A Base-Emitter Self-Aligned Multi-Finger Sil-xGex/Si Power Heterojunction Bipolar Transistor

With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor （HBT） device （with an emitter area of about 880μm^2） is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm （about 977mW） is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively.     

Measuring Grüneisen Parameter of Lead by High Pressure-Jump Method

Using the technology of pressure jump, variations of temperature associated with pressure from 2.4 GPa to 4.6 GPa are measured for lead. The Grfuneisen parameter is calculated from the thermodynamic relation γ =（Ks/T）（aT/aP）s, in which substitution of △T/△P for aT/aP at median pressure is strictly justified. The correction of temperature change is carried out by analysing the experimental data, which makes the process more approaching to an adiabatic condition. The calculated values of △T/ △ P and γ gradually decrease with the increasing pressure. The decrease trend is consistent with the previous work. The γ values in the range of 2-3 GPa are averagely higher than the results of Ramakrishnan et al., indicating the effect of temperature correction. The improved method is promising for measurements of Grfineisen parameter to higher pressure range.     

能量色散偏振X射线荧光光谱法测定生铁中锰和钛

探讨了应用能量色散偏振X射线荧光光谱仪测定生铁中锰和钛进行炉前快速分析的方法.对测定锰及钛时仪器的工作条件,试样的制备以及工作曲线的制作等因素作了较系统的试验,该方法所得测定结果与化学法测定结果或标样标准值相吻合,相对标准偏差小于1.5%,与化学法相比,锰和钛的测定时间由50 min缩短到2 min.     

碳包覆铁纳米颗粒的气相爆轰合成北大核心CSCD

以粉末状与气态二茂铁为原料,以氢气和氧气混合气体为爆轰能源,采用气相爆轰法进行了合成碳包覆铁纳米颗粒实验。XRD和TEM实验结果表明,采用两种不同状态的二茂铁,均得到了纳米碳包覆铁颗粒。该包覆颗粒的组成核为铁或铁碳化合物,外层壳主要由石墨碳组成,大部分球形纳米颗粒尺寸分布于5-30 nm之间。通过对比发现,采用气态二茂铁爆轰时,所得到的碳包铁粒度分布较为集中,壳层厚度比较均匀,且粒子具有较好的球形状。最后结合铁碳合金相图,从热处理角度对气相爆轰合成碳包覆铁纳米颗粒的机理进行了分析,得出产物中α-Fe与Fe_3C的形成过程。分析了碳包覆铁纳米颗粒的磁滞回线,其表现出硬磁性与顺磁性双重性质。     

用于MOCVD的金属有机Ba源的制备及性质研究北大核心CSCD

金属有机化学气相沉积法(MOCVD)能够在长的柔性金属基带上连续、快速、均匀沉积YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜,因而极具开发价值.MOCVD制备YBCO涂层导体的关键技术之一在于金属有机源(MO)的制备.国外化学试剂公司在以2,2,6,6-4甲基-3,5庚二酮(thd)为配体的MO源上技术较为成熟,并已实现商业化生产,但是价格昂贵,其中Ba(thd)2价格约为700元/g.另外,与Y(thd)3和Cu(thd)2相比,Ba(thd)2挥发性、稳定性差且制备困难.本文对金属有机Ba源的制备、稳定性及真空下的蒸发特性进行了研究.通过引入助配体四乙烯基戊胺,该Ba源的蒸发温度比纯的Ba(thd)2更低,稳定性更高,且成本仅为30元/g,对于降低YBCO高温超导带材的制备成本具有重要意义.采用该Ba源制备的300nm厚YBCO薄膜的Jc达到2.0MA/cm2(77K,0T),表明其具有很好的实用性.     

紧凑型P波段相对论返波振荡器的粒子模拟

 设计了一种紧凑型P波段相对论返波振荡器,其电动力学结构是由同轴慢波结构和同轴引出结构组成的。同轴慢波结构缩小了器件的径向尺寸;同轴引出结构缩短了器件的轴向长度,且提高了束波作用效率。通过粒子模拟研究了器件内束波作用的物理过程,模拟结果表明：器件具有结构紧凑、束波作用效率高的特点。在二极管电压700 kV,电流7 kA,导引磁场1.5 T时,器件在频率833 MHz处获得较高的微波输出,饱和后输出微波的平均功率达1.58 GW,效率约为32%,器件电磁结构尺寸仅为108 mm×856 mm。     

中等能量P波段相对论返波振荡器的理论设计与粒子模拟

提出了一种新型的中等能量P波段相对论返波振荡器,该器件将慢波结构由低波段普遍采用的同轴外波纹结构变为同轴双波纹结构,使得径向束-波作用空间扩大了2倍,一定程度上增加了器件的功率容量;另外同轴双波纹结构还较大提高了器件的时间增长率,从而有效地减小了微波输出饱和时间.经优化设计,该结构在二极管电压300 kV、电流3 kA...     

Fe-N软磁薄膜的结构和性能

用RF溅射制备厚度为200 nm的Fe-N薄膜在250℃, 12000 A/m磁场下真空热处理后，当N含量在5%～7%(原子百分数)范围内形成α′+α″相时，4πM_S可达2.4 T, H_c＜80 A/m, 2～10 MHz下高频相对导磁率μ_r=1500，可满足针对10 Gb/in2存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要. Fe-N系薄膜中α′相的形成机理和点阵常数与块状试样按Bain机理形成的α′相有明显的差别，得到了薄膜中α′相的a,c与Cα′_N之间的线性关系式.     

用气室法研究分子反应动力学的新进展

介绍了研究分子反应动力学的两大主要实验方法之一的气室法、在研究有热原子参与的反应所取得的新进展，讲述了此方法“新用”的理论依据及相应的实验条件，至此，可以获得对分子反应动力学更精细的信息，例如，态－态分辨的微分反应截面，并对两大方法进行了“现代”对比。还对两方法的发展前景作了适度的分析。