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811.
在20°~80℃范围内的一系列温度下研究了H_2、N_2、O_2和CO_2气体对聚氧乙烯(PEO)/共聚酯型聚氨酯(PU)共混物的渗透行为。共混物透气系数的对数对温度的倒数作图符合Arrhenius关系,但在共混物中PEO熔点附近会出现转折点或突变;在PEO熔点上下,共混物有着完全不同的透气系数—组成曲线以及气体渗透活化能—组成曲线。结果说明了温度强烈影响共混物的气体渗透行为。 相似文献
812.
813.
从描述光纤中孤子脉冲传输的非线性薛定谔(NLS)方程出发,利用对称分步傅里叶方法对方程进行数值求解.研究了色散管理孤子(DMS)在常规光纤中的传输演化特性,分析了色散管理孤子在常规光纤通信系统中的可行性.结果表明,孤子在通过密集周期性搭配具有相反色散系数的光纤中传输,可以降低孤子间的相互作用,使得孤子的传输演化特性得到改善.利用色散管理来对常规光纤中光孤子脉冲之间的相互作用加以抑制,从而提高信息传输的比特率,但必须具有特殊的光纤制造工艺. 相似文献
814.
介绍了沿面闪络开关的发展状况和基本原理,实验研究了真空条件下激光触发介质沿面闪络特性。实验采用固体Nd:YAG纳秒激光器作为触发源,对试样施加正直流高压,电压范围1~6 kV,试样绝缘子为直径50 mm的尼龙6。通过研究不同激光能量、波长和聚焦形状对介质闪络的影响,总结出适用于沿面闪络开关的激光触发形式。实验表明:在一定电场和真空度下闪络的时延和抖动将随着输入激光能量的提高而减小,而激光可触发的电压范围将提高;激光波长减小有助于提高触发的稳定性;激光焦斑的形状是沿面闪络触发的最大影响因素,采用具有一定能量密度、焦斑横跨两电极的带状激光来触发闪络是闪络开关的理想选择。 相似文献
815.
为了更准确地获得重复频率纳秒脉冲下气体击穿试验参数,分析了击穿电压、放电电流的测量及影响测量结果的因素等,并介绍重复频率下气体间隙击穿的耐受时间测量方法。信号测量传感器的响应带宽、间歇性存在的电磁干扰、气体间隙被击穿时瞬态高频振荡及地电位暂态升高等因素会干扰被测信号,甚至会导致被测信号局部干扰严重。采用软阈值小波降噪法可有效减小干扰。在测得分流器方波响应的基础上,采用Wiener滤波器反卷积补偿分流器输出信号的方法来校验分流器输出,结果表明分流器输出波形满足试验要求。 相似文献
816.
817.
一种基于PWCS的惯导系统可观测度分析方法 总被引:2,自引:0,他引:2
为研究惯导系统动基座滤波中各状态的收敛情况与载机机动的关系,提出一种基于分段线性定常系统( pwcs)的可观测度分析方法.该方法利用PWCS可观测性分析方法中的提取可观测矩阵,进一步进行可观测度的计算,用可观测阶数和相对可观测度两个指标对可观测性进行量化.分析结果能够明确表示出不同状态在观测中的耦合,准确预测可观测度不... 相似文献
818.
利用Centrotherm公司生产的管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备在p型抛光硅片表面沉积SiNx:H薄膜, 研究沉积温度对SiNx:H薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性的影响. 然后采用工业化的单晶硅太阳电池制作设备和工艺制作太阳电池, 研究不同温度制备的薄膜对电池电性能的影响. 测试结果表明: SiNx:H薄膜的折射率随着沉积温度的升高而变大, 分布在1.926-2.231之间, 这表明Si/N摩尔比随着沉积温度的增加而增加; 当沉积温度增加时, 薄膜中Si-H键和N-H键浓度呈现减小趋势, 而Si-N键浓度逐渐升高, 薄膜致密度增加; 随着沉积温度的升高, SiNx:H薄膜中的氢析出导致了钝化硅片的有效少子寿命先升高后降低, 并且有效少子寿命出现明显的时间衰减特性. 当沉积温度为450 °C时, 薄膜具有最优的减反射和表面钝化效果. 采用不同温度PECVD制备的5组电池的电性能测试结果也验证了这一结果. 相似文献
819.
平均值不等式[1,2]∑naii=a/n≥n√n∏ni=1ai揭示了n个正数的算术平均不小于其几何平均,是一个应用相当广泛的基本不等式.平均值不等式(1)当仅当所有n个正数都相等时等号成立.当n个正数中有部分数不相等时,式(1)不可能有等号,此时这n个正数的算术平均与几何平均之差如何确定? 相似文献
820.
借鉴混合高斯模型的方法,提出了基于混合高斯模型的非参数检验法用于评价指标体系的构建.首先运用混合高斯模型对现有指标体系进行聚类分析,然后运用非参数检验的秩相关系数对分类后的指标体系进行筛选,最终确定评价指标体系的构成,保证指标体系的全面性和代表性.实例结果表明,方法分类精度高、简便、实用,在指标优化中具有应用价值. 相似文献