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31.
合成并测定了标题化合物的分子结构,Ca空间群,a=2.1933(2)nm,b=1.2447(3)nm,c=1.5912(5)nm,β=117.02(2)°,I'=3.8679 nm~3,Z=4,最后根据I>3G(I)的2849个独立衍射点的强度数据,把结构精修到R=0.036.在晶体结构测定基础上进行了EHMO计算,以研究其簇骼成键性质,结果表明,该分子虽不存在金属-金属键,但M与μ-O之间除了σ键外,还存在四中心d-ρπ键,它是该类化合物稳定的主要因素。 相似文献
32.
以苯重氮硼氟酸盐与亚铁盐在微量铜离子存在时能引发丙烯腈聚合,聚合速率服从:R∝[φN_2~+]~(1/2)[Fe~(++)]~(1/4)[Cu~(++)]~(1/4),氧化还原引发历程为: Fe~(++)+Cu~(++) Fe~(+++)+Cu~+ φN_2~++Cu~+→φ·+N_2+Cu~(++) φ·+M→φM·→φMM·…该历程符合上述动力学关系。但使用对硝基苯重氮硼氟酸盐时,微量铜离子对聚合反应速率影响不大,与亚铁盐浓度在一定范围呈R∝[Fe~(++)]~(1/2)的关系,因此例的引发历程为: φN_2~++Fe~(++)→φ·+N_2+Fe~(+++) φ·+M→φM·→φMM·…苯环上推电子取代基降低了重氮基的氧化势,如对位取代甲氧基、甲基或没有取代基都不能用纯亚铁盐引发丙烯腈聚合,需有微量铜盐存在才能聚合。而拉电子取代基如对位取代硝基、羧基可用纯亚铁盐引发聚合。 相似文献
33.
高砷低金银的铅阳极泥中银的冶炼 总被引:3,自引:0,他引:3
本文报导了将纯碱加入砷含量高的铅阳极泥熔炼成贵铅,用硝酸溶解,硫氰酸盐沉淀,再用锌粉还原得银的方法。从而避免砒霜挥发。 相似文献
34.
深层高温油藏在开采过程中,由于近井地带压力变化剧烈,地层水蒸发致使结晶盐析出,进而导致储层孔隙度、渗透率降低.为研究稠油油藏高温盐析调剖的孔渗变化规律,根据盐类溶解/沉淀原理及储层孔隙度渗透率关系和填砂管模型高温盐析实验结果,建立了考虑地层水蒸发、水中氯化钠析出和储层孔渗变化的综合盐析模型.研究结果表明:随着堵剂注入量... 相似文献
35.
36.
在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性衬底上采用直流磁控溅射技术制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了衬底温度、溅射功率和溅射压强等工艺条件对薄膜光电性能的影响,并利用原子力显微镜(AFM)表征了衬底及ITO薄膜的表面形貌。结果表明,在PET衬底温度50℃、溅射功率100W和溅射压强2.66×10-1Pa的条件下,可以得到低方阻(50Ω/□)和高透过率(>90%)的透明导电薄膜。以此柔性ITO衬底为阳极,制备了结构为PET/ITO/NPB/Alq3/Mg∶Ag的柔性有机电致发光器件,在驱动电压为13V时,器件的发光亮度达到了2834cd/m2。 相似文献
37.
38.
SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对… 相似文献
39.
6H-SiC衬底片的表面处理 总被引:1,自引:0,他引:1
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜. 相似文献
40.
用紫外-可见分光光度法研究了乳酸脱氢酶(LDH)参与的,以NADH与DPIP.,O2为主体的机械-光信号振荡转换体系。LDH的酶催化作用使此振荡体系的信号转换效率大大提高,在无乳酸情况下,当DPIP.和NADH的摩尔比为1∶4.5时的平均循环周期由108 min缩短为34 min;在乳酸存在下,此体系的平均循环周期由108 min缩短为29 min。推测LDH的促进作用主要是通过对NADH的活化实现的,其次是通过酶促乳酸脱氢作用补充体系中的NADH获得的。结果说明,酶的催化作用在某些双底物之一存在的反应情况下,也会明显表现出来。 相似文献