合成培养基中磷源浓度对凤尾菇(Pleyrotus sajor-caju)生长发育的影响

研究了合成培养基中不同磷源水平对凤尾菇(Pleurotus sajor-caju)生长发育的影响,结果显示,适合凤尾菇菌丝生长和子实体形成所需的的起始磷元素浓度不同,后者的需要更高些,在0.91～1.37g.L-1范围.     

洛埃镜干涉中半波损失的对比显示

本文提出了观察洛埃镜实验中出现的半波拟失的一种方法,即利用杨氏双缝产生的干涉图样与洛埃镜产生的干涉图样直接实时对比,来观察洛埃镜实验中出现的半波损失现象。现象明显直观,方法简单易行。     

新型无机非线性晶体SBBO的生长,助熔剂探索和相关系

非线性光学的发展,使得寻找新材料日益重要。我们在成功开发出BBO、LBO的基础上,用阳离子基团理论作指导,寻找具有优异性能的真空紫外倍频材料。本文对新型无机非线性光学晶体Sr_2Be_2B_2O_7(SBBO)的生长、助熔剂及相关系进行了深入的研究。     

万花筒型散射的杨-Baxter方程组

本文以根图及Weyl分类的B_n与D_n万花筒型散射所满足的杨-Baxter方程组,并证明它们在Coxeter 图端点具有反射行为,也讨论了它们的物理意义。     

β—C3C4的制备及若干问题探讨

采用热丝辅助反应溅射和等离子体增强热丝化学气相沉积（ＣＶＤ）的制备方法，获得了含有β－Ｃ３Ｎ４结晶相的ＣＮｘ薄膜，文章将重点介绍制备参数与ＣＮｘ薄膜结构的关系，并进一步讨论与β－Ｃ３Ｎ４结晶相择优菜关的主要问题     

FeCrZr非晶合金带的铁磁共振研究

研究了FeCrZr非晶合金带的铁磁共振(FMR)谱及谱线随Cr含量的变化,以及谱线随温度的变化,并与FeCrB系的铁磁共振谱比较,发现用Zr替代B的结果,使非晶带的FMR谱中各共振峰的位置和强度发生了明显的变化,结合M?ssbauer谱结果,分析了Zr对Fe基非晶磁织构的影响。     

MoSi_x多层薄膜电阻率温度系数及电子的弱局域性研究

利用多层溅射技术制备了不同组分的MoSi_x薄膜,然后研究其平面电阻的退火行为,发现平面电阻随薄膜成分呈现不同的变化趋势;对典型的MoSi_2和MoSi(?)两种成分的薄膜进行了系统的电阻率温度特性研究,发现多层薄膜在晶化之前和处于小晶粒时电阻率温度系数(TCR)为负值,并认为它和无序体系中电子的弱局域性有关. 关键词：     

60Co辐照损伤对发光二极管性能影响的研究

通过引入散射理论建立了发光二极管模型,并考虑低计量率电离辐照损伤影响,建立了器件材料散射因子与辐照损伤的关系模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件在不同辐照条件下的电学特性,实验结果与理论模型符合良好.通过对测量结果和以上模型的分析,深入研究低剂量电离辐照损伤和发光二极管性能衰减的关系.证实由于复合中心上的电子浓度增加,导致界面态浓度和散射几率的略微增大,从而造成其I-V和L-V特性的略微衰减.同时由于重离子辐照可直接产生位移效应,使界面态浓度明显上升,因此其对发光二极管的影响较电离辐照大很多.     

基于FPGA的激光雷达高速数据采集系统设计

为了对激光雷达的回波信号进行采集,设计了一款基于FPGA的高速数据采集、预处理系统.该系统以FPGA内嵌DRAM作为存储器,以同步有限状态机作为控制方式,可在1 kHz的外触发信号激励下,以20 MHz的采集频率采集数据,并可在不丢失脉冲的情况下,对采集到的4 096个数据点进行5 000次以上的对应点累加平均(滤除背景噪音).设计完成的数据采集系统已应用于一台米散射激光雷达系统中,达到了30 km探测距离、7.5 m时空分辨率的设计要求.