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571.
572.
薄板弯曲问题的一种弱形式离散算子解法 总被引:6,自引:1,他引:5
本文得出了薄板弯曲问题控制微分方程弱形式,弱形式中已含界参数,由这个方程可以方便地得出薄板弯曲问题的数值求解格式和边界条件的处理方法,有限元法只是它的一个特殊情况。本文导出一种离散格式,它对不再要求C^1连续的位移函数能给出较高的计算精度。 相似文献
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574.
575.
ICP—AES法测定碲锭中A1,Ag,Bi,Cu,Cd等13个杂质元素 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了采用电感耦合等离子体发射光谱尖(ICP-AES0测定碲锭中A1、Ag、Bi、Cu、Cd等13个杂质元素的方法。采用离峰扣背景法校正了碲基体的干扰,测定结果令人满意。 相似文献
576.
577.
578.
采用两步法将可聚合的乙烯基单体键接到S iO2纳米粒子表面合成了大分子单体.首先利用过量的甲苯-2,4-二异氰酸酯(TD I)对S iO2粒子表面进行化学修饰合成出表面带有高反应活性-NCO基团的功能化S iO2粒子(S iO2-TD I),再利用S iO2-TD I与丙烯酸羟丙酯(HPA)反应将碳-碳双键引入到S iO2粒子表面.系统考察了反应条件对TD I与S iO2反应的影响.此外,利用红外光谱和透射电镜对大分子单体进行表征,结果表明S iO2大分子单体能均匀地分散在甲苯中,没有发生明显团聚. 相似文献
579.
The scanning-tunnelling-microscopy (STM) images of Kr atoms adsorbed on a monolayer graphite sheet (Kr/graphite system) are calculated using the first-principle total-energy electronic structure calculations within the density functional theory in the local density approximation. The results obtained agree well with the observations. It is found that the optimal site of the adsorbed Kr atom is at the top of the centre of the carbon hexagon, and its equilibrium distance from monolayer graphite surface is about 0.335nm. It is shown that the hybridization of C 2p electronic states (π-electronic states) and Kr 4p and 5s electronic states is the main origin of the Fermi-level local density of state. 相似文献
580.
在30kW级直流电弧等离子喷射化学气相沉积装置下,采用Ar-H2-CH4混合气体,通过控制工艺参数,在钼衬底上分别制备了普通微米自支撑膜及多层金刚石自支撑膜并对其进行研究.结果显示,同普通微米膜相比,多层膜体是由微米晶金刚石层和纳米晶金刚石层组成,表面光滑,微米层与纳米层间具有相互嵌套式的界面;多层膜中各层膜体的内应力沿生长方向有明显变化,出现一个从压应力到拉应力变化的过程;在沉积过程中,随着层数变化,膜体的生长速率也发生相应的变化. 相似文献