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对不同气氛下高温退火非掺杂磷化铟(InP)材料的电子辐照缺陷进行了研究. 除铁受主外,磷化铁(FeP2)气氛下退火后的InP中辐照前没有深能级缺陷,而辐照后样品的热激电流谱(TSC)中出现了5个较为明显的缺陷峰,对应的激活能分别为0.23 eV, 0.26 eV, 0.31 eV, 0.37 eV和0.46 eV. 磷(P)气氛下退火后InP中的热生缺陷较多,电子辐照后形成的缺陷具有复合体特征. 与辐照前相比,辐照后样品的载流子浓度和迁移率产生显著变化. 在同样的条件下,经FeP2 气氛下高温退火后的InP样品的辐照缺陷恢复速度较快. 根据这些现象分析了缺陷的属性、快速恢复机理和缺陷对材料电学性质的影响.
关键词:
磷化铟
电子辐照
缺陷 相似文献
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The influence of strain accumulation on optical properties is investigated for InCaN/CaN-based blue lightemitting diodes grown by metal organic vapor-phase epitaxy. It is found that it is possible to reduce the strain relaxation and hence the nonradiative recombination centers in InCaN multi-quantum wells (MQWs) byadopting more InCaN/CaN MQWs pairs. The alleviation of strain relaxation in a superlattice layer results in the crystalline perfection and effective quality improvement of the epitaxial structures. With suitable control of the crystalline quality and reduced strain relaxation in the MQWs, there shows a 4-fold increase in light output luminous efficiency as compared to their conventional counterparts. 相似文献
136.
采用自组装单层膜技术,以三氯十八烷基硅烷(octadecyl-trichioro-silane,OTS)为模版,在玻璃基片上成功制备了钛酸锶晶态薄膜.改性基板的亲水性测定与金相显微镜测试表明,紫外光照射使基板由疏水转变为亲水,OTS单分子膜对薄膜的沉积具有诱导作用:X射线衍射(XRD)与扫描电镜(SEM)表征显示,制备成功的钛酸锶薄膜结晶良好,样品表面均匀,在垂直基板表面方向上呈花状生长:EDS能谱测试为钛酸锶薄膜的化学组成提供了有力的证据;同时探讨了白组装单层膜和钛酸锶薄膜的形成机理. 相似文献
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针对高功率固体激光驱动器的安全运行,提出了覆盖驱动器建设全过程的污染控制方法,详细介绍了洁净清洗、洁净检测、洁净保护等保障污染控制效果的技术手段,并介绍了神光-Ⅲ主机装置片状放大器洁净度提升所采取的技术途径,以及片状放大器光照清洗实验中气溶胶等级随闪光灯照射次数的变化情况。实验结果表明,神光-Ⅲ主机装置的洁净水平与美国国家点火装置(NIF)接近且优于其他同类装置,洁净度的大幅提升为装置的安全运行提供了有力保障。 相似文献
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含酰基氨基甲酸酯基硫脲核苷类化合物的合成及生物活性 总被引:3,自引:0,他引:3
在前期核苷类化合物的研究基础之上,为了进一步改善该类化合物的生物活性,基于几丁质合成酶催化作用机制,通过活性亚结构拼接方法,将具有良好生物活性的氨基甲酸酯基片段引入到前期所设计化合物的硫脲桥当中,设计合成了一系列结构新颖的含酰基氨基甲酸酯基硫脲的核苷类化合物.以尿苷为原料,经4步反应制得目标物,其结构经IR,1H NMR及HRMS确证.初步生测结果表明,部分化合物具有一定的杀菌和杀虫活性,化合物5j对棉铃虫的抑制活性与对照药剂除虫脲相当. 相似文献
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