低温生长的Ge/Si超晶格界面结构的X射线散射研究

低温下用MBE方法生长了Ge/Si超晶格,X射线反射及横向散射研究表明,Ge亚层上下表面的粗糙度呈反对称,下表面大的粗糙度来源于Ge向Si亚层中扩散形成SiGe混合组分结构,这种组分结构可以用一平均成分的SiGe合金层加以拟合,从而使得各亚层均有一个合理的粗糙度,旋转样品进行的X射线散射研究表明,这种SiGe的混合是各向同性的,这与透射电子显微镜的研究结构相一致.     

LiNbO3晶体中包裹物和位错的X射线形貌研究

用X射线透射扫描形貌方法研究了LiNb0₃晶体中的包裹物和位错。在实验中发现了包裹物的相应于不同衍射矢量的X射线形貌与基于各向同性理论预言的形貌之间存在分歧,这被解释为弹性各向异性效应。同时还观察到Burgers矢量为最短点阵平移矢量1/3的纯刃型位错和次短点阵平移矢量1/3<0111>的纯螺型位错,以及由该螺型位错组成的纯扭转晶界。 关键词：     

Si缓冲层的生长温度对SiGe组分、结构的影响

利用同步辐射X射线高分辨衍射、掠入射表面衍射、原子力显微镜、电子显微镜等手段研究了SiGe外延层的生长质量、组分与作为缓冲层Si的生长温度之间的关系. 研究表明, 在外延薄膜中Ge的含量为32±2%; 当Si缓冲层生长温度在400—500\textcelsius范围内, SiGe外延层质量高, 没有生长位错出现. X射线反射及原子力显微镜则显示对应最光滑的SiGe外延层表面的Si缓冲层的生长温度为450\textcelsius, 相应的表面粗糙度仅为大约15\AA.     

一位物理学家的足迹——记冯端教授

 冯端教授是我国著名的物理学家,中国科学院学部委员.1946年毕业于中央大学.留校任教以来,在教学和科研中辛勤地耕耘了40多个春秋,取得了丰硕的成果,作出了卓越的贡献.冯端教授年青时未能有机会出国深造,乃是在国内条件下成长起来的一位学者,但他勤奋好学、刻苦钻研,边教学、边科研,不断思考和探索,最终成为通晓英、德、俄、法四国语言,知识渊博、基础雄厚,特别在凝聚态物理领域内是成绩卓著的著名科学家.     

台湾同步辐射研究

 以蒋树声教授为团长的大陆高校同步辐射八位学者访问团,于去年七月访问台湾,获得了极大的成功。他们提出的《访台报告》,内容丰富、精彩、生动,但因篇幅所限,本刊发表报告中《台湾同步辐射研究》部分,以飨读者     

X射线形貌技术在铁磁、铁电畴研究中的应用

一、引 言 大量事实表明,X射线形貌技术对大块近完整晶体内各种类型缺陷的观察是一种很好的方法[1].铁磁、铁电畴和畴壁作为一种形式的面缺陷,其形貌观察的结果同样显示了该方法有着许多独特的优点.早在1960年K.Mexz用X射线反射形貌方法首次成功地显示了铁磁体内畴的一些组态.后来人们又在许多铁磁材料中作过畴的X射线形貌观察,特别是对Fe,Fe-Si中畴的观察结果大大丰富了有关磁畴及畴壁结构和它们在形貌衬度理论方面的研究[2,3].许多反铁磁材料(如 NiO,Cr等)的X射线形貌研究工作也是令人鼓舞的.作为形貌技术对磁畴研究的某些进展似乎表…     

沉积于MgO基片上的La0.7Ca0.3MnO3薄膜的应变弛豫和磁电阻特性

利用90°离轴射频磁控溅射方法将La_0.7Ca_0.3MnO₃(LCMO)沉积于(001)取向的MgO单晶基片上,薄膜厚度变化范围为5nm到200nm. 通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO/MgO薄膜的面内晶格常数, 结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况, 用四探针法测量了薄膜的磁电阻特性.结果表明, LCMO/MgO薄膜均为(001)取向生长, 在厚度小于5nm时已经发生应变弛豫, 当薄膜厚度为100nm以上时, 薄膜的微应变接近于完全弛豫, 并表现出与块体材料类似的磁电阻特性, 具有较大的磁电阻和较高的磁电阻峰值温度.     

BRILLOUIN LIGHT-SCATTERING INVESTIGATION OF ELASTIC ANOMALY FROM SUPERLATTICES

In this paper we report some new experimental results concerning the elastic properties of periodic and quasiperiodic superlattices studied by means of Brillouin spectroscopy. The observation of both bulk and surface acoustic phonons as well as the fitting using effective medium approximation on the phonon spectrum enables us to extract accurately some rele-vant effective elastic constants in both structures. We have verified that the elastic anomaly which occurs in the periodic structures is also present in quasiperiodic ones. These results imply that the interaction mechanism of Fermi electrons with reduced Brillouin zone bound-ary is not responsible for the observed elastic anomalies, The comparative study of these superlattices proves that the elastic anomaly is relevant directly to interfacial effects.     

天然绿柱石晶体中生长区界面的X射线形貌和光学双折射形貌研究

用X射线形貌术及光学双折射形貌术对天然绿柱石晶体中的生长区界面进行了研究. 观测发现, 同类生长区的界面在两种形貌中通常不出现可见的衬度; 异类生长区界面中, t-s 界面在x 射线形貌中呈现动力学千涉条纹衬度, 表明它们具有平移型界面的特征, 根据消光规律知其相应的位移矢量很可能与界面垂直; 在双折射形貌中, 异类生长区界面衬度的出现与界面两侧存在不同的长程应变场有关. 实践表明, 两种形貌术互相补充, 互相参证, 在生长区界面的研究中是十分有效. 一 关键词：     

天然绿柱石晶体中生长区界面的X射线形貌和光学双折射形貌研究

用X射线形貌术及光学双折射形貌术对天然绿柱石晶体中的生长区界面进行了研究。观测发现,同类生长区的界面在两种形貌中通常不出现可见的衬度;异类生长区界面中,t-s界面在X射线形貌中呈现动力学干涉条纹衬度,表明它们具有平移型界面的特征,根据消光规律知其相应的位移矢量很可能与界面垂直;在双折射形貌中,异类生长区界面衬度的出现与界面两侧存在不同的长程应变场有关。实践表明,两种形貌术互相补充,互相参证,在生长区界面的研究中是十分有效的。