飞秒激光等离子体中成丝现象的研究

采用光学阴影法和散射光成像,对飞秒激光等离子体中的局域密度涨落进行了,在实验中观察到了成丝不稳定性现象,从理论上对有质动力引起的局域密度涨落进行了分析,分析表明,这种成丝不稳定性主要是由有质动力造成的。     

苄基保护甘露糖羧酸酯的NMR研究

应用NMR技术研究了1-0-(3,5-二硝基苯甲酰基)-2、3、4、6-四-0-苄基-D-吡喃甘露糖的α、β异构体的构型和糖环上碳氢归属情况,总结了苄基保护甘露糖羧酸酯构型的确证方法及影响糖环上碳氢化学位移的一些规律;并对其它13种四苄基甘露糖羧酸酯的NMR谱进行了研究,提供了这些化合物的¹³C和¹H NMR数据.     

分布技术若干问题的探讨及其思考

本文通过探讨多计算机系统与社会系统中共同存在的分布技术若干问题，给出一种分布技术系统的三维体系结构，提出开展综合的分布技术研究与电子信息技术模仿社会的研究，作者认为，这些研究在系统工程领域里，不仅有理论和方法意义，而且有实用价值。     

^143Pm高自旋态研究

通过熔合蒸发反应^129Te(^19F,4nγ）布居了^143Pm的高自旋态,利用在束γ谱学方法,对^143Pm的高自旋态核结构进行了研究,测量了γ射线单谱和γ－γ符合谱,并进行了γ射线各向异性以及DCO比率分析,建立了激发高能达10535．4keV的能级纲图,其中包括新发现的32条γ射线和17个新能级,用弱耦合模型对^143Pm的晕态能级结构进行了解释。     

高性能碳材料在HL—1M边缘等离子体中的辐照实验

碳材料尤其是掺杂改性的石墨和C／C复合材料仍是面对等离子体壁材料（PFM）的首选之一。近年来,我们用热压方法研制了一系列的硼（B）、钛（Ti)、硅（Si)掺杂石墨和B4C掺杂C／C复合材料。化学溅射和氢滞留与解吸实验研究表明,一定量的B杂质能够有效地减少化学溅射产额,降低氢和甲烷的解吸温度和减少甲烷的解吸产额。然而单项的模拟实验对于检验材料的综合性能是不够的,为此,有必要将材料引入Tokamak进行材料的边缘等离子体辐照实验,以研究材料的综合性能和协同效应机制,从而为材料的研制提供第一手的数据。     

Banach空间中凸映照的增长定理

本文利用凸映照的几何特征证明了一般复Banach空间中单位球上正规化双全纯凸映照的增长定理，即||f(x)||≤||x||/(1-||x||),A↓x∈B，对复内积空间，上述估计是最佳的。     

980nm高功率列阵半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱激光器材料。利用该材料制作的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（100Hz,100μs）输出功率达到80W（室温）,峰值波长为978－981nm。     

离子交换—原子捕集—火焰原子吸收光谱法测定水中的超痕量镉

在本文提供的条件下，镉的原子捕集灵敏度较常规法高81倍，再考虑到离子交换法的浓缩倍数至少可达40倍，因此可使镉的测定灵敏度至少提高3240倍，从而成功地测定了水中ppt级的超痕量镉。     

基片温度和退火对DdIn2O4薄膜光学性质和载流子浓度的影响

对射频反应性溅射Cd-In合金靶制备的透明导电CdIn2O4薄膜，研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱，光学常数和载流子浓度的影响。结果表明：提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度，退火增加了薄膜的载流子浓度。随着基片温度提高，薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移，而退火使其出现红移。基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的。在制备CdIn2O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中，这一现象对于实时监控具有极为重要的意义。