效应代数的表示

本文讨论了抽象效应代数的表示问题. 对于一个抽象效应代数(E,⊕, 0, 1), 如果存在一个Hilbert 空间 H 和一个单态射 φ:E →ε(H), 那么称 E 为可表示的且称(φ,H) 是E 的一个表示, 其中ε(H) 表示 H 上所有正压缩算子构成的效应代数. 给出了一些可表示的和不可表示的效应代数的例子, 证 明了非空集 X 上的任一模糊集系统 F 和Boolean 代数B_X 都是可表示的效应代数.     

Transient electromagnetically induced transparency spectroscopy of 87Rb atoms in buffer gas

We study the transient response dynamics of ⁸⁷Rb atomic vapor buffered in 8 torr Ne gas through an electromagnetically induced transparency configured in $\varLambda$-scheme. Experimentally, the temporal transmission spectra versus probe detuning by switching on and off the coupling one show complex structures. The transmitted probe light intensity drops to a minimum value when the coupling light turns off, showing a strong absorption. Even at the moment of turning on the coupling light at a subsequent delayed time, the atomic medium shows a fast transient response. To account for the transient switching feature, in the time-dependent optical Bloch equation, we must take the transverse relaxation dephasing process of atomic vapor into account, as well as the fluorescence relaxation along with the optical absorption. This work supplies a technique to quantify the transverse relaxation time scale and to sensitively monitor its variation along the environment by observing the transient dynamics of coherent medium, which is helpful in characterizing the coherent feature of the atomic medium.     

Experimental observation of pseudogap in a modulation-doped Mott insulator: Sn/Si(111)-(√30×√30)R30°

Unusual quantum phenomena usually emerge upon doping Mott insulators. Using a molecular beam epitaxy system integrated with cryogenic scanning tunneling microscope, we investigate the electronic structure of a modulation-doped Mott insulator Sn/Si(111)-($\sqrt{3}\times \sqrt{3})R$30$^\circ$. In underdoped regions, we observe a universal pseudogap opening around the Fermi level, which changes little with the applied magnetic field and the occurrence of Sn vacancies. The pseudogap gets smeared out at elevated temperatures and alters in size with the spatial confinement of the Mott insulating phase. Our findings, along with the previously observed superconductivity at a higher doping level, are highly reminiscent of the electronic phase diagram in the doped copper oxide compounds.     

氮化镓纳米粒子的制备及光致发光研究

采用直接氮化法制备出尺寸不同的GaN纳米粒子,分别利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光致发光（PL）谱测试手段对所制样品进行表征和发光特性的研究。结果表明：所制备的两种GaN纳米粒子直径分别为100 nm和300 nm左右。在GaN纳米粒子的PL谱中,中心在357 nm的发射源于本征发光,中心在385 nm的发射带源于浅施主能级到价带的辐射复合,中心在560 nm左右的发射带源于浅施主能级到深受主能级间的施主-受主对辐射发光。     

变化的电流产生的热量不能用平均值计算

对2009年北京市某区的一道关于电磁感应的模拟题产生质疑,师生共同讨论、分析、整理,认为题目用电流的平均值算出的变化电流产生的热量值存在错误.     

基于单链核酸-纳米金-汞模拟酶的汞离子检测方法研究

将汞离子(Hg2+)沉积到吸附单链核酸(ssDNA)的纳米金(AuNPs)表面后,可以提高纳米金的模拟过氧化物酶活性,基于此原理可实现Hg2+的高灵敏检测。研究发现ss DNA能够促进Au NPs-Hg2+的类似过氧化物酶活性,且随着ss DNA浓度的增加,该作用呈增强趋势。在优化反应条件下,将ss DNA-Au NPs-Hg2+模拟过氧化物酶用于Hg2+的检测,Hg2+的检测线性范围为10~1 000 nmol/L,检出限可达3.0 nmol/L。该检测方法具有简便快速、成本低、稳定性高等优点,有望用于环境、食品等样品中Hg2+的检测。     

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应用SolidWorks和ANSYS软件设计了自由液态锡表面流体结构模型,计算了初始流速和热通量不同时液态锡的速度变化和温度变化,得到了流动液态锡的速度分布和温度分布。结果表明,垂直流动方向液态锡流速较为均匀,沿流动方向液态锡流速逐渐增大、液态锡液面厚度逐渐变薄。初始温度为600K的条件下,热通量为1MW·m?2时,液态锡出口温度为623.38K;热通量为5MW·m?2时,液态锡出口温度为720.18K。在相同条件下使用液态锂作为计算流体,结果表明出口处液态锂的温度低于液态锡的温度。     

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通过失重法结合SEM、金相分析等手段,研究了含焊缝的316L不锈钢试样在350°C、0.15MPa液态锂中500h的静态腐蚀,并采用LIBS结合台阶仪表征液态锂的渗入深度。结果表明,锂对含焊缝的316L不锈钢样式的平均腐蚀速率为99.8mg·m?2·h?1;腐蚀深度为6.4μm;渗入深度在316L不锈钢焊缝处为8.6μm,在母材处为4.8μm。在焊缝处锂对材料有明显的晶间腐蚀。     

纳米TiO2膜负载聚(3-溴噻吩)的电化学聚合和电色效应研究

本文以纳米多孔的TiO2膜为基底,通过恒电流阳极聚合的方法制备聚(3-溴噻吩) (PBrT)膜,并研究负载在纳米TiO2膜上PBrT的电致变色性能。采用原子力显微镜(AFM)对纳米TiO2膜的形貌进行表征。利用紫外吸收光谱、计时安培法、计时吸收法研究PBrT膜的电致变色性能。结果显示,沉积在纳米多孔TiO2膜上的PBrT具有更优越的电致变色性能。PBrT膜氧化态时为亮红色,还原态时为深蓝色,颜色的对比度为22%,库仑效率为70%,着色效率为191.3 cm2 C-1（还原态）,88.9 cm2 C-1（氧化态）,该聚合膜具有良好的记忆效应。PBrT/TiO2优异的电致变色性能使其成为良好的电致变色材料,在电致变色器件方面具有潜在的应用价值。     

Loeb空间中的Radon-Nikodym导数

设υ及μ为定义在可测空间（Ｘ，Ｓ）上的有限测度．本文首先证明了若υ《μ（即υ关于μ绝对连续），则有Ｌ（^*Ｓ，^*μ）(?)Ｌ（＊Ｓ，υ）．进而证明了υ《μ当且仅当Ｌ（^*υ）《Ｌ（^*μ）并且ｄ（Ｌ（^*υ））／ｄ（Ｌ（^*μ））＝^０（^*（ｄυ／ｄμ））即Ｌｏｅｂ空间中的Ｒａｄｏｎ－Ｎｉｋｏｄｙｍ定理．本文按一种自然的方式定义了σ－有限测度空