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11.
石墨炉原子吸收法测定人体血尿和尿中锗 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了口服有机锗后人体血浆及尿中锗的测定方法。以5%三氯乙酸溶液沉淀血蛋白,离心分离后,取上清液测定。以钯和硝酸镍混合溶液做基体改进剂,提高灰化温度至1400℃,消除了样品中大量基体对测定锗的干扰,方法特征量为31pg,检出限为28pg(3σ),样品加标准回收率为:血浆91.4% ̄97.0%,尿97.2% ̄105%。 相似文献
12.
三氯化钇与茚基钠以 1∶2摩尔比于THF中 ,在 5 0℃下反应 ,歧化生成了离子型配合物 [(C9H7) 3 Yb] 2 Cl[Na·6THF](I) .X射线结构分析表明 ,配合物I是由阴离子 {[(C9H7) 3 Yb] 2 Cl}-及阳离子 [Na·6THF] 组成的离子对 ,阴离子由一个氯桥把两个 (C9H7) 3 Yb基团连接在一起 .配合物 [(C9H7) 3 Yb) 2 Cl] [Na·6THF]为三斜晶系 ,P1空间群 ,晶胞参数 ,a =1.0 682 (2 )nm ,b =1 2 687(3 )nm ,c=1 2 869(2 )nm ,α =87 2 2 3 (1)° ,β =81 75 5° ,γ =88 2 17° ,V =1 72 73 (1)nm3 ,Z =1.配合物I的结构用重原子法确定 ,用full matrixleast squares法修正 ,一致性因子为R =0 0 62 ,Rw =0 0 72 .配合物 {[(C9H7) 3 Yb] 2 Cl}[Na·6THF]与金属钠反应 ,生成 (C9H7) 2 Yb·2THF (II) .配合物II的分子结构经过了X射线的表证 . 相似文献
13.
在水热条件下,合成了2个配位聚合物{[Mn(Hbidc)(2,2''-bpy)(H2O)2]·1.5H2O}n(1)和{[Cd(Hbidc)(phen)][Cd(phen)2Cl2]}n(2)(H3bidc=苯并咪唑-5,6-二羧酸,2,2''-bpy=2,2''-联吡啶,phen=菲咯啉),并通过X射线单晶衍射、红外、元素分析、X射线粉末衍射和热重对配合物结构进行了表征。配合物1是一维无限zig-zag链结构,可以通过O-H…O和N-H…O氢键的相互作用形成三维超分子结构。配合物2也是一维无限链结构。此外,测试了配合物1和2的固体紫外吸收光谱和研究了配合物2的固体荧光性能。 相似文献
14.
MMM分子筛的制备与表征 总被引:5,自引:3,他引:5
以碱溶液处理ZSM-5分子筛,得到了含微孔及介孔的MFI结构分子筛(简称MMM),并采用XRD,XRF,SEM,XPS和低温氮吸附等技术对分子筛进行了表征.结果表明,通过改变处理碱的浓度可以得到具有不同物化性能的MMM分子筛,其化学组成、介孔及微孔的大小和多少,及分子筛晶体上n(Al)/n(Si)均随碱浓度的变化而变化,随着碱浓度的增加,分子筛部分微孔结构遭到破坏,介孔的数量增加,孔径增大,n(Al)/n(Si)增大.碱处理脱硅的过程包括脱除晶粒间的无定形物质,脱除分子筛表面的硅及脱除分子筛体相硅等步骤,硅脱除以后形成了介孔. 相似文献
15.
16.
用邻苯二甲醛(OPA)-3-巯基丙酸(3-MPA)柱前衍生高效液相色谱法测定了采自大亚湾近岸海域的一个长60cm的沉积物柱样W0中15种游离氨基酸(FAA)的含量,结果表明,W0中FAA总量在0.83-2.69mmol/kg之间,15种FAA以及FAA总量均随深度而以指数曲线降低,对氨基酸组成的分析表明,天冬氨酸,甘氨酸,组氨酸和苯丙氨酸的摩尔分数随深度而上升,苏氨酸,精氨酸,缬氨酸和异亮氨酸的摩尔分数随浓度而下降,其他氨基酸的摩尔分数随深度无显著变化,甘氨酸,丙氨酸,天冬氨酸,谷氨酸,丝氨酸是W0中含量最丰富的氨基酸,其摩尔数依次为28.1%,16.0%,14.7%,10.6%和7.2%。 相似文献
17.
18.
设计了采用532 nm 种子注入稳频钇铝石榴石(YAG)激光器作为辐射源的基于四通道法布里-珀罗标准具的瑞利和米散射测风激光雷达系统。介绍了激光雷达的多普勒测量基本原理;给出了雷达系统的主要参数,重点对基于分子后向散射信号的外侧双通道标准具的带宽、自由谱间距、峰值间距等指标进行了详细设计与分析,确定了内侧双通道标准具参数;对全系统速度灵敏度、信噪比与探测距离的关系进行了理论模拟。结果表明,可以实现从边界层至对流层高低空一体化探测。 相似文献
19.
20.
We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials (x up to 0.5) on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content (55%) InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions. 相似文献