激光加热Cu和NaF靶产生的1.2keV区X射线转换效率的测量

介绍了激光加热Cu靶和NaF靶发射的在1.2keV区X射线转换效率的测量方法和实验结果。结果表明,在激光辐照功率密度为1×10¹³—1×10¹⁴W·cm^-2条件下,激光波长为1.06μm或0.53μm时,Cu等离子体发射的1.2KeV区X射线的转换率为NaF等离子体的4—5倍;对此两种等离子体,激光波长为0.53μm的X射线转换效率是波长为1.06μm的2倍左右。 关键词：     

AlON-TiN复相材料合成工艺参数的支持向量回归分析

根据在不同热压烧结工艺参数（包括TiN的含量、烧结温度和保温时间）下合成的AlON-TiN复相材料的抗弯强度实测数据集,应用基于粒子群算法寻优的支持向量回归（SVR）方法,建立了AlON-TiN复相材料在不同热压烧结工艺参数下抗弯强度的SVR预测模型,并与基于人工神经网络（ANN）模型的预测结果进行了比较.利用SVR预测模型并结合粒子群算法对AlON-TiN合成工艺参数进行了寻优和多因素分析.结果显示:对于相同的训练样本和检验样本,AlON-TiN复相材料抗弯强度的SVR模型比ANN模型具有更小的预测误差,表明SVR模型比ANN模型具有更强的预测能力.工艺参数寻优结果表明,当TiN质量分数为13.5%、烧结温度为1863.5 ℃和保温时间为5.8 h时, 可获得抗弯强度为555.452 MPa的AlON-TiN复相材料. 研究结果表明,该方法对于研发理想抗弯强度的AlON-TiN复相材料具有重要的理论指导意义和实用价值. 关键词： AlON-TiN 抗弯强度 支持向量回归 回归分析     

低能二次电子对微波输能窗击穿现象的影响

在微波输能窗次级电子倍增效应的模拟研究中,往往忽视低能电子的作用。基于Monte Carlo算法,模拟输能窗次级电子倍增规律,研究了经典的Vaughan模型、Vincent模型和Rice模型三种二次电子发射模型下次级电子倍增效应的差异,通过拟合倍增敏感曲线,获得了低能电子对切向和法向电场作用下输能窗次级电子倍增效应的影响。模拟结果表明,当切向电场作用时,三个发射模型得到的敏感曲线几乎重合,低能电子对敏感曲线的影响甚微,其中Rice模型的敏感区域最大。当法向电场作用时,由Vincent模型拟合得到的敏感区域远大于其他两个模型。     

武威重离子治癌装置高能束线的准直安装

武威重离子治癌装置高能线爬升段上下跨度约为18m,由于超大超重元件的悬空安装和狭小的安装空间及通视条件不足,使得就位时磁铁的位置及角度与地面做标定时不同,给准直安装工作带来了挑战。借助于激光跟踪仪和三维控制网,通过多重坐标转换,探索了一种新的方法,消除了爬升段磁铁调节时角度带来的偏差,有效提高了准直安装的工作效率,使得最后所有的磁铁安装各向安装误差均控制在0.10mm以内,其结果优于该装置的精度要求,为整体安装进度提前提供了有力保证。     

Molecular beam epitaxy growth of iodide thin films

Study of two-dimensional(2D)magnetic materials is important for both fundamental research and application.Here we report molecular beam epitaxy growth of iodides,candidates for exhibiting 2D magnetism.Decomposition of CrI₃is utilized to produce stable gaseous I₂flux.Growth of MnI₂,GdI₃,and CrI₂down to monolayer is successful achieved by co-depositing I2 and corresponding metal atoms.The thin films of the three materials are characterized by scanning tunneling microscope and found to be insulators with bandgaps of 4.4 e V,0.6 e V,and 3.0 e V,respectively.The film growth paves the way for further study of magnetic properties at the 2 D limit.     

二阶离散边值问题的一个存在性定理

作者利用监界点理论中的山路引理研究了一类非线性二阶差分方程边值问题解的存在性,获得了该边值问题有解的一个充分条件.     

不对称菁染料敏化纳米TiO2的光生电流过程

用光电化学方法研究了不对称菁类染料敏化TiO2 纳米结构电极的光电转换过程 .结果表明 ,该染料的电子激发态能级位置与TiO2 纳米粒子导带边位置匹配较好 ,光激发染料后 ,其激发态电子可以注入到TiO2 纳米多孔膜的导带 ,从而使TiO2 纳米结构电极的吸收光谱和光电流谱红移至可见光区 ,其IPCE(Incidentphoton to electronconversionefficiency)值最高可达 84.3 % .并进一步结合现场紫外 可见吸收光谱研究了外加电势对激发态染料往TiO2 纳米多孔膜注入电子过程的影响     

Calculation of Free Energy of the Integrable Landau—Lifshitz model

The generalized Bethe-ansatz method of thermodynamic analysis of integrable systems was employed to compute the free energy of a classical integrable model,i.e.the Landau-Lifshitz model.Using the action-angle variables of the model and by imposing a periodic boundary condition.we derive a phase-shifted density of states for the excitations of the system.The free energy,in the thermodynamic limit,can be expressed analytic in terms of two coupled nonlinear integral equations of the finie temperature excited energy for effective phonons and kinks (antikinks).we solve these equations iteratively for a special case that the model is in the limit of anisotropic strong yz coupling.     

InGaAsN量子阱的光致发光谱研究(英文)

我们测量了低N组分的InGaAsN/InGaAs/GaAs量子阱材料的光致发光(PL)谱,测量温度范围从13K到300K。实验结果显示,InGaAsN的PL谱的主峰值的能量位置随温度的变化呈现出反常的S型温度依赖关系。用Varshni经验公式对实验数据进行拟合之后,发现在低温下InGaAsN量子阱中的载流子是处于局域态的。此外,我们还测量了样品在不同的温度、不同的能量位置的瞬态谱,结果进一步证实了:在低温下,InGaAsN的PL谱谱峰主要是局域态激子的复合发光占据主导地位,而且InGaAsN中的载流子局域态主要是由N等电子缺陷造成的涨落势引起的。     

基于自适应窗的合成孔径激光雷达联合时频成像方法

传统距离-多普勒算法中观测期间多普勒频率为常量的假设在合成孔径激光雷达系统中不再成立.根据合成孔径激光雷达回波信号模型,推导计算了振动对合成孔径激光雷达回波相位的影响.根据实际情况引入振动频率不超过500Hz、振幅不超过0.2mm的机载平台微振动参量,结果表明载机微振动对合成孔径激光雷达成像的方位分辨率影响很大,而对距离分辨率影响不大.采用时频分析成像方法,能够有效克服传统距离-多普勒算法对时变信号处理的局限性.分析比较Wigner-Ville分布、伪WWigner-Ville分布和平滑伪Wigner-Ville分布作为核函数的时频成像结果,均无法兼顾成像分辨率和成像效率.据此本文提出了一种基于自适应窗的联合时频成像方法,根据变异系数和变异阈值的比较自适应地调整子区域窗口大小,从而达到成像分辨率和算法效率的平衡优化.仿真结果表明,本算法对成像分辨率影响不大,成像时间减少近69.87%,适用于合成孔径激光雷达对成像高分辨率和成像效率的要求.