压强对介质阻挡放电中八边形结构等离子体温度的影响

利用水电极介质阻挡放电装置,在氩气和空气的混合气体中,首次观察到了由点和线组成的八边形结构。采用发射光谱法,研究了八边形结构中的点和线的等离子体温度随压强的变化关系。利用氮分子第二正带系(C3Π_u→B3Π几_g)的发射谱线,计算了点和线的分子振动温度;通过氮分子离子391.4 nm和氮分子394.1 nm两条发射谱线的相对强度比,研究了点和线的电子平均能量大小变化;利用氩原子763.26 nm(2P₆→1S₅)和772.13 nm(2P₂→1S₃)两条谱线强度比法,得到了点和线的电子激发温度。实验发现：在同一压强条件下,线比点的分子振动温度、电子平均能量以及电子激发温度均高;随着气体压强从40 kPa增大到60 kPa,点和线的分子振动温度、电子平均能量以及电子激发温度均减小。     

CT—6B托卡马克等离子体密度涨落的测量

采用光学多道探测系统，观测了ＣＴ－６Ｂ托卡马克等离子体密度涨落的幅度，频率特性和相关性以及它们的空间分布。结果表明，等离子体密度涨落的幅度为１０％－９０％，边缘区的涨落幅度高，中心区的涨落幅度低，无论边缘还是中心区的功率谱均为连续谱；并发现边缘区的涨具有时断时续的局部相关结构，每次相关持续的时间为０．２－０．５ｍｓ，空间尺度为０．５－１ｃｍ。     

电子辅助热丝化学气相沉积金刚石薄膜中氢原子谱线与最佳成膜条件

采用蒙特卡罗方法,对以CH4／H2混合气体为源气体的EACVD中的氢原子发射过程进行了模拟。研究了不同实验条件下产生的H、CH3的数目与氢原子谱线相对强度的关系,给出了一种利用氢原子谱线来获得最佳成膜实验条件的方法。本工作对于有效控制工艺条件,生长出高质量的金刚石薄膜具有重要意义。     

介质阻挡放电中的局域态六边形结构

在氩气介质阻挡放电中得到了稳定的局域态六边形结构，并对其进行了时空动力学的测量.发现位于中心的放电丝的放电时刻总是领先，相邻两次放电的时间间隔表现出长短交替的周期性.利用壁电荷放电模型对上述结果进行了分析，表明微放电丝在放电过程中不仅受自身场的作用，还受到周围其他微放电丝的影响. 关键词： 介质阻挡放电 壁电荷 自组织 局域态结构     

Hα线观测CT-6B托卡马克交流运行时的等离子体行为

首次采用光学多道诊断系统，通过Ｈα线的观测，研究了托卡马克交流运行期间等离子体的时空行为。结果发现：在电流过零处，等离子体未完全熄灭，使得电流转换后不需要第二次击穿。等离子体的时空行为与电流波形有关。     

氩气放电中四边形发光斑图形成过程研究

采用介质阻挡放电装置,在不同的边界条件下，在大气压氩气放电中观察到了稳定的四边形发光斑图. 采用光电倍增管，在纳秒时间尺度测量了四边形斑图的时空动力学, 发现它是由两套具有时间反演行为的四边形子结构交替振荡并相互嵌套而成的. 讨论了介质表面的壁电荷分布对发光斑图的形成及其时空动力学行为的影响. 关键词： 介质阻挡放电 四边形斑图 壁电荷     

Electron behaviour in CH4／H2 gas mixture in electron-assisted chemical vapour deposition

The behaviour of electrons in CH_{4}/H_{2} gas mixture in electron-assisted chemical vapour deposition of diamond is investigated using Monte Carlo simulation. The electron drift velocity in gas mixture is obtained over a wide range of E/P (the ratio of the electric field to gas pressure) from 1500 to 300000 (V/m kPa^{-1}). The electron energy distribution and average energy under different gas pressure (0.1－20kPa) and CH_{4} concentration (0.5%－10.0%) are calculated. Their effects on the diamond growth are also discussed. It is believed that these results will be helpful to the selection of optimum experimental conditions for high quality diamond film deposition.