LaF3晶体中Ho3+离子的上转换发光机理研究

首次系统研究了在连续可调谐红色染料激光激发下,掺杂Ho3+离子的氟化镧LaF3晶体的上转换发光特性.根据对样品的激发、发射光谱和发光的上升、衰减等动力学过程的分析,仔细地研究了Ho3+离子上转换发光的机理,并建立了不同上转换发光过程的动力学模型.以这些模型为基础,对实验结果进行了分析和验证.     

聚酯型核磁共振造影剂的合成及体外弛豫性能研究

本文通过三种甘醇，己二醇和对苯二酚与ＤＴＰＡ双酸酐共聚，合成了五个大分子配体，这些配体与Ｇｄ２Ｏ３反应制得相应的配合物，配体和配合物都有较好的水溶性。由三种甘醇制得的配体形成的配合物具有比Ｇｄ（ＤＴＰＡ）更好的弛豫性能。     

第6届全国光学前沿问题讨论会在福建武夷山市举行

由中国光学学会基础光学专业委员会和中国物理学会光物理专业委员会联合主办、中国科学院物理研究所承办的第 6届全国光学前沿问题讨论会于 2 0 0 3年 11月 16～ 2 0日在福建武夷山市举行。来自国内从事光科学和技术研究的研究所、大学的 6 8名代表参加了会议。大会组织安排了 7个特邀报告 :飞秒激光在光子晶体光纤中传输特性的研究 (天津大学王清月 )、时空高分辨飞秒近场光谱学 (北京大学龚旗煌 )、基于周期性极化铌酸锂晶体的 olc滤波器的研究 (上海交通大学夏宇兴 )、新型双光子吸收材料的超快动力学研究 (复旦大学钱士雄 )、千赫兹高…     

零视距地物长波红外特征场景仿真研究

为仿真地物长波红外场景图像,根据地表温度随时间变化的规律,并结合气象状况、背景材质、热特性参量、热状态等参数,在对太阳辐射、大气长波辐射、大气温度和地表热传导等影响地表温度变化的因素进行分析的基础上,建立了基于热平衡理论和热传导过程的方程。解算出多种常见地表一日之中的温度变化情况,并将其应用于由相同景物可见光纹理图像反演出的相应红外纹理图像中。在考虑景物表面自身发射、反射的辐射计算模型的前提下,生成了具有相似红外纹理细节的地表红外场景。结果表明,该方法可生成接近真实感的红外场景,有效地模拟仿真地物的长波红外特征。     

图形化Silicon-on-Insulator衬底上分子束外延生长可动GaN微光栅的研究

GaN材料作为第三代半导体材料,具有宽禁带、直接带隙、耐腐蚀等优点,是一种非常有前景的MOEMS材料。由于GaN的刻蚀目前尚未成熟,因此图形化外延生长法是一种较好的选择。本文基于SOI(silicon-on-insulator)基片,利用硅的微加工技术和图形化GaN分子束外延生长工艺,设计并加工了工作在太赫兹波段的、可以在二维方向上运动的SOI基GaN光栅。光栅周期为16μm,光栅宽度为6μm,峰值位置为25.901μm。通过仿真优化,设计的微驱动器在水平电压220V时,水平方向上的位移为±7.26μm;垂直方向加200V电压时,垂直位移2.5μm。为了研究在图形化SOI衬底上外延生长的InGaN/GaN量子阱薄膜的光学性能,用激光拉曼光谱仪对薄膜进行了光致发光光谱实验。实验结果表明,InGaN/GaN量子阱薄膜具有良好的发光性能,其发光范围为350~500nm,覆盖了紫外光到黄绿光。由于局域态效应与禁带收缩的作用,随着环境温度由10K升高至室温,薄膜的PL光谱的峰位呈现"S"形变化趋势。     

等离子体聚合膜的电学性质研究：Ⅰ.TCNQ聚合膜的结构和电学性质

本文采用内部电极、电容耦合式钟罩型射频等离子体聚合装置,首次进行了四氰代对二次甲基苯醌(TCNQ)的等离子体聚合,得到了电导率为10~(-8)～10~(-6)Scm~(-1)的聚合物半导体薄膜。由这些聚合物薄膜制备的Al/聚合膜/ITO(铟锡氧化物透明电极)夹层元件显示出整流特性和光生伏打效应。这种聚合物薄膜还具有光电导性质。红外光谱(IR)、紫外光谱(UV)的研究结果表明,优良的半导体特性归因于聚合膜中存在有较大范围的π电子共轭结构。     

低焓能源双流体循环的热力学分析

低焓能源系指150℃以下的中低温载热流体.分析这类能源的力能效果应该以“可用能量利用系数”为指标,不宜用“热效率”,作者在文献[1]中已详加论述.本文是文献[1]的引伸,以运用低沸点介质的双流体循环热力系统(图1)作为低焓能源利用模型,对低温地下热水试验电站进行热力学分析.