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411.
通过添加造孔剂的方法制备了四种不同孔隙率未极化PZT95/5铁电陶瓷. 采用非接触式的数字散斑相关性分析(digital image correltation, DIC)全场应变光学测量技术, 对多孔未极化PZT95/5 铁电陶瓷开展了单轴压缩实验研究, 讨论了孔隙率对未极化PZT95/5铁电陶瓷的力学响应与畴变、相变行为的影响. 多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷的单轴压缩应力-应变关系呈现出类似于泡沫或蜂窝材料的三阶段变形特征, 其变形机理主要归因于畴变和相变的共同作用, 与微孔洞塌缩过程无关. 多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷的弹性模量、压缩强度都随着孔隙率的增加而明显降低, 而孔隙率对断裂应变的影响较小. 预制的微孔洞没有改善未极化PZT95/5铁电陶瓷材料的韧性, 这是因为单轴压缩下未极化PZT95/5铁电陶瓷的断裂机理是轴向劈裂破坏, 微孔洞对劈裂裂纹传播没有起到阻碍和分叉作用. 准静态单轴压缩下多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷畴变和相变开始的临界应力都随着孔隙率的增大而呈线性衰减, 但相变开始的临界体积应变却不依赖孔隙率. 相似文献
412.
以4-(1H-1,2,4-三氮唑)苯甲酸为配体,采用水热法合成了2种稀土配位聚合物[Tb(tbc3)(H2O)3]n(1)和{[Nd(tbc3)(H2O)3]·H2O}n(2)(Htbc=4-(1H-1,2,4-三氮唑)苯甲酸)。运用X-射线单晶衍射法对该配位聚合物进行了结构测定,并对其进行了元素分析、红外光谱、TG及荧光光谱表征。单晶结构表明,配位聚合物1为三斜晶系,空间群P1,配位聚合物2属于单斜晶系,空间群为P21/c。配位聚合物1和2均为一维链结构,均通过非共价键作用形成三维超分子构造。 相似文献
413.
Sign reversal of anisotropic magnetoresistance and anomalous thickness-dependent resistivity in Sr2CrWO6/SrTiO3 films
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Chunli Yao 《中国物理 B》2022,31(10):107302-107302
High-quality Sr2CrWO6 (SCWO) films have been grown on SrTiO3 (STO) substrate by pulsed laser deposition under low oxygen pressure. With decrease of the film thickness, a drastic conductivity increase is observed. The Hall measurements show that the thicker the film, the lower the carrier density. An extrinsic mechanism of charge doping due to the dominance of oxygen vacancies at SCWO/STO interfaces is proposed. The distribution and gradient of carrier concentration in SCWO films are considered to be related to this phenomenon. Resistivity behavior observed in these films is found to follow the variable range hopping model. It is revealed that with increase of the film thickness, the extent of disorder in the lattice increases, which gives a clear evidence of disorder-induced localization charge carriers in these films. Magnetoresistance measurements show that there is a negative magnetoresistance in SCWO films, which is considered to be caused by the magnetic scattering of magnetic elements Cr3+ and W5+. In addition, a sign reversal of anisotropic magnetoresistance (AMR) in SCWO film is observed for the first time, when the temperature varies across a characteristic value, TM. Magnetization—temperature measurements demonstrate that this AMR sign reversal is caused by the direction transition of easy axis of magnetization from the in-plane ferromagnetic order at T > TM to the out-of-plane at T < TM. 相似文献
414.
Short-Time Dynamical Behaviour of Depinning Transition in the Uniformly Frustrated Two-Dimensional XY Model
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A short-time dynamic scaling approach is extended to study the depinning transition of the two-dimensional frustrated XY model driven by external currents. We investigate the scaling behaviour of depinning transition in the XY model with three different flux densities f = 1/2, 1/25, 1/30. The short-time scaling behaviour in the depinning transition of the two-dimensional XY model is clearly shown up. Besides the critical current, the exponent θ is obtained. 相似文献
415.
密度不同的颗粒在流体中的沉降特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用格子Boltzmann方法(LBM)对雷诺数范围为5≤Re≤12的双颗粒沉降进行了直接数值模拟研究,主要关注颗粒之间的密度差异k对其周期性振动的影响。根据雷诺数颗粒沉降特性可以分成三个阶段,即当Re较小时,颗粒的振动幅度随k的增大而减小,当Re较大时则正好相反,介于两者之间存在一个临界雷诺数,在此雷诺数附近,颗粒的沉降同时具有以上两种特征。同时还研究了两个颗粒的稳定沉降结构以及重颗粒摆脱轻颗粒的条件。 相似文献
416.
研究了基于硅烯的静电势超晶格、铁磁超晶格、反铁磁超晶格中谷极化、自旋极化以及赝自旋极化的输运性质,分析了铁磁交换场、反铁磁交换场以及化学势对输运性质的影响,讨论了电场对谷极化、自旋极化以及赝自旋极化的调控作用.结果表明:当3种超晶格的晶格数达到10以上时,在硅烯超晶格中很容易实现100%的谷极化、自旋极化和赝自旋极化,而且通过调节超晶格上的外加电场可以使极化方向发生翻转,从而在硅烯超晶格中实现外电场对谷自由度、自旋自由度以及赝自旋自由度的操控. 相似文献
417.
418.
一种新的小波及其在结构损伤检测中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
结构受冲击将引起某些部位的震荡、裂纹甚至断裂,从而导致结构刚度下降.此时振动信号会出现奇异性或携带突变信息,而这些突变信息反映了结构的损伤情况.加之冲击信号测试环境一般较为复杂,环境噪声对测试存在一定的影响.然而,利用合理的小波变换技术去噪可以识别出损伤情况.本文通过对冲击振动的信号特性进行分析构造了一种新的基本小波,并论证了该小波的基本特征.最后运用小波分析的信号奇异检测理论结合实例将该小波用于冲击振动仿真分析中.计算结果表明,利用该小波进行结构损伤信号分析能清晰地识别结构损伤的时刻.采用该小波函数的构造方法,可避免通常采用Daubechies系列小波作为信号分析而要繁琐地选择不同小波函数的过程. 相似文献
419.
420.