倒数示波计时电位法同时测定粮食中Cu、Pb含量

在分别含有２ｇ／Ｌ乙二胺与＊１０＾－４ｍｏｌ／Ｌ８－羟基喹啉（Ｏｘｉｎｅ）和０．３ｍｏｌ／Ｌ的氢氧化钠淀粉液中,Ｃｕ＾２＋、Ｐｂ＾２＋具有良好的示波图。其切口电位分别为－０．８５Ｖ,－１２０Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）,二者相差０．３５Ｖ,能够分辨,可同时测定,本方法应用于大米中Ｃｕ、Ｐｂ含量的同时测定,检出限分别为５．８μｇ／Ｌ（Ｃｕ）、１０．０μｇ／Ｌ（Ｐｂ）,平均回收率为９６．０％、１０２．０％。     

固相萃取/高效液相色谱荧光法测定草珊瑚中苯并[α]芘残留

采用固相萃取方法,建立了草珊瑚中苯并[α]芘的高效液相色谱荧光测定方法。以正己烷为提取溶剂对草珊瑚样品进行提取,经中性氧化铝固相萃取柱净化样品后,用高效液相色谱荧光检测器检测,荧光检测器激发波长为370 nm,发射波长为425 nm,流动相为乙腈-水(85∶15),流速为1.0 m L/min。结果表明:苯并[α]芘在0~20 ng/m L浓度范围内线性关系良好,相关系数(r)为0.999 9,定量下限为0.36μg/kg,回收率为84.4%~101.9%,相对标准偏差(RSD)为1.6%~5.6%。该方法准确,灵敏度高,重复性好,适用于植物药材中苯并[α]芘残留的测定。     

非全息衍射投影（英文）

提出了一种无需全息计算和相干照明的衍射投影方法和投影系统,利用非相干的准直LED光源和傅里叶变换透镜取代全息迭代计算获得被投影图像的空间频谱,再利用空间频谱在自由空间中的瑞利索墨菲衍射实现了小投射比、无限景深的图像投影.详细推导了投影方法的成像过程,解析了投影系统的强度脉冲响应函数.实验搭建了一套非全息衍射投影系统,对投影过程中产生的像差和亮度不均匀进行矫正,获得了无相干噪音的高品质衍射图像,实现了投射比为0.87的无限景深的衍射投影.在相距大于800 mm的不同深度平面上同时获得了清晰的投影图像,从而验证了方法的可行性.该投影方法和系统在球幕投影、任意曲面屏幕投影和增强现实投影等领域具有潜在的应用.     

微波消解-石墨炉原子吸收光谱法测定硫磺中铁含量

硫磺样品在微波消解仪中经硝酸消解,用石墨炉原子吸收光谱法测定其中的铁含量。以1g·L-1硝酸镁溶液(10μL)作为基体改进剂,灰化温度为1 200℃,原子化温度为2 000℃。铁的质量浓度在3.0~25.0μg·L-1范围内与其吸光度呈线性关系,方法的检出限(3s/k)为0.5μg·L-1。对工业硫磺样品进行测定,测定值的相对标准偏差(n=6)为2.2%。用标准加入法进行回收试验,计算得回收率在99.5%~101%之间。     

铬焚烧中CrO3+H2(←→)CrO2+H2O反应机理研究

本文从量子化学角度研究了在含铬物质焚烧的反应中CrO3+H2(←→)CrO2+H2O反应机理.通过Gaussian 98软件计算,优化得到各反应物质的几何结构以及体系的内部反应路径,得出该反应体系为两步反应:首先由CrO3+H2经过一个过渡态生成中间体HCrO3+H,然后由中间体HCrO3+H经过一个过渡态生成CrO2+H2O.通过反应物和产物的活化能比较,得出该反应体系更易于正向反应发生.     

一类二阶非自治Hamilton系统的周期解

在线性增长和次线性增长条件下,利用临界点理论中的极小作用原理和鞍点定理,研究了二阶非自治Hamilton系统周期解的存在性问题,获得了一些新的可解性条件．     

倒数示波计时电位滴定法测定环境样品中的Cr,Ca,Mg和S

本文采用倒数增波计时电位滴定法测定环境样吕中的Ｃｒ（Ⅲ），Ｃａ＾２＾＋，Ｍｇ＾２＾＋，及Ｓ＾２＾－。与经典分析方法相比，本法简便，快速，准确，并可以不经前处理而直接用于有色，有悬浮或沉淀物的样品分析。     

吸附络合物体系的示波分析

Ｉｎ（Ⅲ）在ｐＨ４５７ＨＡｃＮａＡｃ０．１％ＶＣ０．０６％ＨＣｕＰ溶液中，用示波计时电位法可获得良好示波图，其切口电位为Ｅ＝０９０（Ｖｓ．ＳＣＥ），切口高度与Ｉｎ（Ⅲ）浓度在８００×１０－７～１４×１０－５ｍｏｌ／Ｌ范围内成正比，检出限可达５０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ吸附络合物组成为Ｉｎ（Ⅲ）：铜铁试剂（ＨＣｕｐ）＝１∶１，条件稳定常数为５９×１０３     

倒数示波计时电位法在药物分析中的应用

倒数示波计时电位法在药物分析中的应用胡娟，朱俊杰，郑建斌，高鸿（南京大学化学系，南京，２１０００８）关键词：倒数示波计时电位法，吡哌酸，盐酸普萘洛尔，盐酸氯丙嗪，盐酸普鲁卡因，直接测定。目前，大部份药物测定均采用药典法￣［１］，但由于药典法分析某些药...     

ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究

用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料.通过Hall,Raman光谱和XRD的测试分析,研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响.根据AFM照片分析了薄膜的表面形貌,进而推测了薄膜的内部组成.实验发现:衬底温度在250 ℃时,磷烷的加入会大大降低薄膜的晶化率.衬底温度提高到350 ℃后这种影响明显下降.薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率影响明显,衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助.