点阵式上转换板在激光光斑采集中的应用研究

 通过在镜头前加装上转换板,利用其快速的红外上转换功能可以提高CCD对于低频窄脉冲光斑的采集效率。然而在利用传统面阵式工艺制成的上转换板采集光斑的过程中,普遍存在因上转换材料内部漫反射及局部饱和效应造成的光斑形状和光强分布的失真。针对上述问题,提出了一种新的点阵式上转换板制作工艺,并设计了点阵式上转换板光斑采集成像质量对比实验。实验结果表明,点阵式上转换板对低频窄脉冲光斑有更好的采集效果。为评价点阵式上转换板所采集光斑的成像质量,建立了相应的评价模型。     

193 nm氟化物增透膜的特性

 为了研制低损耗、高性能的193 nm氟化物增透膜,研究了基底和不同氟化物材料组合对氟化物增透膜的影响。在熔石英基底上,将挡板法和预镀层技术相结合,采用热舟蒸发方式制备了不同氟化物材料组合增透膜,对增透膜的剩余反射率和光学损耗等光学特性,以及表面粗糙度和应力等特性进行了测量和比较。在分析比较和优化的基础上,设计制备的3层1/4波长规整膜系AlF3/LaF3增透膜在193 nm的剩余反射率低于0.14%,单面镀膜增透膜的透射率为93.85%,增透膜表面均方根粗糙度为0.979 nm,总的损耗约为6％。要得到高性能的193 nm增透膜,应选用超级抛光基底。     

Pr0．45（Ca1-xSrx）0．55MnO3体系调带宽引起的磁相变及电输运性质转变

采用固相法制备了Pr0．45（Ca1-xSrx）0．55MnO3（x=0．0,0．2,0．4,0．6,0．8,1．0）多晶样品．通过测量样品的X射线衍射（XRD）谱、磁化强度-温度（M～T）曲线、电阻率-温度（ρ～T）曲线,研究了Sr^2＋替代Ca^2＋对Pr0．45Ca0．55MnO3体系磁性和电性的影响．实验发现：...     

从开普勒定律到万有引力定律

从椭圆轨道出发,推导出了万有引力定律.     

在大学物理中讲授纵波的一点尝试

采用小球弹簧链模型和相对形变,以便于理解纵波的基本性质.     

关于渐近非扩张映射的Cesàro意义下的修正Ishikawa迭代(英文)

设E是一致凸Banach空间,且具有一致Gteaux可微范数,C是E的一个非空闭凸子集,T是渐近非扩张映射.对于任意x∈C,本文引入Cesàro意义上的修正Ishikawa迭代:x0=x∈C,yn=γnun+δnxn+(1-γn-δ)n+11∑j=0nTjxn,xn+1=μnvn+αnγf(xn)+βnxn+[(1-μn-βn)I-αnA]n+11∑j=0nTjyn,n≥0在适当的条件下证明此迭代序列的强(弱)收敛性.     

Synthesis and mesomorphic properties of trifluorobenzoate liquid crystal

Four series of trifluorobenzoate liquid crystals have been synthesized. Their phase transition temperatures have been also measured by texture observation in a polarizing microscope and confirmed by DSC. The influence of the lateral fluoro-substitution and triple bond has been also discussed.     

Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性

用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜. XRD, XPS, SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶. GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm. 在354 nm处发现强室温光致发光峰, 带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移.