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61.
提出了一类新的相对性区域创新指数,并采用世界专利申请数据对其进行了具体计算.基于区域创新同经济发展水平之间的超线性关系,该指数消除了经济发展水平对创新能力的影响,可以实现对不同发展水平的经济体之间进行有效的创新能力横纵对比.该创新指数尽管极其简单,却揭示出一系列迥异于传统认知的现象,例如中国大陆地区的技术创新能力在1980年代就已经位居世界前列.采用该指数,不但可以在较高水平上解释世界各国的经济增长,还发现它同经济增长率之间的相关性存在一个20年的经济周期.这些结果显示,该指数作为一个单一性指标,以极小的数据依赖就实现了较高程度的解释性,不但重新定位了世界各经济体的创新能力,对深入理解创新同经济发展之间的关系提供了新的角度,而且暗示着这类相对性经济指标的发展潜力与应用空间. 相似文献
62.
Nonlocal symmetries and similarity reductions for Korteweg-de Vries-negative-order Korteweg-de Vries equation 下载免费PDF全文
The nonlocal symmetries are derived for the Korteweg–de Vries–negative-order Korteweg–de Vries equation from the Painlevétruncation method.The nonlocal symmetries are localized to the classical Lie point symmetries for the enlarged system by introducing new dependent variables.The corresponding similarity reduction equations are obtained with different constant selections.Many explicit solutions for the integrable equation can be presented from the similarity reduction. 相似文献
63.
64.
X射线衍射法研究不同类型淀粉高静压处理后晶体结构的变化 总被引:6,自引:0,他引:6
对300, 450和600 MPa不同高静压力下导致的淀粉结晶结构变化进行研究。选择不同类型、不同链/支比的三种淀粉为研究对象,进行高静压处理,利用X射线衍射法分析高静压对不同类型,不同链/支比淀粉晶体结构的影响。结果表明:由于X射线衍射峰加强及相对结晶度增大,糯玉米淀粉在300 MPa表现为韧化作用,在450 MPa结晶结构完全解体,600 MPa时发生重结晶;HylonⅦ淀粉在600 MPa以下的高静压处理只表现出韧化效果,结晶度增加但不明显;木薯淀粉在300 MPa具有韧化作用,600 MPa结晶结构完全消失,表现为韧化-颗粒结晶解体两个过程。因此,本文提出淀粉颗粒在高静压处理过程中经历压缩韧化-晶体结构解体-重结晶三个发展阶段。 相似文献
65.
In this paper,we design a novel three-order autonomous system.Numerical simulations reveal the complex chaotic behaviors of the system.By applying the undetermined coefficient method,we find a heteroclinic orbit in the system.As a result,the Si’lnikov criterion along with some other given conditions guarantees that the system has both Smale horseshoes and chaos of horseshoe type. 相似文献
66.
提出了基于二维轴对称性目标图象矩快速算法的实用化改进方案.算法实用化改进是通过两个命题的证明实现的.一是通过轴对称目标图象质心在对称轴上的命题证明,实现了将二维轴对称图象矩快速算法用于轴对称性图象中心矩的计算;二是通过目标图象以坐标系中任意两点为圆心,旋转相同角度,结果图象具有平移性的命题证明,实现了算法用于对旋转不同角度的对称目标图象的中心矩的计算改进.在此基础上,完成了二维轴对称目标图象高阶胡氏不变矩实用化快速算法的实现.实验证明,该算法具有较好的实时性能,且具有较小的引入误差. 相似文献
67.
68.
69.
Al_2O_3薄层修饰SiN_x绝缘层的IGZO-TFTs器件的性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用原子层沉积工艺(ALD)生长均匀致密的三氧化二铝(Al2O3)薄层对氮化硅(Si Nx)绝缘层进行修饰,研究了铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFTs)器件的性能。当Al2O3修饰层厚度为4 nm时,绝缘层-有源层界面的最大缺陷态密度相比于未修饰器件降低了17.2%,器件性能得到显著改善。场效应迁移率由1.19 cm2/(V·s)提高到7.11 cm2/(V·s),阈值电压由39.70 V降低到25.37 V,1 h正向偏压应力下的阈值电压漂移量由2.19 V减小到1.41 V。 相似文献
70.
本文先介绍2002年武汉市中考23题,然后从不同的角度思考求线段比问题,通过母子相似、利用中点构造中位线、平行相似、借助定理等途径来解决,最后考虑问题的拓展. 相似文献