排序方式: 共有78条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
52.
本文首先简要介绍了金属薄膜的量子尺寸效应及其对表面化学性质的影响,然后对Pb/Si体系量子尺寸效应的近期研究进行了综述,最后详细介绍了量子效应对表面化学反应活性的影响。扫描隧道显微镜观察表明:在Pb(111)单晶薄膜表面上的分子吸附和氧化反应随着薄膜厚度一个原子层一个原子层变化时会出现振荡现象。通过研究薄膜中量子阱态的形成、费米能级处电子态密度的变化与薄膜的表面反应活性之间的关系,我们从实验上直接定量地证明了量子尺寸效应对表面反应活性的调控作用。 相似文献
53.
54.
55.
利用卢瑟福背散射/沟道技术对射频等离子体辅助分子束外延法生长在蓝宝石衬底上的ZnO/Zn0.9Mg0.1O/ZnO异质结进行了组分分析,并得到了异质结弹性应变随深度的变化,应变由界面向表面逐渐释放,并由负变正,且在ZnO与Zn0.9Mg0.1O界面处轻微增大.负的应变是由于ZnO与衬底的晶格失配和热失配,而逐渐变为正值是Zn0.9Mg0.1O与ZnO的晶格常数差异及弹性应变的
关键词:
异质结
卢瑟福背散射/沟道
弹性应变
ZnMgO 相似文献
56.
中国科学院物理研究所国际量子结构中心成立仪式暨中国科学院青年学者表面界面研讨会于2 0 0 0年 10月 2 7日在物理所召开 .中国科学院副院长白春礼院士和美国田纳西大学Plummer教授参加了典礼仪式 ,听取了部分学术报告 ,并为中心挂牌揭幕 .在历时 10分钟的成立仪式上 ,中国科学院基础局金铎局长做了简短致辞 .当晚 ,路甬祥院长设晚宴招待了研究中心的核心成员 ,并与他们进行了亲切座谈 ,共同探讨了当前学术界一些活跃的问题和中心未来的发展方向 .由中国科学院物理研究所王恩哥所长与美国橡树岭国家实验室张振宇教授建议成立的中国… 相似文献
57.
薛其坤 厉建龙 孙牧 陆华 T. Hashizume Y. Ling Y. Hasegawa K. Ohno Z. Q. Li Y. Kawazoe T. Sakurai H. Kamiyama H. Shinohara 《中国科学A辑》2000,30(6)
利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(001)2×4表面上的固态van der Waals C60膜在室温下较之C60晶体具有13%的晶格膨胀.这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C60分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的.理论计算表明,平均约有1.76个电子转移到每个C60分子上.有趣的是,该固态C60膜为(110)取向,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有(111)取向的六角密排C60膜.这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的.通过选择不同的衬底,可以控制C60薄膜的晶体生长. 相似文献
58.
AlO_x/LiF composite protection layer for Cr-doped(Bi,Sb)_2Te_3 quantum anomalous Hall films 下载免费PDF全文
We have realized robust quantum anomalous Hall samples by protecting Cr-doped(Bi,Sb)_2Te_3 topological insulator films with a combination of LiF and A1O_x capping layers.The AlO_x/LiF composite capping layer well keeps the quantum anomalous Hall states of Cr-doped(Bi,Sb)_2Te_3 films and effectively prevent them from degradation induced by ambient conditions.The progress is a key step towards the realization of the quantum phenomena in heterostructures and devices based on quantum anomalous Hall system. 相似文献
59.
Two-dimensional growth of GaN thin films on an atomically flat C-face 6H-SiC(0001) surface prepared by ultra-high vacuum Si-etching is observed when using an AlN buffer layer in N plasma-assisted molecular beam epitaxy. Scanning tunneling microscopy and reflection high energy electron diffraction observations reveal a series of Ga-stabilized reconstructions which are consistent with those reported for an N-polar GaN(0001) film. The result, including the effect observed previously for GaN thin film on Si-terminated 6H-SiC(0001), agrees with the polarity assignment of heteroepitaxial wurtzite GaN films on polar 6H-SiC substrates, i.e., GaN film grown on SiC(0001) is <0001> oriented (N-face) while that on SiC(0001) is <0001> oriented (Ga-face). 相似文献
60.
石墨烯是一种仅由碳原子构成的二维材料.由于其独特的二维六角蜂窝状的晶格结构、载流子的狄拉克费米子行为及其他奇妙的物理特性,近些年来引起了人们的广泛关注.同时,它还展现出在电子、信息、能源等多个领域的巨大应用前景.曼彻斯特大学的安德烈.海姆(A.K.Geim)和康斯坦丁.诺沃肖洛夫(K.S.Novoselov)因其在石墨烯制备和研究方面的开创性工作获得了2010年的诺贝尔物理学奖. 相似文献