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71.
光纤光栅激光器激射波长的研究 总被引:6,自引:1,他引:6
一般认为,用光纤光栅作选频元件的光纤激光器,激射波长与光纤光栅中心反射波长一致,本文报道了不同的实验研究结果。通过细致的实验研究,发现光纤光栅激光器激射波长相对于光纤光栅中心反射波长有一定的偏移。激射波长可以出现在光栅中心反射波长的长波端,也可以出现在其短波端。对不同腔结构的掺镱、掺铒光纤光栅激光器的深入研究证明,谐振腔的各向异性对激光器的激射波长偏移起到决定性的作用,波长最大偏移量主要受限于光纤光栅的反射带宽。通过激光腔内的偏振控制器改变谐振腔的各向异性,可以在光纤光栅的反射带宽内控制激射波长的位置。 相似文献
72.
73.
A novel wideband digitally tunable laser based on fiber Bragg grating external cavities and 1×N opticalswitch provides 5 ms fast tuning time with output power more than 1 dBm over whole C-band that is onlylimited by the laser emission bandwidth. Less than 50 pm wavelength drift over-10 to 55℃ temperaturerange make that the wavelength locker and monitor are not necessary in this tunable laser. 相似文献
74.
波长无啁啾调谐窄线宽掺Yb3+双包层光纤激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
用相位掩模法, 在圆形掺Yb3+双包层光纤上制作了Bragg光纤光栅,并用它作为双包层光纤激光器的输出腔镜, 在光栅反射中心波长1055.2 nm位置得到了窄线宽的激光输出, FWHM为0.271 nm, 信噪比约为40 dB.这种结构的双包层光纤激光器, 在双包层增益光纤和后腔镜间没有连接损耗, 减小了双包层光纤激光器体积. 用自行制作的等强度梁对作为输出腔镜的光纤光栅做双向应力调谐, 实现了激光波长无啁啾调谐输出, 调谐范围1051.1~1060.04nm,调谐量达8.9nm, 调谐过程中激光3 dB线宽基本无变化. 相似文献
75.
76.
包层泵浦的L波段Er3+/Yb3+共掺光纤激光器 总被引:1,自引:4,他引:1
报道了一种工作波长在L波段的包层泵浦Er3+/Yb3+共掺光纤环形激光器. 环形腔内的激光工作介质为一段9 m长的Er3+/Yb3+共掺高掺杂光纤. 利用6个976 nm LD同时抽运前段Er3+/Yb3+共掺双包层光纤产生的放大自发辐射谱作二次抽运源, 使腔内增义谱由C波段移到L波段, 实现了L波段光纤激光器的稳定输出; 采用包层泵浦技术, 在抽运功率为3594.5 mW时, 测得泵浦入纤功率为2731.8 mW, 实现了输出连续功率最大518.4 mW,斜率效率达到19% 的激光输出; 所形成激光的工作波长为1613.94 nm, 激光光谱的3 dB带宽为1.5 nm, 边模抑制比接近于50 dB. 相似文献
77.
利用基于全相对论框架下的多组态Dirac-Fock理论方法发展起来的程序包GRASP92和新发展的处理辐射跃迁过程的程序REOS99,计算了类镍等电子系列离子(Z=45-95)的基组态3s23p63d10 1S0以及低激发组态3s23p63d94l,3s23p53d104l和3s3p63d104 l(l=s,p,d,f)的能级及其向基态的M1,M2,E2禁戒跃迁概率.通过分析高离化类镍离子在特定的原子序数范围内由于存在能级交叉而产生的强组态相互作用,解释了高离化类镍离子禁戒跃迁概率的反常变化现象,探讨了禁戒跃迁概率受强组态相互作用影响而变化的一般规律. 相似文献
78.
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同Al2O3调制层厚度的TiN/Al2O3纳米多层膜.利用X射线能量色散谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的成分、微结构和力学性能.研究结果表明,在TiN/Al2O3纳米多层膜中,单层膜时以非晶态存在的Al2O3层在厚度小于1.5 nm时因TiN晶体层的模板效应而晶化,并与TiN层形成共格外延生长,相应地,多层膜产生硬度明显升高的超硬效应,最高硬度可达37.9 GPa.进一步增加多层膜中Al2O3调制层的层厚度,Al2O3层逐渐形成非晶结构并破坏了多层膜的共格外延生长,使得多层膜的硬度逐步降低. 相似文献
79.
80.
Based on the multi-configuration Dirac-Fock method, theoretical calculations are carried out for the dielectronic recombination (DR) rate coefficients and the collision excitation rate coefficients of Sn^10+ ions. It is found that the total DR rate coefficient has its maximum value between 10eV and 100eV and is greater than either the radiative recombination or three-body recombination rate coefficients (the number of free electrons per unit is 10^21 cm^3) for the ease of Te 〉 1 eV. Therefore, DR can strongly influence the ionization balance of laser produced multi-charged tin ions. The related dieleetronie satellite cannot be ignored at low temperature Te 〈 5 eV. 相似文献