞光学技术开展理化因子对微生物影响机制的研究开拓思路。     

软模板合成有序介孔碳材料

有序介孔碳材料由于其较大的表面积、均一的孔径、良好的热稳定性和化学稳定性,广泛应用于吸附、分离、催化以及能量储存等众多领域。与传统的以硅基介孔材料为硬模板的反向复制方法相比,通过嵌段共聚物和聚合物前驱体之间的有机-有机自组装的软模板法简便易行,已成为合成有序介孔碳材料有效方法。本论文综述了介孔碳材料的软模板合成机制、合成方法、功能化及其应用,对合成技术、结构控制、孔径调控以及形貌控制等方面进行了讨论,并探讨了其在吸附、催化、电极材料等领域的应用。     

无线传感器网络多跳路由协议研究

目的：无线传感器网络发展迅速,但传感器的高能耗问题成为制约其发展的主要瓶颈,高效节能的路由协议设计成为研究热点。方法：针对目前无线传感器网络常用的LEACH路由协议存在的簇首能耗过分集中、簇首分布不均衡问题,提出了改进的路由协议EEACRA,在总结、分析LEACH路由协议现有问题的基础上,给出了EEACRA路由协议的簇首选取门限值、簇首位置调整算法和基于能量代价最小的簇间多跳路由算法的实现方法,同时给出了具体的实现EEACRA协议的工作流程和关键算法。在MATLAB环境下对LEACH路由协议和EEACRA路由协议进行了仿真,对比了不同能耗降低措施对网络能耗降低的贡献。结果：仿真结果表明EEACRA路由协议的网络稳定期较LEACH路由协议有较大的改善。结论：证明了改进的路由协议EEACRA可以有效地提高网络的稳定期。     

斜入射激光等离子体堵口时空特性研究

在“星光II”上首次利用X光12分幅相机(XFC)成功地观测到了1.053 μm激光以45°方向斜入射孔靶和半腔靶等离子体堵口的时间和二维空间图象,获得了等离子体堵口速度,同时通过一维模型给出了斜入射条件下的等离子体堵口速度。实验结果表明：相同参数条件下半腔靶与孔靶相比,等离子体喷射速度高约15%。一维模型给出的等离子体喷射速度与XFC测出的等离子体喷射速度在实验误差范围内是一致的。     

电子跃迁引起的核激发和γ激光器

电子跃迁可能通过交换虚光子引起核的激发(NEET).本文讨论应用NEET将能量从外辐射场通过作为中间介质的原子传给原子核的可能性.首选给出了计算NEET几率的公式,重点讨论跃迁矩阵元和选择定则,计算了几个已有实验数据的核素的NEET几率.估算了NEET几率的上限值,它大约是10^－5讨论了应用NEET于γ激光器的条件及可能性.     

新题征展(9)

Ａ .题组新编1.已知函数 ｙ =3ｘ2 - ( 2ｍ 6 )ｘ ｍ 3,( 1)若其值域为Ｒ ,则实数ｍ的取值范围是(　　 ) ;( 2 )若其值域为Ｒ- ,则实数ｍ的取值范围是(　　 ) ;( 3)取值恒为非负数 ,则实数ｍ的取值范围是(　　 ) .备选答案 :(Ａ) {- 3,0 }　 (Ｂ) [- 3,0 ](Ｃ) ( - 3,0 )     

夹持方式和加工误差对大口径薄型KDP晶体附加面形的影响

惯性约束聚变频率转换系统中,大口径薄型KDP晶体的面形质量是影响频率转换效率能否达到设计要求的关键因素之一。针对45放置状态下口径为400 mm400 mm的三倍频KDP晶体,采用ANSYS有限元分析软件,建立了不同夹持方式和具有不同加工误差的KDP晶体模型和夹具模型,分析了加工误差对不同夹持方式下KDP晶体附加面形的影响,给出了不同加工误差和不同夹持情况下,KDP晶体附加面形的P-V值和RMS值。研究结果表明,夹持方式和加工误差是引起KDP晶体附加面形变化的重要因素,正面压条夹持方式即使在晶体和夹具存在加工误差时也可以较好地控制晶体的附加面形。     

熔石英亚表面横向划痕调制作用的3维模拟

建立了熔石英后表面3维横向划痕模型,并采用3维时域有限差分方法对熔石英亚表面划痕周围的电场强度进行了数值模拟,分析了划痕宽度、深度、长度以及划痕倾斜角度对入射光场的调制作用,结果表明：随划痕深度和划痕长度的增加,熔石英内的最大电场强度增大,且当划痕长度达到1 μm以上时,最大电场强度趋于稳定;划痕结构因子在1～2之间的划痕较容易引起熔石英损伤;而入射激光在划痕界面和后表面之间发生内全反射时,后表面上的光强增强效果更加明显,因此减少角度范围在20.9°～45°之内的划痕能大幅提高熔石英的损伤阈值。     

酸蚀与紫外激光预处理结合提高熔石英损伤阈值

采用HF酸刻蚀和紫外激光预处理相结合的方式提升熔石英元件的负载能力,用质量分数为1%的HF缓冲溶液对熔石英刻蚀1~100 min,综合透过率、粗糙度和损伤阈值测试结果,发现刻蚀时间为10 min的熔石英抗损伤能力最佳。采用355 nm紫外激光对HF酸刻蚀10 min的熔石英进行预处理,结果表明：紫外预处理能量密度在熔石英零损伤阈值的60%以下时,激光损伤阈值单调递增;能量到达80%时,阈值反而低于原始样片的损伤阈值。适当地控制酸蚀时间和紫外激光预处理参数能有效提高熔石英的抗损伤能力。