巧用“图象法”

高中数学统编教材第一册在第一章“指数方程和对数方程”一节中提到了“图象法”,教材中利用它来解一元方程。将方程化为等式两边都是初等函数(或简单的复合函数)f(x)=g(x)的形式,在同一坐标系中作出y=f(x)和y=g(x)的图象,其交点的横坐标即为方程的解。这种利用作图来解题的方法就是图象法。应用图象法来解一些不要求精确解的方程,既简单又明了。     

谈基础物理的渗透式教学

构建新型课堂教学模式是提高教学质量、推进素质教育的重要环节和有效途径．文章以万有引力定律的讲解为例，阐明在基础物理教学中，如何结合知识内容，对科学精神、学科前沿、学科交叉、方法思路及学科发展等进行全面渗透，以促进教学质量的全面提高．     

Hilbert空间中非扩张余弦族的显式、隐式和黏性迭代

研究了Hilbert空间中一些逼近单参数非扩张余弦族公共不动点的迭代格式.借助余弦族理论,在较弱的条件下分别对显式、隐式和黏性的迭代过程建立了一系列的收敛定理.结果表明上述三种迭代过程适用于非扩张余弦族;并且隐式和黏性迭代格式在收敛性上优越于显式迭代格式.     

正弦变化的振幅型光瞳滤波器

光瞳滤波器作为实现超分辨的基本元件之一,它的设计以及制作都非常重要。设计了一种正弦变化的振幅型光瞳滤波器,可以通过调节少量的参量实现各种不同的超分辨模式。选择正弦函数的周期以及光瞳中心点透过率变化两个参量来实现对最终超分辨效果的调节。数值计算结果表明：在整个人射光瞳上的透过率瞳函数分布具有0．5～2个正弦振幅周期时,较为合适。小于0．5个周期将不会有任何超分辨效果,大于2个周期超分辨效果反而变差。数值计算中还注意到,当周期数为整数时,斯特雷尔比将保持0．25不变。对正弦变化振幅型光瞳滤波器的计算结果,显示了其特殊的性质,对实际中制作正弦变化振幅型光瞳滤波器有一定的指导作用。     

求解分数阶延迟微分方程的卷积Runge-Kutta方法

本文利用强A-稳定Runge-Kutta方法求解一类非线性分数阶延迟微分方程初值问题,并给出了算法的稳定性和误差分析.数值算例验证算法的有效性及其相关理论结果.     

基于SMES的超导电力集成研究超导限流贮能系统

本文探讨了基于SMES的超导电力集成的基本概念,分析了集成设计的基本原理.提出了一个基于SMES的超导电力集成应用实例:一种用于配电系统变电站应用的桥路型超导限流贮能系统(SFCL-MES),它既可以限制故障电流峰值和稳态值,也可以同时补偿系统电压,保证系统供电质量.讨论它的结构和集成原理,仿真试验验证了它的有效性.     

R语言在地球化学数据趋势面分析中的应用

R语言作为GNU系统的一个自由,免费,源代码开放的软件,是一种适合推广应用于统计计算和统计制图的优秀工具.在地球化学大数据的趋势面分析中借助R语言软件,选择spatial库包来进行kriging分析和点模式分析;spatial库中的surf.gls方法用最小二乘法来拟合趋势面;使用anova方法比较多个嵌套模型的拟合优度,实现了趋势面函数模型的最优拟合,计算与绘图自动完成,增强了分析的可靠性.该文以安徽省全椒县中部地区主要商品粮基地215.86 km~2范围内586个土壤样品测试数据为例,通过对Zn, Cu及Zn/Cu比值的趋势面分析,求得三阶趋势面函数拟合度最优,三阶趋势面图形与地质环境条件基本吻合,证实了R语言的应用优势.     

向量参变量的约束集族最大元的通有稳定性

利用集值映射方法定义约束广义最大元,在约束条件和向量参变量意义下,讨论了约束最大元映射、向量参数扰动时,特别是约束条件受到扰动时,向量参变量的约束集族最大元的通有稳定性,在最广的扰动下,获得了通有稳定性定理.     

喷气箍缩等离子体X射线椭圆弯晶谱仪研究

为了测量喷气箍缩等离子体X射线的空间分辨光谱,利用椭圆聚焦原理,研制了一种椭圆晶体谱仪．分别利用Si（111）、Mica（002）椭圆晶体作色散元件,离心率均为0．9480,布喇格角为30～67．5°,光谱信号采用半径为50mm的半圆形胶片接收,从等离子体源经晶体到胶片的光路长为1430mm．在“阳”加速器装置上进行摄谱验证实验,成功获取了氩喷气等离子体X射线的光谱．测量光谱波长与理论值相符,其中Si弯晶获得的光谱分辨率（λ/△λ=200～300）低于Mica弯晶获得的光谱分辨率（λ／△λ=500～700）．实验结果表明,该谱仪适合于喷气箍缩等离子体X射线的光谱学研究．     

Improving breakdown voltage performance of SOI power device with folded drift region

A novel silicon-on-insulator(SOI) high breakdown voltage(BV) power device with interlaced dielectric trenches(IDT) and N/P pillars is proposed. In the studied structure, the drift region is folded by IDT embedded in the active layer,which results in an increase of length of ionization integral remarkably. The crowding phenomenon of electric field in the corner of IDT is relieved by the N/P pillars. Both traits improve two key factors of BV, the ionization integral length and electric field magnitude, and thus BV is significantly enhanced. The electric field in the dielectric layer is enhanced and a major portion of bias is borne by the oxide layer due to the accumulation of inverse charges(holes) at the corner of IDT.The average value of the lateral electric field of the proposed device reaches 60 V/μm with a 10 μm drift length, which increases by 200% in comparison to the conventional SOI LDMOS, resulting in a breakdown voltage of 607 V.