化学气相沉积法制备Sn2S3一维纳米结构阵列

运用化学气相沉积法(CVD), 直接以Sn和S为原料分区加热蒸发, 通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件, 成功制备大面积Sn₂S₃一维纳米结构阵列. 扫描电子显微镜(SEM)图片显示: Sn₂S₃一维纳米结构的横向尺度在100 nm左右, 长约几个微米. X射线衍射（XRD）谱显示: 所制备样品的晶体结构属于正交晶系, 沿[002]方向生长. 紫外-可见漫反射谱表明Sn₂S₃一维纳米结构是带隙为2.0 eV的直接带隙半导体. 讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对Sn₂S₃一维纳米结构生长的影响, 并指出其生长可能遵循气-固(V-S)生长机理.     

Observation of multiple charge density wave phases in epitaxial monolayer 1T-VSe2 film

As a special order of electronic correlation induced by spatial modulation, the charge density wave (CDW) phenomena in condensed matters attract enormous research interests. Here, using scanning—tunneling microscopy in various temperatures, we discover a hidden incommensurate stripe-like CDW order besides the ($sqrt{7}$ × $sqrt{3}$) CDW phase at low-temperature of 4 K in the epitaxial monolayer 1T-VSe₂} film. Combining the variable-temperature angle-resolved photoemission spectroscopic (ARPES) measurements, we discover a two-step transition of an anisotropic CDW gap structure that consists of two parts Δ₁ and Δ₂. The gap part Δ₁ that closes around ～ 150 K is accompanied with the vanish of the ($sqrt{7}$ × $sqrt{3}$) CDW phase. While another momentum-dependent gap part Δ₂ can survive up to ～ 340 K, and is suggested to the result of the incommensurate CDW phase. This two-step transition with anisotropic gap opening and the resulted evolution in ARPES spectra are corroborated by our theoretical calculation based on a phenomenological form for the self-energy containing a two-gap structure Δ₁ + Δ₂, which suggests different forming mechanisms between the ($sqrt{7}$ × $sqrt{3}$) and the incommensurate CDW phases. Our findings provide significant information and deep understandings on the CDW phases in monolayer 1T-VSe₂} film as a two-dimensional (2D) material.     

大型地面测量设备动态检测装置的设计

大型地面跟踪测量设备的跟踪性能、测角精度、等技术指标对顺利完成测控任务均有重要影响,因此为及时对设备能否满足指标给出准确和定量的判断,设计了适应大型跟踪测绘设备进行动态检测的动态检测装置.文章介绍了实验室条件下动态检测的基本原理,并对空间模拟光学目标的运动轨迹进行了仿真分析.以工程化的设计结果为基础,对检测装置的实际精度进行了分析与计算,最终得到了动态检测设备目标角晃动(RMS,1σ)优于5″的结论,设备的精度可以满足大型跟踪测绘设备进行实验室条件下的高精度动态检测.     

一种提高可见光遥感图像黑极性舰船目标检出率的方法

针对遥感卫星和高空无人机在海上航拍的可见光遥感图像中黑极性舰船目标检出率低的问题,提出了一种基于暗原色先验和恒虚警率原理的舰船目标检测方法。这种方法先对目标图像进行预处理,得到其暗原色图(Dark Channel Image,DCI);再将DCI作为二维恒虚警(2-D CFAR)检测法的输入,以局部统计灰度均值和方差作为目标检测特征,通过选择合适的目标判定阈值及目标空间分布信息完成疑似目标定位;疑似目标集合可以有效地被舰船目标特征矢量进行检验,根据得到的结果判定虚警是否去除,最后得到最终目标检测结果。实验结果表明,该方法对于可见光遥感图像中的舰船目标有较为准确的检测效果,总检出率可达96.07%,并且对人眼视觉不易判别的黑极性目标有着类似“放大镜”的作用,对黑极性舰船目标的检出率可达86.71%,较大地提高了可见光遥感图像中黑极性舰船目标的检出率,对优化黑极性目标检测方法创新有一定的指导意义,也为暗原色先验原理的应用提供了新思路。     

基于二维半导体材料浮栅存储器的研究进展：从材料到结构

半导体浮栅存储器在半导体存储器乃至整个数据存储行业都占据着较大的市场份额，目前在计算机、便携式设备存储器等领域都有广泛应用.随着存储器件进一步小型化和集成化，在未来需要新材料和新结构对浮栅存储器进行革新以延续摩尔定律的发展.具有原子级厚度的二维层状半导体材料具有优异的电学性能和稳定性，被广泛认为是极具潜力的新型半导体材料之一，可用于下一代半导体浮栅存储器.本文主要介绍近年来二维半导体材料在浮栅存储器领域的应用，并对其未来的发展趋势进行了思考和展望.