巧用等价转化解含参数的恒成立不等式问题

求解合参数的恒成立不等式问题是近几年来各类考试的热点题，这类问题由于既有参数又有变量，学生往往感到很棘手，常因解法不当花费过多时间或半途而废．如何处理好这类问题呢？等价转化是解决问题、减少运算量的重要途径，即运用等价转化思想将其转化为大家熟悉的函数问题，运用函数的性质求解．1转化为一农函数问题、经过恰当的变形，将其转化为一次函数，运用一次函数的性质求解．一次函数人X）一kx十b（kwt0）有下面性质：‘（1）人x）＞0在b，n」上恒成立ed人m）＞O且人n）＞0；（2）若k＞0，N4人x）＞0在【m，n」上恒成立ed八m）＞…     

~(58,60,62,64)Ni25.1MeV质子非弹性散射研究及其低激发态能谱和B(E2)比率的IBA分析

使用上海原子核研究所1.4m等时性迥旋加速器提供的25.1MeV质子束,测量了偶镍同位索弹性散射和第一激发态2_~+的非弹性散射微分截面。用零程扭曲波玻恩近似(DWBA)作理论分析,得到~(58,60,62,64)Ni 2_1~+态的四极形变参数β_2分别为0.23、0.28,0.25,0.21。采用相互作用玻色子近似(IBA)计算了这些核低激发态能谱及其约化电跃迁几率B(E2)。并对IBA唯象参数作了初步的准粒子无规位相近似(QPRPA)微观计算。     

Magnetic Properties of Hf0.8Ta0.2（Fe0.97A0.03）2 （A=Al, Co, Mn） Systems

Moessbauer studies on the effect of substitution with 3% Al, Co, Mn atoms in the intermetallic compound of Hf0.8Ta0.2Fe2 are reported. The Al substitution leads to increase of the FM-AFM transition temperature and to decrease of the AFM-PM transition temperature. The Co substitution leads to disappearance of the FM state, only showing some FM impurity component, while Mn substituted compound indicates coexistence of FM and AFM states at low temperature. The phenomena imply complex itinerant electron properties in these magnetic systems.     

芳香族重氮盐氧化还原引发体系的研究——Ⅲ.芳香族重氮盐与亚铁盐氧化还原引发丙烯腈聚合过程中微量铜离子的影响

以苯重氮硼氟酸盐与亚铁盐在微量铜离子存在时能引发丙烯腈聚合,聚合速率服从:R∝[φN_2~+]~(1/2)[Fe~(++)]~(1/4)[Cu~(++)]~(1/4),氧化还原引发历程为: Fe~(++)+Cu~(++) Fe~(+++)+Cu~+ φN_2~++Cu~+→φ·+N_2+Cu~(++) φ·+M→φM·→φMM·…该历程符合上述动力学关系。但使用对硝基苯重氮硼氟酸盐时,微量铜离子对聚合反应速率影响不大,与亚铁盐浓度在一定范围呈R∝[Fe~(++)]~(1/2)的关系,因此例的引发历程为: φN_2~++Fe~(++)→φ·+N_2+Fe~(+++) φ·+M→φM·→φMM·…苯环上推电子取代基降低了重氮基的氧化势,如对位取代甲氧基、甲基或没有取代基都不能用纯亚铁盐引发丙烯腈聚合,需有微量铜盐存在才能聚合。而拉电子取代基如对位取代硝基、羧基可用纯亚铁盐引发聚合。     

稠油油藏高温盐析调剖的孔渗表征方法研究

深层高温油藏在开采过程中,由于近井地带压力变化剧烈,地层水蒸发致使结晶盐析出,进而导致储层孔隙度、渗透率降低.为研究稠油油藏高温盐析调剖的孔渗变化规律,根据盐类溶解/沉淀原理及储层孔隙度渗透率关系和填砂管模型高温盐析实验结果,建立了考虑地层水蒸发、水中氯化钠析出和储层孔渗变化的综合盐析模型.研究结果表明:随着堵剂注入量...     

分光计测定光栅常数

针对分光计测定光栅常数实验中入射光线偏离光栅法线的情形,提出了计算光栅常数的一个近似表达式。在不增加额外测量的前提下,使实验结果更接近于实际值。     

柔性有机电致发光器件导电基板的工艺性能

在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)柔性衬底上采用直流磁控溅射技术制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了衬底温度、溅射功率和溅射压强等工艺条件对薄膜光电性能的影响,并利用原子力显微镜(AFM)表征了衬底及ITO薄膜的表面形貌。结果表明,在PET衬底温度50℃、溅射功率100W和溅射压强2.66×10-1Pa的条件下,可以得到低方阻(50Ω/□)和高透过率(>90%)的透明导电薄膜。以此柔性ITO衬底为阳极,制备了结构为PET/ITO/NPB/Alq3/Mg∶Ag的柔性有机电致发光器件,在驱动电压为13V时,器件的发光亮度达到了2834cd/m2。     

不同复合角对平板气膜冷却特性影响的实验研究

本文对不同复合角的典型单排孔冷却结构的平板气膜冷却特性进行了实验研究,研究对象为α为30°,β分别为30°、45°、60°的射流孔板,对它们在不同吹风比条件下的绝热气膜冷却效率分布特性进行了分析.实验结果表明,所有复合角条件下的冷却性能都优于相同条件下的简单角; M=0.5、β=60°时的冷却性能明显优于其他两个复合角;M=1.0时.三者的下游横向平均冷却效率相差不大; M=1.5、β=30°时的冷却性能最优.     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…     

6H-SiC衬底片的表面处理

相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.