樟脑基喹喔啉类化合物的合成及其生物活性

将D-(+)-樟脑用二氧化锡氧化制得樟脑醌,再与系列取代邻苯二胺化合物缩合,合成得到19个樟脑基喹喔啉类化合物(3a～3s),并用UV-Vis、 ¹H NMR、 ¹³C NMR、 FT-IR和HR-MS(ESI)进行结构表征。初步的抑菌和除草活性测试表明：在用药量为50 μg·mL^-1时,目标化合物对花生褐斑病菌、小麦赤霉病菌、黄瓜枯萎病菌、苹果轮纹病菌、番茄早疫病菌、玉米小斑病菌、西瓜炭疽病菌以及水稻纹枯病菌等8种植物病原菌具有一定的抑制活性,其中化合物樟脑基5,8-二溴喹喔啉3r(R¹=R⁴=Br,R²=R³=H)对苹果轮纹病菌的抑制率达78.6%,优于阳性对照百菌清。在用药量为100 μg·mL^-1时,化合物樟脑基6-氟喹喔啉3f(R³=F, R¹=R²=R⁴=H)和樟脑基7-氟喹喔啉3g(R²=F, R¹=R³=R⁴=H)对油菜胚根生长的抑制率分别为75.8%和68.5%,均优于阳性对照丙炔氟草胺。      

化学溶液沉积法制备涂层导体SmBiO3（SBO）缓冲层的研究

通过740-820℃之间进行低温成相,分别在氩气和空气中LaAlO3（LAO）单晶基底上沉积得到了有较大应用前景的涂层导体SmBiO3（SBO）缓冲层.740-800℃所得的缓冲层c轴取向良好,致密、平整、无裂纹.当温度达到820℃时,SBO表面开始出现裂缝.SBO薄膜的相组成和微结构利用XRD和SEM进行分析.研究结...     

智能车竞赛中图像畸变还原的实现

基于映射关系的畸形矫正算法以及线性插值算法,对智能车摄像头采集的数字图像进行处理.实验证明,该算法能够有效地对数字图像进行畸变矫正,恢复成适合智能车控制算法处理的正视图图像.     

近红外光谱分析技术在木材材性分析中的研究进展

树木基因工程研究在改变木材材性等方面取得了较大的进展,且发挥着重要的作用。为了选育优良品种,需要测试大量的试样。但传统的木材性质测试方法成本高、效率低,而且需要破坏树木本身,这种方法已经无法满足现代林木培育和木材加工利用的需要。为了更高效地控制和检测转基因产品的各种性质,必须有快速而又方便的测定技术。近红外光谱分析技术是一项新的木材无损评价方法,能够迅速、准确地对木材性质进行全面无损评价,目前已经在很多领域得到广泛应用。文章详细地介绍了近红外光谱技术在木材化学组成分析和木材微观结构预测中的研究进展。     

浅析中职物理教材中的科学方法

物理学蕴涵的丰富的科学方法,是物理学发展中的灵魂,学习物理必须领悟科学方法．中职物理教学大纲要求：（通过物理教学）要对学生进行科学思想、科学精神、科学方法和科学态度的教育,提高学生的科学素养．     

灵芝胞外多糖双液相发酵体系的特性

用豆油作为氧载体加入发酵液中形成双液相发酵体系,以改善灵芝胞外多糖的发酵状况.实验表明:常见的氧载体材料在双液相发酵过程中不为灵芝菌体所利用,仅起到促进溶氧的效果;在灵芝胞外多糖的双液相发酵体系中,KLa值明显提高,溶氧水平(DO)有显著改善,发酵液的运动黏度μ有所降低,有助于降低搅拌能耗;氧载体改善了质量传递,提高了细胞的代谢水平,使胞外多糖的产量提高了44%,发酵周期缩短了约17%.说明双液相发酵体系对灵芝胞外多糖发酵是一种新型有效的途径.     

NdFeB永磁体下YBaCuO块材在交流磁扰动中的悬浮力磁滞特性

研究了交流磁扰动对高温超导块材和永磁体之间悬浮力的影响。实验分析了在零场冷(ZFC)条件下,不同频率的交流磁场扰动下的悬浮力曲线;另外还研究了交流磁扰动在永磁体下降和上升过程中对悬浮力的影响,发现上升过程中悬浮力受交流磁场影响较大,而在下降过程中影响则较为不明显,同时随着交流磁场幅值的增大,悬浮力的滞回曲线逐渐加宽。说明交流磁场导致了超导块磁滞损耗的增加,对超导磁浮特性的研究具有理论意义。     

平面上的点-线选址问题

本文研究两类平面选址问题：（1）求一直线到n个给定点的加权距离和为最小；（2）求一点到n条给定直线的加权距离和为最小，对这两个非线性最优化问题，欠给出迭代次数为多项式的算法。     

热处理温度对化学溶液沉积GdBiO_3薄膜生长的影响

以铋、钆的硝酸盐等制备前驱溶胶体系,用CSD法在SrTiO3(100)基底上制备出c轴织构良好的可作为涂层导体缓冲层的GdBiO3(GBO)薄膜。首先利用差热分析的结果对GBO薄膜分解过程的吸、放热情况进行了研究,确定了较为适当的有机物分解工艺。在此基础上研究了不同外延成相热处理温度对GBO薄膜生长的影响,并对较高温度处理后样品产生裂纹的原因进行了初步分析。GBO薄膜的相组成和微结构利用XRD和SEM进行分析。研究结果表明,在Ar气氛中适宜于GBO薄膜生长的最佳温度在770℃度附近,在此条件下可以制备出表面平整致密的GBO薄膜。     

A mathematical analysis: From memristor to fracmemristor

The memristor is also a basic electronic component, just like resistors, capacitors and inductors. It is a nonlinear device with memory characteristics. In 2008, with HP's announcement of the discovery of the TiO₂ memristor, the new memristor system, memory capacitor (memcapacitor) and memory inductor (meminductor) were derived. Fractional-order calculus has the characteristics of non-locality, weak singularity and long term memory which traditional integer-order calculus does not have, and can accurately portray or model real-world problems better than the classic integer-order calculus. In recent years, researchers have extended the modeling method of memristor by fractional calculus, and proposed the fractional-order memristor, but its concept is not unified. This paper reviews the existing memristive elements, including integer-order memristor systems and fractional-order memristor systems. We analyze their similarities and differences, give the derivation process, circuit schematic diagrams, and an outlook on the development direction of fractional-order memristive elements.